电力晶体管的特点
@都殃6559：电力晶体管 - 搜狗百科
臧详18132251425…… 1;电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大
@都殃6559：电力晶体管的特点
臧详18132251425…… 大电压 大电流 大功率
@都殃6559：名词解释: 1.电力晶体管的关断时间? -
臧详18132251425…… 交流固态继电器输出采用单向可控硅反并联、双向可控硅、双场效应管反向串联,单向和双向可控硅是零电流关断,也就是交流电的半个周期,比如50Hz是10ms,场效应管的关断时间和电路形式及器件本身特性有关.直流固态继电器采用场效应管输出、三极管输出,不会有可控硅输出,其关断时间和电路形式及器件本身特性有关.
@都殃6559：电力半导体器件IGBT有哪些特点 -
臧详18132251425…… IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物. 它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G). 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A. 由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz. IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点.
@都殃6559：与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力? -
臧详18132251425…… 答: 第一点:电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流. 第二点:电力通常需要高压大电流的mosfet,信息电子电路相比电力,电压和电流都小很多,mosfet的耐压和电流自然小些. 第...
@都殃6559：电力晶体管是干什么用的 -
臧详18132251425…… 电力晶体管按英文Giant Transistor--GTR,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor-BJT),所以有时也称为Power BJT;但其驱动电路复杂,驱动功率大;GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的.由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短,在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛.
@都殃6559：电力场效应管的场效应管 -
臧详18132251425…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),简称电力mosfet(power mosfet) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(static induction transistor——sit). ...
@都殃6559：晶体管的特性是什么?
臧详18132251425…… 晶体管的电流放大系数与工作频率有关.若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用. 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振...
臧详18132251425…… 1;电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大
@都殃6559：电力晶体管的特点
臧详18132251425…… 大电压 大电流 大功率
@都殃6559：名词解释: 1.电力晶体管的关断时间? -
臧详18132251425…… 交流固态继电器输出采用单向可控硅反并联、双向可控硅、双场效应管反向串联,单向和双向可控硅是零电流关断,也就是交流电的半个周期,比如50Hz是10ms,场效应管的关断时间和电路形式及器件本身特性有关.直流固态继电器采用场效应管输出、三极管输出,不会有可控硅输出,其关断时间和电路形式及器件本身特性有关.
@都殃6559：电力半导体器件IGBT有哪些特点 -
臧详18132251425…… IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物. 它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G). 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A. 由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz. IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点.
@都殃6559：与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电压和大电流的能力? -
臧详18132251425…… 答: 第一点:电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流. 第二点:电力通常需要高压大电流的mosfet,信息电子电路相比电力,电压和电流都小很多,mosfet的耐压和电流自然小些. 第...
@都殃6559：电力晶体管是干什么用的 -
臧详18132251425…… 电力晶体管按英文Giant Transistor--GTR,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor-BJT),所以有时也称为Power BJT;但其驱动电路复杂,驱动功率大;GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的.由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短,在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛.
@都殃6559：电力场效应管的场效应管 -
臧详18132251425…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),简称电力mosfet(power mosfet) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(static induction transistor——sit). ...
@都殃6559：晶体管的特性是什么?
臧详18132251425…… 晶体管的电流放大系数与工作频率有关.若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用. 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振...
