多发射极晶体管有什么缺点

@嵇萱4473:这个是什么三极管来的?TTL三态门电路里面的 -
海功19139959215…… 这是多发射极晶体管,一般用在多输入端的集成逻辑电路中,那几个发射极作为几个输入端,多发射极晶体管没有分立元件产品.

@嵇萱4473:复合三极管的优点和缺点 -
海功19139959215…… 复合三极管是将两个和更多个晶体管的集电极连在一起,而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极,依次连接而成,最后引出E、B、C三个电极.也叫达林顿管,其放大倍数是两者放大倍数的乘积.一般应用于功率放大器、稳压电源电路中. (1)放大倍数大(可达数百、数千倍); (2)驱动能力强; (3)功率大; (4)开关速度快; (5)可做成功率放大模块; (6)易于集成化. 复合三级管由于内部由多只管子及电阻组成,用万用表测试时,be结的正反向阻值和普通三极管不同.对于高速复合三级管,有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管,这时测出be结正反向电阻阻值很接近;容易误判断为坏管,这个请注意.

@嵇萱4473:晶体管缺点有那些可以说说嘛 -
海功19139959215…… 晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能.晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流. 晶体管主要分为两大类:双极性晶体管和场效应晶体管 晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大)、基极接地(又称共基放大)和集电极接地(又称共集放大)

@嵇萱4473:晶体管有什么缺点?(只是晶体管,不要功放) -
海功19139959215…… 1: 容易非线性失真. 2: 过热后,放大系数下降.

@嵇萱4473:双极性晶体管的结构 -
海功19139959215…… 一个双极性晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成,它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域.这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体,而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体.每一个半导体区域都有...

@嵇萱4473:显卡中晶体管越多越好吗 -
海功19139959215…… 是的..显卡当中..集成晶体管越多越好..说明显示速度越快 你所显示的..应该是显存很高的..在256MB以上

@嵇萱4473:对于NPN晶体管共发射极放大电路,当静态工作点设置过高时,会发生 失真. -
海功19139959215…… 会发生“饱和”失真.

@嵇萱4473:用晶体管做传感器的电路有什么缺点 -
海功19139959215…… 我理解你问题中的“晶体管”应该是指分离元件晶体管.用分离元件的晶体管做传感器电路,具有以下缺点:1,为了确保电路的优良特性,要求许多晶体管具有完全一致或相匹配的参数.分离的晶体管特性参数分散,极难匹配,无法满足这一要求.2,现代传感器电路需要的晶体管数量很多,用分离晶体管几乎难以实现.即使勉强实现了,生产、调试都面临非常大的难度.所以,在今天,大量传感器电路都被集成电路代替.

@嵇萱4473:双极性晶体管的发展应用 -
海功19139959215…… 1947年12月,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·豪泽·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管.1948年,肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管.在其后的大约三十年时间内,这种器件是制造分立元件电...

@嵇萱4473:请教下 多发射集晶体管的原理 急.................. -
海功19139959215…… 就相当于一个普通晶体管,将其发射区分割成N个小的区域,然后分别独立引出,就构成了多发射极晶体管.这个多用于TTL或ECL逻辑芯片的内部实现

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