晶体管饱和状态条件

@五喻637:晶体管饱和状态 - 搜狗百科
乌杭15838698008…… 与NPN管子恰好相反,即集电极电位 > 基极电位、发射极电位 > 基极电位

@五喻637:晶体管处于放大饱和截止倒置的条件什么 -
乌杭15838698008…… 饱和状态的条件是,发射结正向偏置,集电结也正向偏置. 截止状态的条件是,发射结反向偏置,集电结也反向偏置.

@五喻637:判断npn型共发射级电路的晶体三极管是否进入饱和区的条件是什么 - 作业帮
乌杭15838698008…… [答案] 可以用晶体管的三个极之间的电位关系来判断:在共发射极接法时,NPN管的Vb>Vc>Ve时,晶体管就处于饱和工作状态.

@五喻637:晶体管为什么饱和? -
乌杭15838698008…… 你说的最后一条是对.因为放大的信号是靠Vcc来提供能量的,直流通路中,RC是负载电阻,因此Vcc能提供的最大电流为Im=Vcc/Rc(假设没有发射极电阻).也就是说当Ib>Im/β以后,Ic是不可能再增大了.饱和时候的特点就是所有电压都落在Rc(或者Rc和Re)上,Vce上电压很小. “基极电压大于集电极电压就饱和”是这样的. Vb>Vc表示Vbe>Vce,而导通时,Vbe<0.7V,这就说明Vce非常小.Vce非常小,就回到了上面说的结论,所有电压都落在Rc(或者Rc和Re)上,就是说晶体管处于饱和状态

@五喻637:什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点? -
乌杭15838698008…… 发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V),.特点1:Vce很小约0.3V(Vce(sat)=-Vbc+Vbc=-0.4+0.7=0.3V),因此相当于C,E极间短路或电阻很小.2:Vce很小变化就使Ice急剧改变3:Ib与Ic在临界时仍可用Ic=βIb,但进入饱和Ic

@五喻637:基极电流达到多少时三极管饱和?比如9013、9012之类的. -
乌杭15838698008…… 这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的: 假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和. 对于...

@五喻637:什么是饱和状态? -
乌杭15838698008…… 一. 在电子科学技术中,饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱...

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