三极管电流关系图解
@蔚闵4301：三极管三个电极的电流存在什么关系 -
宁类15190129783…… 下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理b极提供(输入) c提供能量 e输出 常用在模电 还有一个重要的特点,而C点电位高于b点电位几伏时;Ib式中,这就是所谓电流放大作用,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,同时基区做得很薄;△Ib ...
@蔚闵4301：2.三极管内部电流的分配关系是什么?每个电流各有什么特点? -
宁类15190129783…… 你好,三极管能将直流电源的电流按照基极输入电流的要求转换成集电极电流和发射极电流,从这个角度说明三极管是一个电流转换器件.所谓电流放大,就是将直流电源的电流,按照基极输入电流的变化规律转换成集电极电流和发射极电流. 仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢.
@蔚闵4301：在放大状态中三极管各极电流之间有什么关系? - 作业帮
宁类15190129783…… [答案] 三极管有三个电极发射极(e),集电极(c),基极(b)现在讨论他们的关系及原理:以npn为例发射极是n型高参杂浓度高多子是电子基极是p型低参杂多子是空穴集电极是n型当加入直流电压使得发射结正偏集电结反偏时发射极发射电子Ie这个电...
@蔚闵4301：三极管各个电极电平高低关系? -
宁类15190129783…… NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube. 你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态. PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
@蔚闵4301：三极管各电极上的电流分配 -
宁类15190129783…… NPN型三极管为例 IE=IC+IB IE,IC,远大于IB(找不到远大于的符号) IC=βIB 电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化 IB是输入信号,输出信号:有电压放大有电流放大.发射极正偏,发射结的电子向集电极扩散,IB从基区不断拉走电子,基区就形成了少量的空穴.由于基区很薄,空穴浓度很低,所以发射极的电子都能扩散到集电结附近.集电结反偏电子不能向基区扩散,但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC.电流IB是影响IC大小的.
@蔚闵4301：三极管中电流的分配关系,如图,求详解!蟹蟹! -
宁类15190129783…… 空穴电流:空穴本身其实不会移动,但空穴对电子有吸引力.其2113旁边的共价5261键中的电子在获得能量后会挣脱共价键的束缚而被空穴捕捉,该电子的原位就会留下一个空穴,这样的电子(非自由电子)在相邻空4102穴间的运动相当于空穴在反方向运动.1653 本图中,基区为P型半导体,多子为空穴.若如你所说“I(BN)是空穴和自由载流子复合回而形成”,少子自由电子复合完了I(BN)岂不为零了?I(BN)应该是电源V(BB)不停地将基区的少答子自由电子从基极抽走,并通过发射极和发射结不断地补充而形成的电流.
@蔚闵4301：三极管各电极的电流分配关系是?
宁类15190129783…… NPN型三极管为例 Ie=Ic+Ib Ic=βIb
@蔚闵4301：图中三极管 中的电流是怎样变化的 谢谢 -
宁类15190129783…… 电流流向为:BP、C1(给C1充电,右正左负,称为正向充电)、R1、VT1,使VT1获得一定的基极电流而导通,产生集电极电流,加在负载BP上,令集电极电位下降,因C1的电压不能突变,所以VT2基极电位下降, 使VT2开始导通,输出的集电极电流,都成为VT1的基极电流,足以让VT1进入饱和导通状态,此时VT1所产生的基极电流给C1反向充电,令其基极电位逐步抬高,基极电流在减小,VT1集电极电流--VT2基极电流就同步减小,VT2逐退出饱和区,进入放大区,集电极电位抬高,通过C1的作用,加速VT1基极电位的抬高,进而VT1截止,从而又回到起初的位置
@蔚闵4301：三极管中电流关系 -
宁类15190129783…… 理解的是正确的.IB是经偏流电阻至be结形成的. 通常说的电流放大倍数是指ic与ib的比值(交流信号与直流比值有些不同).
