离子注入机离子源
@涂刻3234：离子注入的源如何选择? -
水施17762191692…… 哎~~比如三氢化砷,三氢化磷,三氟化硼等等...都是气态但是还有固态Sb用来做N型搀杂,AS和红磷都是固态源但是这些固态的离子源都是要变成蒸气才进行植入的.关于使用方面,大概是这样的:1:P 扩散,离子植入,磊晶成长和多晶矽...
@涂刻3234：什么是离子注入?什么是离子注入机? -
水施17762191692…… 当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离...
@涂刻3234：质谱离子源的作用是什么? - 作业帮
水施17762191692…… [答案] 离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置.它是 一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入...
@涂刻3234：什么叫考夫曼离子源 -
水施17762191692…… 1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别:霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成;而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成. 2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别:霍尔离子源为阳极电压的65%~70%;考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差. 3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别: 霍尔离子源的特点:低能大束流,能流密度较大,发射角也较大,适合较大面积的生产使用,使用成本低,适合大规模生产使用; 考夫曼离子源的特点:高能低束流,能流密度较低,出射角度较小,适合于镀制较小面积的光学器件,使用成本高.
@涂刻3234：液质连用中的离子源全扫描图是什么意思 -
水施17762191692…… 离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置.它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件.
@涂刻3234：离子源的离子源的应用 - 离子束 -
水施17762191692…… ion beam 以近似一致的速度沿几乎同一方向运动的一群离子. 离子源是用以获得离子束的装置.我们知道,在各类离子源中,用得最多的是等离子体离子源,即用电场将离子从一团等离子体中引出来.这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定.属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等.另一类使用较多的离子源是电子碰撞型离子源,主要用于各种质谱仪器中.此外,离子源还有表面电离源、光致电离离子源、液态金属离子源等类型.
@涂刻3234：晶元经过离子注入后会发生什么变化 -
水施17762191692…… 离子注入机原理: 离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位.离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流...
@涂刻3234：离子源的离子源的类型 -
水施17762191692…… 利用稀薄气体中的高频放电现象使气体电离,一般用来产生低电荷态正离子,有时也从中引出负离子,作为负离子源使用. 在高频电场中,自由电子与气体中的原子(或分子)碰撞,并使之电离.带电粒子倍增的结果,形成无极放电,产生大量...
@涂刻3234：离子注入源磁铁和分析磁体有什么区别 -
水施17762191692…… 离子掺杂应该就是通过离子注入工艺来实现的包括施主杂质或受主杂质的掺杂,掺杂方式还有扩散掺杂,不过精确度不高而且掺杂时间过长,大部分的半导体或面板等行业都是离子注入方式. 离子注入的优点有1.纯度高:离子是通过磁分析器选出来的;
水施17762191692…… 哎~~比如三氢化砷,三氢化磷,三氟化硼等等...都是气态但是还有固态Sb用来做N型搀杂,AS和红磷都是固态源但是这些固态的离子源都是要变成蒸气才进行植入的.关于使用方面,大概是这样的:1:P 扩散,离子植入,磊晶成长和多晶矽...
@涂刻3234：什么是离子注入?什么是离子注入机? -
水施17762191692…… 当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离...
@涂刻3234：质谱离子源的作用是什么? - 作业帮
水施17762191692…… [答案] 离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置.它是 一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入...
@涂刻3234：什么叫考夫曼离子源 -
水施17762191692…… 1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别:霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成;而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成. 2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别:霍尔离子源为阳极电压的65%~70%;考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差. 3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别: 霍尔离子源的特点:低能大束流,能流密度较大,发射角也较大,适合较大面积的生产使用,使用成本低,适合大规模生产使用; 考夫曼离子源的特点:高能低束流,能流密度较低,出射角度较小,适合于镀制较小面积的光学器件,使用成本高.
@涂刻3234：液质连用中的离子源全扫描图是什么意思 -
水施17762191692…… 离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置.它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件.
@涂刻3234：离子源的离子源的应用 - 离子束 -
水施17762191692…… ion beam 以近似一致的速度沿几乎同一方向运动的一群离子. 离子源是用以获得离子束的装置.我们知道,在各类离子源中,用得最多的是等离子体离子源,即用电场将离子从一团等离子体中引出来.这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定.属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等.另一类使用较多的离子源是电子碰撞型离子源,主要用于各种质谱仪器中.此外,离子源还有表面电离源、光致电离离子源、液态金属离子源等类型.
@涂刻3234：晶元经过离子注入后会发生什么变化 -
水施17762191692…… 离子注入机原理: 离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位.离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流...
@涂刻3234：离子源的离子源的类型 -
水施17762191692…… 利用稀薄气体中的高频放电现象使气体电离,一般用来产生低电荷态正离子,有时也从中引出负离子,作为负离子源使用. 在高频电场中,自由电子与气体中的原子(或分子)碰撞,并使之电离.带电粒子倍增的结果,形成无极放电,产生大量...
@涂刻3234：离子注入源磁铁和分析磁体有什么区别 -
水施17762191692…… 离子掺杂应该就是通过离子注入工艺来实现的包括施主杂质或受主杂质的掺杂,掺杂方式还有扩散掺杂,不过精确度不高而且掺杂时间过长,大部分的半导体或面板等行业都是离子注入方式. 离子注入的优点有1.纯度高:离子是通过磁分析器选出来的;
