三极管导通后电压关系
@皮贵4902:三极管导通C,E间的电压是多少 -
都净13373932012…… 三极管导通时,C、E间电压可低至0.1V,但不可能为“0”.这是无触点开关的小缺点.
@皮贵4902:三极管导通后集电极电压会怎样? -
都净13373932012…… 要根据所接入的限流电阻而定,若限流电阻与集电极串联,导通后集电极由高电平变为低电平;若限流电阻与发射极串联,导通后集电极呈高平不变.
@皮贵4902:急求三极管三个极之间的电压关系?Ube=0.7?Ubc?Uce? -
都净13373932012…… 如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe).这是对NPN型硅管.
@皮贵4902:请问:9014或9013三极管导通后,B、E极和C、E极之间的电压分别是多少?会受什么其它因素影响? -
都净13373932012…… 硅三极管的 B(基极)、E(发射极)电 压降一般0.6伏到0.7伏之间.温度越高压降越低,反之相反.当然基极电流也有关,因为电流越大温度相应增高. C(集电极)、E(发射极)电压降是,由集电极发射极回路电阻决定电压.一般的计算方法是,首先计算积极电压,积极电压一般的连个基极上偏电阻和下偏电阻分压而得,再减去基极-发射极电压(6.5v),得到发射极电压,再发射极电压除发射极电阻得发射极电流.集电极电流是,发射极电流减去基极电流,而基极电流很小(发射极电流/(1+晶体管的放大倍数),可以忽略.然而 可以算出 C、E 电压=供电电压-集电极回路上的电阻降(集电极电流*集电极电阻)-发射极电压.
@皮贵4902:三极管导通时基极与发射极之间的电压 -
都净13373932012…… 三极管导通时基极与发射极之间的电压无关,基极电压≥1V,三极管导通.
@皮贵4902:三极管的集电极电压与发射极电压有什么关系? -
都净13373932012…… 要是按你提问的说法回答,那么集电极电压和发射极电压是同一电压,在NPN管中,集电极电位高,显正值.发射极电位低,显负值.而PNP管则恰恰相反.你应该问的是集电结电压与发射结电压有什么关系.要知道集电结两端的电压是指集电极与发射极之间的电压;发射结两端电压是基极与发射极之间的电压.三极管正常放大工作时,集电结电压很大,发射结电压很小.发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来,发射结电流(电压)变化一点点能使集电结电流变化很大.
@皮贵4902:三极管是不是导通后把电位钳位成0.7V了? -
都净13373932012…… PN结导通后,如果硅管的话,PN结两端电压为0.7V.三极管B极和E极之间是一个PN结,三极管工作在放大区或者饱和区时,三极管的B、E极之间为导通状态,所以B、E之间的电压为0.7V.
@皮贵4902:三极管导通以后CE间的电压是不是基本不变了 还有导通和饱和导通是不是一个概念 -
都净13373932012…… CE间的电压是会变化得,这要看三极管的工作状态
@皮贵4902:三极管的伏安特性? -
都净13373932012…… 以共发射极为例:基极是输入电极,输入电流是IB,输入电压是VBE;输出电流为集电极电流IC,输出电压为VCE,输入和输出各需要有一组(而不是一条)特性曲线来表示其电压电流关系. 输出特性曲线的横轴VCE为自变数,IC为纵坐标(因变数),IB为参变数. 输入特性曲线VBE为横坐标,(自变数),IB为纵坐标(因变数). 因此,三极管的伏安特性曲线是由2组、4个参数构成的,互相牵连互相制约.
@皮贵4902:请教三极管各电极之间的电压关系?我是一个电子业余爱好者,现碰到一
都净13373932012…… 目前使用的基本上都是硅三极管.硅管的Ube=0.7V左右(不同极性的三极管Ube电压正、负极性就不标出了).在放大电路中,Uce>Ube. 一般不会测量Ubc、Ucb,这样测量时会影响三极管的工作点,通常只测Ube、Uce. 你说的那个关系是成立的.三极管可以看作是发射结与集电结的串联,故Uce=Ucb+Ube.因为Ucb=-Ubc,故Uce=-Ubc+Ube,就得到你说的结论了.
