三极管导通后be之间压降
@木蚀5698：三极管BE间压降为0.7V左右,为什么有加大BE电压可以增大电流,BE电压不是为固定的压降0.7V嘛?? -
竺雯17637895196…… 大家都知道三极管是电流控制元件,不同于如场效应管等COMS的电压控制型,be间的0.7v是它的固有特性(实际在0.55-0.75之间都正常),要增大电流并不是靠加大BE电压,而是用加大b极的输入电流来达到的,只不过在加大电流的同时势必会使电压上升少许,由欧姆定律可知:U=I*R I的变化量为数十至数百微安级,R为数K级,所以U的变化量(即BE间压降)一般在0.2v以内,相对来说电压变化不明显,也不容易用它来控制集电极电流,现实电路中测量三极管BE间压降为0.7V左右只是为了大致判断该管是否正常工作在放大区罢了.
@木蚀5698：在三极管电路中,无论输入电压多大,Ube都在0.1~0.8内变化?还是这只是个初始值的范围? -
竺雯17637895196…… 三极管的be结在导通(Ube>0.65V)后,由于PN结的箝位作用,be间的电压不会再上升多少了(称之为正向压降).输入电压的继续升高必须由限流电阻来限制流入基极的电流,或者有足够的负反馈(发射极串入电阻)来抵消输入电压,否则be结会因过流而烧毁.
@木蚀5698：三极管的集电结和发射结的正偏反偏电压是怎么说的? -
竺雯17637895196…… 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理. ...
@木蚀5698：如图三极管,be之间导通,那么bc之间一定导通吗?ce之间导通有压降吗?学数电,这一块不是太懂 -
竺雯17637895196…… BE导通,BC不会导通.应是CE导通,CE导通是有压降的.三极管是电流型元件.
@木蚀5698：三极管BE间压降为0.7V左右,为什么有加大BE电压可以增大电流,BE电压不是为固定的压降0.7V -
竺雯17637895196…… 硅三极管BE间的门槛电压是0.7v,锗三极管BE间的门槛电压是0.2v,而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压,当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流.当外加电压大于门槛电时,BE开通,有电流流过,所加电压越高,电流越大,此时BE间呈现低阻状态,BE间电压只是微高于门槛电压.
@木蚀5698：用数字万用表测三极管,确定下来b极后测量bc和be之间的压降为什么会有微小的动态变化? -
竺雯17637895196…… 一、知道了NPN、PNP和B极,如果可以插孔,就把档倍打到HFE档,把三极管按孔标号插进去,看它的显示值,放大倍数大的那一次,管脚对应的标号就是了呀 二、按常见的引脚排列记:E B C,B C E,E C B,散热片是C极,可见,E极不会在中间,只要知道B极是哪个,都可以按这三种记.
@木蚀5698：三极管9013BE间导通压降 -
竺雯17637895196…… 9013BE间的饱和导通压降有1.2V; 如果从具有放大作用开始测量,一直到饱和导通,其BE压降是在0.7V到1.2V之间变化的.
@木蚀5698：请问:9014或9013三极管导通后,B、E极和C、E极之间的电压分别是多少?会受什么其它因素影响? -
竺雯17637895196…… 硅三极管的 B(基极)、E(发射极)电 压降一般0.6伏到0.7伏之间.温度越高压降越低,反之相反.当然基极电流也有关,因为电流越大温度相应增高. C(集电极)、E(发射极)电压降是,由集电极发射极回路电阻决定电压.一般的计算方法是,首先计算积极电压,积极电压一般的连个基极上偏电阻和下偏电阻分压而得,再减去基极-发射极电压(6.5v),得到发射极电压,再发射极电压除发射极电阻得发射极电流.集电极电流是,发射极电流减去基极电流,而基极电流很小(发射极电流/(1+晶体管的放大倍数),可以忽略.然而 可以算出 C、E 电压=供电电压-集电极回路上的电阻降(集电极电流*集电极电阻)-发射极电压.
@木蚀5698：三极管是不是导通后把电位钳位成0.7V了? -
竺雯17637895196…… PN结导通后,如果硅管的话,PN结两端电压为0.7V.三极管B极和E极之间是一个PN结,三极管工作在放大区或者饱和区时,三极管的B、E极之间为导通状态,所以B、E之间的电压为0.7V.
@木蚀5698：关于三极管的问题. -
竺雯17637895196…… 1、三极管导通压降0.7V,这种说法很不严谨. 一般的硅三极管,发射结(BE)的导通压降是0.7V,而其他CE,BC之间未必是这个数值. 2、你研究导通条件,要抓住核心,三极管有两个PN结,一个发射结,一个集电结,不过是NPN还是PNP,你就抓住: (1)放大:发射结正偏,集电结反偏. (2)饱和:两个都正偏; (3)截止:两个都反偏. 就可以了.至于具体电压,要根据管子类型分析. NPN的话,发射结正偏,也就是Ub>Ue,而且要大0.7V左右,集电结反偏,你的Uc>Ub是可以的. 这时候就可以判断,三极管处于放大状态了. 另外,按经验,可以将UCE>1V作为附加条件.
