晶体三极管外部条件
@叶辰3014：晶体三极管具有放大作用的内外条件分别是什么 - 作业帮
鞠连19424841747…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏
@叶辰3014：晶体三极管放大的外部条件是? -
鞠连19424841747…… 晶体三极管放大的前提是:集电结反偏,就是给集电极加反向电压,用电源EC提供.发射结正偏,就是给基极加正向偏置电压,由偏置电路电阻提供.
@叶辰3014：晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
鞠连19424841747…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@叶辰3014：三极管具有放大电路的内部条件和外部条件各是什么 -
鞠连19424841747…… 三极管具有放大电路,要求: 外部条件是:电源、输入信号、输出负载. 内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置. 其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
@叶辰3014：三极管实现放大作用的内部结构条件和外部偏置条件有哪些? - 作业帮
鞠连19424841747…… [答案] 1.基区非常薄,掺杂浓度低;c,e区厚,掺杂浓度高 2.b,e加正向电压,c,e加反向电压;偏置的b,c极电流(Ib,Ic)在放大区要求的范围内.
@叶辰3014：三极管放大的外部条件 -
鞠连19424841747…… 保证be结正偏置,ce结负偏置. be间电压约0.6~0.7V ce间电压约为供电电压的一半左右.
@叶辰3014：119请问 :晶体三极管放大外部条件是什么? -
鞠连19424841747…… 电压放大倍数=输出电压/输入电压; 电流放大倍数=输出电流/输入电流; 静态工作点:断开输入,划出直流等效电路,分别求:ib,ic,uc.其中:ic=ib*蓝幕达.
@叶辰3014：三极管在放大状态的外部条件是什么
鞠连19424841747…… 三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件,即给三极管的发射结加正向电压(习惯称正向偏置或正偏),集电结加反向电压(习惯称反向偏置或反偏).三极管的主要应用分为两个方面.一是工作在饱和与截止状态,用作晶体管开关;二是工作在放大状态,用作放大器.放大区:此时IC=?IB,IC基本不随UCE变化而变化,此时发射结正偏,集电结反偏.放大状态:uB>0,发射结正偏,集电结反偏,iC=βiB.
鞠连19424841747…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏
@叶辰3014：晶体三极管放大的外部条件是? -
鞠连19424841747…… 晶体三极管放大的前提是:集电结反偏,就是给集电极加反向电压,用电源EC提供.发射结正偏,就是给基极加正向偏置电压,由偏置电路电阻提供.
@叶辰3014：晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
鞠连19424841747…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@叶辰3014：三极管具有放大电路的内部条件和外部条件各是什么 -
鞠连19424841747…… 三极管具有放大电路,要求: 外部条件是:电源、输入信号、输出负载. 内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置. 其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
@叶辰3014：三极管实现放大作用的内部结构条件和外部偏置条件有哪些? - 作业帮
鞠连19424841747…… [答案] 1.基区非常薄,掺杂浓度低;c,e区厚,掺杂浓度高 2.b,e加正向电压,c,e加反向电压;偏置的b,c极电流(Ib,Ic)在放大区要求的范围内.
@叶辰3014：三极管放大的外部条件 -
鞠连19424841747…… 保证be结正偏置,ce结负偏置. be间电压约0.6~0.7V ce间电压约为供电电压的一半左右.
@叶辰3014：119请问 :晶体三极管放大外部条件是什么? -
鞠连19424841747…… 电压放大倍数=输出电压/输入电压; 电流放大倍数=输出电流/输入电流; 静态工作点:断开输入,划出直流等效电路,分别求:ib,ic,uc.其中:ic=ib*蓝幕达.
@叶辰3014：三极管在放大状态的外部条件是什么
鞠连19424841747…… 三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件,即给三极管的发射结加正向电压(习惯称正向偏置或正偏),集电结加反向电压(习惯称反向偏置或反偏).三极管的主要应用分为两个方面.一是工作在饱和与截止状态,用作晶体管开关;二是工作在放大状态,用作放大器.放大区:此时IC=?IB,IC基本不随UCE变化而变化,此时发射结正偏,集电结反偏.放大状态:uB>0,发射结正偏,集电结反偏,iC=βiB.