都净13373932012…… 三极管导通时,C、E间电压可低至0.1V,但不可能为“0”.这是无触点开关的小缺点.
@皮贵4902:三极管导通后集电极电压会怎样? -
都净13373932012…… 要根据所接入的限流电阻而定,若限流电阻与集电极串联,导通后集电极由高电平变为低电平;若限流电阻与发射极串联,导通后集电极呈高平不变.
@皮贵4902:急求三极管三个极之间的电压关系?Ube=0.7?Ubc?Uce? -
都净13373932012…… 如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe).这是对NPN型硅管.
@皮贵4902:请问:9014或9013三极管导通后,B、E极和C、E极之间的电压分别是多少?会受什么其它因素影响? -
都净13373932012…… 硅三极管的 B(基极)、E(发射极)电 压降一般0.6伏到0.7伏之间.温度越高压降越低,反之相反.当然基极电流也有关,因为电流越大温度相应增高. C(集电极)、E(发射极)电压降是,由集电极发射极回路电阻决定电压.一般的计算方法是,首先计算积极电压,积极电压一般的连个基极上偏电阻和下偏电阻分压而得,再减去基极-发射极电压(6.5v),得到发射极电压,再发射极电压除发射极电阻得发射极电流.集电极电流是,发射极电流减去基极电流,而基极电流很小(发射极电流/(1+晶体管的放大倍数),可以忽略.然而 可以算出 C、E 电压=供电电压-集电极回路上的电阻降(集电极电流*集电极电阻)-发射极电压.
@皮贵4902:三极管导通时基极与发射极之间的电压 -
都净13373932012…… 三极管导通时基极与发射极之间的电压无关,基极电压≥1V,三极管导通.
@皮贵4902:三极管的集电极电压与发射极电压有什么关系? -
都净13373932012…… 要是按你提问的说法回答,那么集电极电压和发射极电压是同一电压,在NPN管中,集电极电位高,显正值.发射极电位低,显负值.而PNP管则恰恰相反.你应该问的是集电结电压与发射结电压有什么关系.要知道集电结两端的电压是指集电极与发射极之间的电压;发射结两端电压是基极与发射极之间的电压.三极管正常放大工作时,集电结电压很大,发射结电压很小.发射结两端电压的变化以电流的变化形式体现出来,发射结电流(电压)变化一点点能使集电结电流变化很大.
@皮贵4902:三极管是不是导通后把电位钳位成0.7V了? -
都净13373932012…… PN结导通后,如果硅管的话,PN结两端电压为0.7V.三极管B极和E极之间是一个PN结,三极管工作在放大区或者饱和区时,三极管的B、E极之间为导通状态,所以B、E之间的电压为0.7V.
@皮贵4902:三极管导通以后CE间的电压是不是基本不变了 还有导通和饱和导通是不是一个概念 -
都净13373932012…… CE间的电压是会变化得,这要看三极管的工作状态
@皮贵4902:三极管的伏安特性? -
都净13373932012…… 以共发射极为例:基极是输入电极,输入电流是IB,输入电压是VBE;输出电流为集电极电流IC,输出电压为VCE,输入和输出各需要有一组(而不是一条)特性曲线来表示其电压电流关系. 输出特性曲线的横轴VCE为自变数,IC为纵坐标(因变数),IB为参变数. 输入特性曲线VBE为横坐标,(自变数),IB为纵坐标(因变数). 因此,三极管的伏安特性曲线是由2组、4个参数构成的,互相牵连互相制约.
@皮贵4902:请教三极管各电极之间的电压关系?我是一个电子业余爱好者,现碰到一
都净13373932012…… 目前使用的基本上都是硅三极管.硅管的Ube=0.7V左右(不同极性的三极管Ube电压正、负极性就不标出了).在放大电路中,Uce>Ube. 一般不会测量Ubc、Ucb,这样测量时会影响三极管的工作点,通常只测Ube、Uce. 你说的那个关系是成立的.三极管可以看作是发射结与集电结的串联,故Uce=Ucb+Ube.因为Ucb=-Ubc,故Uce=-Ubc+Ube,就得到你说的结论了.