三极管ube与uce的关系
@干姜2424：为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V, - 作业帮
长文13964334865…… [答案] Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数...
@干姜2424：三极管中Ube Ie,Ib Ic,Ube Uce的相位关系是什么? -
长文13964334865…… Ube Ie Ib同相,Uce与之反相
@干姜2424：急求三极管三个极之间的电压关系?Ube=0.7?Ubc?Uce? -
长文13964334865…… 如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe).这是对NPN型硅管.
@干姜2424：三极管各个电极电平高低关系? -
长文13964334865…… NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube. 你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态. PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
@干姜2424：基极电压、集电极电压与管压降之间的关系 -
长文13964334865…… 基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降.管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即: Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压. 正常工作时,基极电压Ub比发射极电压...
@干姜2424：ube之间不应该只有0.7v的压差吗?为何说Uce与Ube相等呢? -
长文13964334865…… 因为C极和B极接在一起呀,所以必然有Uce=Ube. 由于正向偏置不高,所以管子没办法进入到饱和区,只能维持在易于受控的放大区.
@干姜2424：三极管输入曲线 -
长文13964334865…… 三极管输入特性曲线就是基极电流Ib与基极发射极电压Ube的关系,与Uce基本无关. Ube大于零时表示有基极电流Ib,Ib放大为Ic,Uce=Ucc-RcIc,Ucc是12V等电源电压,Uce是一个派生参数,当Ib、Ic较大、电阻压降RcIc较大时Uce自然会很小,这就是晶体管饱和,甚至降低到0.1V以下近似等于零. Ube<Uce指的是放大情况,晶体管饱和时Uce很小甚至接近0,从硅三极管输入特性曲线上可以看出,Ube总是在0.7V上下变化,所以Ube<Uce在饱和时就不成立了.
@干姜2424：请教三极管各电极之间的电压关系?我是一个电子业余爱好者,现碰到一
长文13964334865…… 目前使用的基本上都是硅三极管.硅管的Ube=0.7V左右(不同极性的三极管Ube电压正、负极性就不标出了).在放大电路中,Uce>Ube. 一般不会测量Ubc、Ucb,这样测量时会影响三极管的工作点,通常只测Ube、Uce. 你说的那个关系是成立的.三极管可以看作是发射结与集电结的串联,故Uce=Ucb+Ube.因为Ucb=-Ubc,故Uce=-Ubc+Ube,就得到你说的结论了.
@干姜2424：三极管临界饱和与深度饱和问题那么三极管临界饱和时的定义是UBE等于UCE,而三极管导通时UBE等于0.7V,但求临界饱和电流IBS时用的UCES是0.3V,... - 作业帮
长文13964334865…… [答案] 临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件...
@干姜2424：三极管的ube大于uces了是不是就饱和了,那为什么还需要用ib和ibs来判断管子是否饱和呢? -
长文13964334865…… 三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,Ic已经最大,为什么叫饱和呢,就是这个原因,集电结收集发射极扩散到基极的电子能力已经是最大了这里的最大主要是指的是Ie的电流,就是说le是电源针对负载所能提供电流接近于最大了,相当于电源vcc直接...
长文13964334865…… [答案] Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数...
@干姜2424：三极管中Ube Ie,Ib Ic,Ube Uce的相位关系是什么? -
长文13964334865…… Ube Ie Ib同相,Uce与之反相
@干姜2424：急求三极管三个极之间的电压关系?Ube=0.7?Ubc?Uce? -
长文13964334865…… 如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe).这是对NPN型硅管.
@干姜2424：三极管各个电极电平高低关系? -
长文13964334865…… NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube. 你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态. PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
@干姜2424：基极电压、集电极电压与管压降之间的关系 -
长文13964334865…… 基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降.管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即: Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压. 正常工作时,基极电压Ub比发射极电压...
@干姜2424：ube之间不应该只有0.7v的压差吗?为何说Uce与Ube相等呢? -
长文13964334865…… 因为C极和B极接在一起呀,所以必然有Uce=Ube. 由于正向偏置不高,所以管子没办法进入到饱和区,只能维持在易于受控的放大区.
@干姜2424：三极管输入曲线 -
长文13964334865…… 三极管输入特性曲线就是基极电流Ib与基极发射极电压Ube的关系,与Uce基本无关. Ube大于零时表示有基极电流Ib,Ib放大为Ic,Uce=Ucc-RcIc,Ucc是12V等电源电压,Uce是一个派生参数,当Ib、Ic较大、电阻压降RcIc较大时Uce自然会很小,这就是晶体管饱和,甚至降低到0.1V以下近似等于零. Ube<Uce指的是放大情况,晶体管饱和时Uce很小甚至接近0,从硅三极管输入特性曲线上可以看出,Ube总是在0.7V上下变化,所以Ube<Uce在饱和时就不成立了.
@干姜2424：请教三极管各电极之间的电压关系?我是一个电子业余爱好者,现碰到一
长文13964334865…… 目前使用的基本上都是硅三极管.硅管的Ube=0.7V左右(不同极性的三极管Ube电压正、负极性就不标出了).在放大电路中,Uce>Ube. 一般不会测量Ubc、Ucb,这样测量时会影响三极管的工作点,通常只测Ube、Uce. 你说的那个关系是成立的.三极管可以看作是发射结与集电结的串联,故Uce=Ucb+Ube.因为Ucb=-Ubc,故Uce=-Ubc+Ube,就得到你说的结论了.
@干姜2424：三极管临界饱和与深度饱和问题那么三极管临界饱和时的定义是UBE等于UCE,而三极管导通时UBE等于0.7V,但求临界饱和电流IBS时用的UCES是0.3V,... - 作业帮
长文13964334865…… [答案] 临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件...
@干姜2424：三极管的ube大于uces了是不是就饱和了,那为什么还需要用ib和ibs来判断管子是否饱和呢? -
长文13964334865…… 三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,Ic已经最大,为什么叫饱和呢,就是这个原因,集电结收集发射极扩散到基极的电子能力已经是最大了这里的最大主要是指的是Ie的电流,就是说le是电源针对负载所能提供电流接近于最大了,相当于电源vcc直接...
