晶体管处于放大状态的条件
@谢砖4474:晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
里裴19131319768…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@谢砖4474:晶体管放大状态的特点 -
里裴19131319768…… 晶体管各极的电压:NPN管Vc>Vb>Ve时或PNP管Vc<Vb<Ve时,晶体管就处于放大状态; 晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.
@谢砖4474:怎么判断晶体管能否工作在放大状?怎么判断晶体管能否工作在放大状态
里裴19131319768…… 这个工厂生产时会有说明,能否工作到放大状态 判断方法 1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲:基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电压.拿集电极装有直流负载电阻的NPN管来讲:如果集电极电压与电源电压相等时,为截止状态.集电极电压假如与发射极相等时,为饱和状态.小于电源电压而大于发射极电压,为放大状态.
里裴19131319768…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@谢砖4474:晶体管放大状态的特点 -
里裴19131319768…… 晶体管各极的电压:NPN管Vc>Vb>Ve时或PNP管Vc<Vb<Ve时,晶体管就处于放大状态; 晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.
@谢砖4474:怎么判断晶体管能否工作在放大状?怎么判断晶体管能否工作在放大状态
里裴19131319768…… 这个工厂生产时会有说明,能否工作到放大状态 判断方法 1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲:基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电压.拿集电极装有直流负载电阻的NPN管来讲:如果集电极电压与电源电压相等时,为截止状态.集电极电压假如与发射极相等时,为饱和状态.小于电源电压而大于发射极电压,为放大状态.