竺雯17637895196…… 大家都知道三极管是电流控制元件,不同于如场效应管等COMS的电压控制型,be间的0.7v是它的固有特性(实际在0.55-0.75之间都正常),要增大电流并不是靠加大BE电压,而是用加大b极的输入电流来达到的,只不过在加大电流的同时势必会使电压上升少许,由欧姆定律可知:U=I*R I的变化量为数十至数百微安级,R为数K级,所以U的变化量(即BE间压降)一般在0.2v以内,相对来说电压变化不明显,也不容易用它来控制集电极电流,现实电路中测量三极管BE间压降为0.7V左右只是为了大致判断该管是否正常工作在放大区罢了.
@木蚀5698：在三极管电路中,无论输入电压多大,Ube都在0.1~0.8内变化?还是这只是个初始值的范围? -
竺雯17637895196…… 三极管的be结在导通(Ube>0.65V)后,由于PN结的箝位作用,be间的电压不会再上升多少了(称之为正向压降).输入电压的继续升高必须由限流电阻来限制流入基极的电流,或者有足够的负反馈(发射极串入电阻)来抵消输入电压,否则be结会因过流而烧毁.
@木蚀5698：三极管的集电结和发射结的正偏反偏电压是怎么说的? -
竺雯17637895196…… 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理. ...
@木蚀5698：如图三极管,be之间导通,那么bc之间一定导通吗?ce之间导通有压降吗?学数电,这一块不是太懂 -
竺雯17637895196…… BE导通,BC不会导通.应是CE导通,CE导通是有压降的.三极管是电流型元件.
@木蚀5698：三极管BE间压降为0.7V左右,为什么有加大BE电压可以增大电流,BE电压不是为固定的压降0.7V -
竺雯17637895196…… 硅三极管BE间的门槛电压是0.7v,锗三极管BE间的门槛电压是0.2v,而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压,当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流.当外加电压大于门槛电时,BE开通,有电流流过,所加电压越高,电流越大,此时BE间呈现低阻状态,BE间电压只是微高于门槛电压.
@木蚀5698：用数字万用表测三极管,确定下来b极后测量bc和be之间的压降为什么会有微小的动态变化? -
竺雯17637895196…… 一、知道了NPN、PNP和B极,如果可以插孔,就把档倍打到HFE档,把三极管按孔标号插进去,看它的显示值,放大倍数大的那一次,管脚对应的标号就是了呀 二、按常见的引脚排列记:E B C,B C E,E C B,散热片是C极,可见,E极不会在中间,只要知道B极是哪个,都可以按这三种记.
@木蚀5698：三极管9013BE间导通压降 -
竺雯17637895196…… 9013BE间的饱和导通压降有1.2V; 如果从具有放大作用开始测量,一直到饱和导通,其BE压降是在0.7V到1.2V之间变化的.
@木蚀5698：请问:9014或9013三极管导通后,B、E极和C、E极之间的电压分别是多少?会受什么其它因素影响? -
竺雯17637895196…… 硅三极管的 B(基极)、E(发射极)电 压降一般0.6伏到0.7伏之间.温度越高压降越低,反之相反.当然基极电流也有关,因为电流越大温度相应增高. C(集电极)、E(发射极)电压降是,由集电极发射极回路电阻决定电压.一般的计算方法是,首先计算积极电压,积极电压一般的连个基极上偏电阻和下偏电阻分压而得,再减去基极-发射极电压(6.5v),得到发射极电压,再发射极电压除发射极电阻得发射极电流.集电极电流是,发射极电流减去基极电流,而基极电流很小(发射极电流/(1+晶体管的放大倍数),可以忽略.然而 可以算出 C、E 电压=供电电压-集电极回路上的电阻降(集电极电流*集电极电阻)-发射极电压.
@木蚀5698：三极管是不是导通后把电位钳位成0.7V了? -
竺雯17637895196…… PN结导通后,如果硅管的话,PN结两端电压为0.7V.三极管B极和E极之间是一个PN结,三极管工作在放大区或者饱和区时,三极管的B、E极之间为导通状态,所以B、E之间的电压为0.7V.
@木蚀5698：关于三极管的问题. -
竺雯17637895196…… 1、三极管导通压降0.7V,这种说法很不严谨. 一般的硅三极管,发射结(BE)的导通压降是0.7V,而其他CE,BC之间未必是这个数值. 2、你研究导通条件,要抓住核心,三极管有两个PN结,一个发射结,一个集电结,不过是NPN还是PNP,你就抓住: (1)放大:发射结正偏,集电结反偏. (2)饱和:两个都正偏; (3)截止:两个都反偏. 就可以了.至于具体电压,要根据管子类型分析. NPN的话,发射结正偏,也就是Ub>Ue,而且要大0.7V左右,集电结反偏,你的Uc>Ub是可以的. 这时候就可以判断,三极管处于放大状态了. 另外,按经验,可以将UCE>1V作为附加条件.
