晶体三极管的三个工作区

@伍廖6923:三极管工作在哪个区是怎么确定的??? -
令言17866907496…… 根据基极和发射极电压大小确定.如果基极和发射极电压小于导通电压为截止区.硅0.7,锗0.2v,如果大于导通电压小于Uceo,就是放大区,大于Uceo就是饱和区.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

@伍廖6923:晶体三极管的内部结构是由哪三个区及哪两个结组成的?按结PN排列顺序的不同,可分为什么型和什么型? -
令言17866907496…… 晶体三极管内部结构的三个区是发射区、基区和集电区,两个结是发射结和集电结;按PN的排列顺序不同可分为PNP型和NPN型.

@伍廖6923:对于三极管三个工作区的理解.看我画的图和问题如下: -
令言17866907496…… 放大区就不用说了,和你的理解一样基本上是线性区,基极电流增加的幅度与集电极电流增加的幅度成比例. 饱和区的理解和你不同:由于集电极电阻的加入使得放大区被限制了动态范围,一旦集电极电流增加太多的话,RC上面的压降接近VCC时三极管就接近饱和区了,因为VCC=VCE+ICRC.对于放大电路而言饱和区的范围决定于集电极电阻RC的大小,的确是是先经过放大区再进入饱和区,要看电路的元件参数配置状态,要看电路设计思路,集电极电阻越大放大器动态范围越小,放大区越窄饱和区越宽.对于开关电路没有放大区的事,要么饱和要么截止. 截止区就是初始电流比较小的时候也叫做死区,决定于基极控制电流有无和电源电压大小.

@伍廖6923:晶体三极管的问题 -
令言17866907496…… 答:1、三极管的三个工作区域是:放大区,条件是发射结正偏、集电结反偏;饱和区,条件是发射结正偏、集电结正偏;截止区,条件是发射结反偏、集电结反偏.书上都是这么说的.实际上,只要发射结零偏,集电结不论,就是工作在截止区了.2、放大电路要设置静态工作点是为了放大正弦信号(含有正负半周期的信号)时不产生失真.

@伍廖6923:三极管怎样通过各级电压判断工作状态 -
令言17866907496…… 晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏.对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7V,Vbc<0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定): 对于NPN型锗管,Vbe≈0.2V,Vbc<0V;对于...

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