晶体三极管+内部条件
@关李6607：晶体三极管具有放大作用的内外条件分别是什么 - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏
@关李6607：三极管具有放大电路的内部条件和外部条件各是什么 -
池侦13918792953…… 三极管具有放大电路,要求: 外部条件是:电源、输入信号、输出负载. 内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置. 其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
@关李6607：晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
池侦13918792953…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@关李6607：放大电路的条件是什么? - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 三极管组成的放大电路,其构成放大的外部条件和内部条件是:一个基本放大电路必须有 输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路.其中,直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点,以保证晶体三极管...
@关李6607：三极管实现放大作用的内部结构条件和外部偏置条件有哪些? - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 1.基区非常薄,掺杂浓度低;c,e区厚,掺杂浓度高 2.b,e加正向电压,c,e加反向电压;偏置的b,c极电流(Ib,Ic)在放大区要求的范围内.
@关李6607：2.三极管的内部放大条件是发射区掺杂浓度()基区足够()集电区面积足够()外部放大条件是发射结()集电结 - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 三极管的内部放大条件是发射区掺杂浓度(高)基区足够(窄)集电区面积足够(大)外部放大条件是发射结(正偏)集电结(反偏)
@关李6607：晶体三极管放大的外部条件是? -
池侦13918792953…… 晶体三极管放大的前提是:集电结反偏,就是给集电极加反向电压,用电源EC提供.发射结正偏,就是给基极加正向偏置电压,由偏置电路电阻提供.
@关李6607：晶体三极管的原理 -
池侦13918792953…… 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路...
池侦13918792953…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏
@关李6607：三极管具有放大电路的内部条件和外部条件各是什么 -
池侦13918792953…… 三极管具有放大电路,要求: 外部条件是:电源、输入信号、输出负载. 内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置. 其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
@关李6607：晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
池侦13918792953…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@关李6607：放大电路的条件是什么? - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 三极管组成的放大电路,其构成放大的外部条件和内部条件是:一个基本放大电路必须有 输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路.其中,直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点,以保证晶体三极管...
@关李6607：三极管实现放大作用的内部结构条件和外部偏置条件有哪些? - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 1.基区非常薄,掺杂浓度低;c,e区厚,掺杂浓度高 2.b,e加正向电压,c,e加反向电压;偏置的b,c极电流(Ib,Ic)在放大区要求的范围内.
@关李6607：2.三极管的内部放大条件是发射区掺杂浓度()基区足够()集电区面积足够()外部放大条件是发射结()集电结 - 作业帮
池侦13918792953…… [答案] 三极管的内部放大条件是发射区掺杂浓度(高)基区足够(窄)集电区面积足够(大)外部放大条件是发射结(正偏)集电结(反偏)
@关李6607：晶体三极管放大的外部条件是? -
池侦13918792953…… 晶体三极管放大的前提是:集电结反偏,就是给集电极加反向电压,用电源EC提供.发射结正偏,就是给基极加正向偏置电压,由偏置电路电阻提供.
@关李6607：晶体三极管的原理 -
池侦13918792953…… 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路...
