光刻机出货引暴涨
@蓝唐2485：被减数减去括号两个减数相加属于什么定律? -
衡皆18130904212…… 结合律. 结合律.
@蓝唐2485：目前最先进是多少纳米? -
衡皆18130904212…… 中企最高技术28纳米,而且还是中芯挖的台干带来的技术 芯片工艺最重要的机器是光刻机,目前被欧洲垄断.欧洲有条约禁止向社会主义国家出口类似光刻机的高科技设备
@蓝唐2485：光刻机是生产CPU的么 -
衡皆18130904212…… 光刻机是生产CPU的重要设备,但是并不是只能用于生产CPU. 实际上,光刻机是半导体工艺非常重要的生产设备,用于将理论设计的电路制作到真实的Si级片上,并最终获得集成电路. 所有大规格和超大规模集成电路,都会使用到光刻机,这其中当然包括CPU,也包括GPU,单片机芯片等等各种半导体芯片. 有兴趣,百度百科的相关词条,有更详细的内容供参考.
@蓝唐2485：光刻过程中正面曝光和背面曝光的区别 -
衡皆18130904212…… 最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask, 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的
@蓝唐2485：光刻工艺的原理是什么? -
衡皆18130904212…… 光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术.也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了....
@蓝唐2485：光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义 -
衡皆18130904212…… 光刻工艺主要步骤 1. 基片前处理 为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净, 2. 涂光刻胶 涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜. 3. 前烘(软...
@蓝唐2485：怎么解决光学光刻表面反射和驻波 -
衡皆18130904212…… 微电子制造工艺中的一种现象. 在微细图形光刻过程中,一般曝光光源为单色或窄带光源,在由基片、氧化物层和抗蚀剂等组成的多层膜系情况下,由于膜系各层折射率不同,曝光时入射光将在各层膜的界面处发生多次反射,在光致抗蚀剂中形成驻波.
@蓝唐2485：世界上最精密的仪器是什么? -
衡皆18130904212…… 光刻机是一种曝光工具,这是光刻工程的核心部分,其造价昂贵,号称世界上最精密的仪器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,到现在全世界也不过两三家公司能够制造而已.
@蓝唐2485：放巨量的上引线代表什么意思啊 -
衡皆18130904212…… 冲高回落,有回调要求.
@蓝唐2485：光刻机极紫光是怎么产生的
衡皆18130904212…… 光刻机极紫外光是通过准分子激光轰击锡滴产生的.EUV光刻机的极紫外光指的是13.5纳米波长的极紫外光,这是光刻机核心部件之一.将锡加热到极高的温度,原子就会分解成自由电子和带电荷不同的正电离子.这些离子中的许多离子都处于激发状态.其中一个或多个轨道上的电子有一部分额外的能量.这些电子在离原子核较近的轨道上绕着比最近的轨道更远的轨道旋转.当它们返回到离原子核更近的轨道上时,这部分额外的能量就会以EUV辐射的形式释放出来,这些EUV辐射就是13.5纳米波长的极紫外光.
衡皆18130904212…… 结合律. 结合律.
@蓝唐2485：目前最先进是多少纳米? -
衡皆18130904212…… 中企最高技术28纳米,而且还是中芯挖的台干带来的技术 芯片工艺最重要的机器是光刻机,目前被欧洲垄断.欧洲有条约禁止向社会主义国家出口类似光刻机的高科技设备
@蓝唐2485：光刻机是生产CPU的么 -
衡皆18130904212…… 光刻机是生产CPU的重要设备,但是并不是只能用于生产CPU. 实际上,光刻机是半导体工艺非常重要的生产设备,用于将理论设计的电路制作到真实的Si级片上,并最终获得集成电路. 所有大规格和超大规模集成电路,都会使用到光刻机,这其中当然包括CPU,也包括GPU,单片机芯片等等各种半导体芯片. 有兴趣,百度百科的相关词条,有更详细的内容供参考.
@蓝唐2485：光刻过程中正面曝光和背面曝光的区别 -
衡皆18130904212…… 最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask, 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的
@蓝唐2485：光刻工艺的原理是什么? -
衡皆18130904212…… 光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术.也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了....
@蓝唐2485：光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义 -
衡皆18130904212…… 光刻工艺主要步骤 1. 基片前处理 为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净, 2. 涂光刻胶 涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜. 3. 前烘(软...
@蓝唐2485：怎么解决光学光刻表面反射和驻波 -
衡皆18130904212…… 微电子制造工艺中的一种现象. 在微细图形光刻过程中,一般曝光光源为单色或窄带光源,在由基片、氧化物层和抗蚀剂等组成的多层膜系情况下,由于膜系各层折射率不同,曝光时入射光将在各层膜的界面处发生多次反射,在光致抗蚀剂中形成驻波.
@蓝唐2485：世界上最精密的仪器是什么? -
衡皆18130904212…… 光刻机是一种曝光工具,这是光刻工程的核心部分,其造价昂贵,号称世界上最精密的仪器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,到现在全世界也不过两三家公司能够制造而已.
@蓝唐2485：放巨量的上引线代表什么意思啊 -
衡皆18130904212…… 冲高回落,有回调要求.
@蓝唐2485：光刻机极紫光是怎么产生的
衡皆18130904212…… 光刻机极紫外光是通过准分子激光轰击锡滴产生的.EUV光刻机的极紫外光指的是13.5纳米波长的极紫外光,这是光刻机核心部件之一.将锡加热到极高的温度,原子就会分解成自由电子和带电荷不同的正电离子.这些离子中的许多离子都处于激发状态.其中一个或多个轨道上的电子有一部分额外的能量.这些电子在离原子核较近的轨道上绕着比最近的轨道更远的轨道旋转.当它们返回到离原子核更近的轨道上时,这部分额外的能量就会以EUV辐射的形式释放出来,这些EUV辐射就是13.5纳米波长的极紫外光.