@蔚闵4301：写出三极管的电流分配关系表达式 -
宁类15190129783…… 三极管的电流分配关系 : 这里有动态的 flash : http://www.sdlvtc.cn/dqx/article.asp?articleid=14
宁类15190129783…… 下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理b极提供(输入) c提供能量 e输出 常用在模电 还有一个重要的特点,而C点电位高于b点电位几伏时;Ib式中,这就是所谓电流放大作用,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,同时基区做得很薄;△Ib ...
@蔚闵4301：2.三极管内部电流的分配关系是什么?每个电流各有什么特点? -
宁类15190129783…… 你好,三极管能将直流电源的电流按照基极输入电流的要求转换成集电极电流和发射极电流,从这个角度说明三极管是一个电流转换器件.所谓电流放大,就是将直流电源的电流,按照基极输入电流的变化规律转换成集电极电流和发射极电流. 仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢.
@蔚闵4301：在放大状态中三极管各极电流之间有什么关系? - 作业帮
宁类15190129783…… [答案] 三极管有三个电极发射极(e),集电极(c),基极(b)现在讨论他们的关系及原理:以npn为例发射极是n型高参杂浓度高多子是电子基极是p型低参杂多子是空穴集电极是n型当加入直流电压使得发射结正偏集电结反偏时发射极发射电子Ie这个电...
@蔚闵4301：三极管各个电极电平高低关系? -
宁类15190129783…… NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube. 你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态. PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
@蔚闵4301：三极管各电极上的电流分配 -
宁类15190129783…… NPN型三极管为例 IE=IC+IB IE,IC,远大于IB(找不到远大于的符号) IC=βIB 电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化 IB是输入信号,输出信号:有电压放大有电流放大.发射极正偏,发射结的电子向集电极扩散,IB从基区不断拉走电子,基区就形成了少量的空穴.由于基区很薄,空穴浓度很低,所以发射极的电子都能扩散到集电结附近.集电结反偏电子不能向基区扩散,但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC.电流IB是影响IC大小的.
@蔚闵4301：三极管中电流的分配关系,如图,求详解!蟹蟹! -
宁类15190129783…… 空穴电流:空穴本身其实不会移动,但空穴对电子有吸引力.其2113旁边的共价5261键中的电子在获得能量后会挣脱共价键的束缚而被空穴捕捉,该电子的原位就会留下一个空穴,这样的电子(非自由电子)在相邻空4102穴间的运动相当于空穴在反方向运动.1653 本图中,基区为P型半导体,多子为空穴.若如你所说“I(BN)是空穴和自由载流子复合回而形成”,少子自由电子复合完了I(BN)岂不为零了?I(BN)应该是电源V(BB)不停地将基区的少答子自由电子从基极抽走,并通过发射极和发射结不断地补充而形成的电流.
@蔚闵4301：三极管各电极的电流分配关系是?
宁类15190129783…… NPN型三极管为例 Ie=Ic+Ib Ic=βIb
@蔚闵4301：图中三极管 中的电流是怎样变化的 谢谢 -
宁类15190129783…… 电流流向为:BP、C1(给C1充电,右正左负,称为正向充电)、R1、VT1,使VT1获得一定的基极电流而导通,产生集电极电流,加在负载BP上,令集电极电位下降,因C1的电压不能突变,所以VT2基极电位下降, 使VT2开始导通,输出的集电极电流,都成为VT1的基极电流,足以让VT1进入饱和导通状态,此时VT1所产生的基极电流给C1反向充电,令其基极电位逐步抬高,基极电流在减小,VT1集电极电流--VT2基极电流就同步减小,VT2逐退出饱和区,进入放大区,集电极电位抬高,通过C1的作用,加速VT1基极电位的抬高,进而VT1截止,从而又回到起初的位置
@蔚闵4301：三极管中电流关系 -
宁类15190129783…… 理解的是正确的.IB是经偏流电阻至be结形成的. 通常说的电流放大倍数是指ic与ib的比值(交流信号与直流比值有些不同).
@蔚闵4301：写出三极管的电流分配关系表达式 -
宁类15190129783…… 三极管的电流分配关系 : 这里有动态的 flash : http://www.sdlvtc.cn/dqx/article.asp?articleid=14
