请简述pn结的形成
@程婷2245：简述PN结形成 -
甫鹏15948224279…… 在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的.N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半...
@程婷2245：简述PN结的形成.谁有准确一点的答案啊,既要答到关键点又要简短 -
甫鹏15948224279…… 通过掺杂工艺,把本征半导体一半做成P型半导体,另一半做成N型半导体,则P型和N型的交界面处会形成一个有特殊物理性质的薄层,也就是PN结.
@程婷2245：说明PN结形成的原理 - 作业帮
甫鹏15948224279…… [答案] 一般说明. P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂...
@程婷2245：简述PN结形成的原理. -
甫鹏15948224279…… 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体(掺杂三阶元素,空位较多)与N型半导体(掺杂五阶元素,自由电子较多)制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,价电子因为扩散作用,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结
@程婷2245：PN结的形成过程是怎样的?
甫鹏15948224279…… PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结.
@程婷2245：PN结的形成原因是什么?
甫鹏15948224279…… PN结PN结的形成PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面
@程婷2245：PN结的形成详解
甫鹏15948224279…… 一般有合金型的PN结,比如锗晶体管3AX31,就是利用铟和镓在锗晶体上通过烧结形成合金的PN结. 硅的PN结是平面工艺,就是通过掩模和印刷的工艺,蒸发、扩散、烧结,使铝的原子进入硅晶体,形成PN结.集成电路也是这样生产,就是CPU都是几千万个PN结烧结在一个几平方毫米的晶片上面的.
甫鹏15948224279…… 在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的.N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半...
@程婷2245：简述PN结的形成.谁有准确一点的答案啊,既要答到关键点又要简短 -
甫鹏15948224279…… 通过掺杂工艺,把本征半导体一半做成P型半导体,另一半做成N型半导体,则P型和N型的交界面处会形成一个有特殊物理性质的薄层,也就是PN结.
@程婷2245：说明PN结形成的原理 - 作业帮
甫鹏15948224279…… [答案] 一般说明. P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂...
@程婷2245：简述PN结形成的原理. -
甫鹏15948224279…… 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体(掺杂三阶元素,空位较多)与N型半导体(掺杂五阶元素,自由电子较多)制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,价电子因为扩散作用,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结
@程婷2245：PN结的形成过程是怎样的?
甫鹏15948224279…… PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结.
@程婷2245：PN结的形成原因是什么?
甫鹏15948224279…… PN结PN结的形成PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面
@程婷2245：PN结的形成详解
甫鹏15948224279…… 一般有合金型的PN结,比如锗晶体管3AX31,就是利用铟和镓在锗晶体上通过烧结形成合金的PN结. 硅的PN结是平面工艺,就是通过掩模和印刷的工艺,蒸发、扩散、烧结,使铝的原子进入硅晶体,形成PN结.集成电路也是这样生产,就是CPU都是几千万个PN结烧结在一个几平方毫米的晶片上面的.
