一张图看懂mos管
@百易2756：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
侯明13099912737…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@百易2756：懂电路的高手进来解释这个图,还要懂MOS管和二极管 -
侯明13099912737…… 二极管有二种接法,接在输入端的是保护输入信号过强的措施,接在输出端的是阻尼作用.
@百易2756：什么是MOS场效应管? -
侯明13099912737…… 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现...
@百易2756：MOS管是什么? -
侯明13099912737…… MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.
@百易2756：线路板上的mos管是什么? -
侯明13099912737…… mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是...
@百易2756：MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
侯明13099912737…… 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
@百易2756：MOS管有哪些作用,工作原理是什么? -
侯明13099912737…… 作用 目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了.由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近.其中在CPU与AGP插槽...
@百易2756：说明mos晶体管包含哪些电容及其物理意义 -
侯明13099912737…… MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示.图2中各部分的物理意义为: (1)LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻. (2)C1代表从栅极到源端N+间的电容,它的值是由结构所固定的. (3)C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容.C2是电介质电容,共值是固定的.而C4是由源极到漏极的耗尽区的大小决定,并随栅极电压的大小而改变.当栅极电压从0升到开启电压UGS(th)时,C4使整个栅源电容增加10%~15%. (4)C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成,当漏极电压改变极性时,其可变电容值变得相当大. (5)C6是随漏极电压变换的漏源电容.
@百易2756：关于MOS场效应管的原理 -
侯明13099912737…… MOS管的工作原理 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电...
@百易2756：高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理 -
侯明13099912737…… MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好).增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结.主板上的PWM(Plus Width Modulator,脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形,这样可以使两只MOS管轮流导通.当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时,这时MOS管的开关作用开始生效,外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压.当负载两端的电压升高时,通过MOS管的开关作用,外部电源供电断开,电感释放出刚才充入的能量,这时的电感就变成了“电源”,当栅-源电压vGS=0时,即使加上漏-源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道
侯明13099912737…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@百易2756：懂电路的高手进来解释这个图,还要懂MOS管和二极管 -
侯明13099912737…… 二极管有二种接法,接在输入端的是保护输入信号过强的措施,接在输出端的是阻尼作用.
@百易2756：什么是MOS场效应管? -
侯明13099912737…… 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现...
@百易2756：MOS管是什么? -
侯明13099912737…… MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.
@百易2756：线路板上的mos管是什么? -
侯明13099912737…… mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是...
@百易2756：MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
侯明13099912737…… 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
@百易2756：MOS管有哪些作用,工作原理是什么? -
侯明13099912737…… 作用 目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了.由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近.其中在CPU与AGP插槽...
@百易2756：说明mos晶体管包含哪些电容及其物理意义 -
侯明13099912737…… MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示.图2中各部分的物理意义为: (1)LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻. (2)C1代表从栅极到源端N+间的电容,它的值是由结构所固定的. (3)C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容.C2是电介质电容,共值是固定的.而C4是由源极到漏极的耗尽区的大小决定,并随栅极电压的大小而改变.当栅极电压从0升到开启电压UGS(th)时,C4使整个栅源电容增加10%~15%. (4)C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成,当漏极电压改变极性时,其可变电容值变得相当大. (5)C6是随漏极电压变换的漏源电容.
@百易2756：关于MOS场效应管的原理 -
侯明13099912737…… MOS管的工作原理 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电...
@百易2756：高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理 -
侯明13099912737…… MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好).增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结.主板上的PWM(Plus Width Modulator,脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形,这样可以使两只MOS管轮流导通.当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时,这时MOS管的开关作用开始生效,外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压.当负载两端的电压升高时,通过MOS管的开关作用,外部电源供电断开,电感释放出刚才充入的能量,这时的电感就变成了“电源”,当栅-源电压vGS=0时,即使加上漏-源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道
