门极可关断晶闸管电气符号
@扶育5669：晶闸管的电气符号 -
惠福18226893678…… 闸晶管的类别较多,现将国标《DLT 5028.3-2015 电力工程制图标准 第3部分:电气、仪表与控制部分》中,有关闸晶管的图形符号表格复制如下,供选用:
@扶育5669：什么是晶闸管?? -
惠福18226893678…… 什么是晶闸管及其分类 晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称,谷称可控硅,它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示).晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压...
@扶育5669：电力电子器件 - 请详细回答电力电子器件都有哪些?它们的符号是什么?它们的导通条件?
惠福18226893678…… 最新的应该是IGCT 另外MOSFET IGBT都算是比较新的 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如...
@扶育5669：可控硅和可控硅模块 -
惠福18226893678…… 可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司. 可控硅工作原理:可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等.可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点.它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件.
@扶育5669：晶闸管的原理及特性? -
惠福18226893678…… 晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等.它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示). ...
@扶育5669：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? -
惠福18226893678…… GTO能够自关断,而普通晶闸管不能的原因: 尽管GTO与普通单向晶闸管的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同. 这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和状态.所以...
@扶育5669：晶闸管的特殊的晶闸管 -
惠福18226893678…… 从外表上看,双向晶闸管和普通晶闸管很相似,也有三个电极.但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2.它的符号也和普通晶闸管不同,是把两个晶闸管反接在一起画成...
@扶育5669：怎么用晶闸管做个开关电路 -
惠福18226893678…… 如图所示.E为门极关断电源.当导通触发信号加至半导体三极管VT的基极时,VT导通,经电容C触发可关断晶闸管VS2便其导通.与此同时,电源E通过R1给C充电.当关断正脉冲信号到来时,触发晶同管VS1导通,电容C经R2、VS1、VS2(K-G)放电.由于电容C两端电压不能突变,所以给可关断晶闸管控制极(门极)加上一个负向脉冲,使VS2关断.
@扶育5669：GTO,BJT,Power - MOSFET,IGBT,MCT,IGCT英文拼写 -
惠福18226893678…… GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)门极可关断晶闸管 BJT(Bipolar Junction Transistor )双极结型三极管 Power-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应管 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管 IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)集成门极换流晶闸管 MCT看参考资料,有很多解释 百度百科里都有
@扶育5669：晶闸管(可控硅)为什么老是容易击穿(短路)? -
惠福18226893678…… 晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称,谷称可控硅,它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示). 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其...
惠福18226893678…… 闸晶管的类别较多,现将国标《DLT 5028.3-2015 电力工程制图标准 第3部分:电气、仪表与控制部分》中,有关闸晶管的图形符号表格复制如下,供选用:
@扶育5669：什么是晶闸管?? -
惠福18226893678…… 什么是晶闸管及其分类 晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称,谷称可控硅,它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示).晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压...
@扶育5669：电力电子器件 - 请详细回答电力电子器件都有哪些?它们的符号是什么?它们的导通条件?
惠福18226893678…… 最新的应该是IGCT 另外MOSFET IGBT都算是比较新的 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如...
@扶育5669：可控硅和可控硅模块 -
惠福18226893678…… 可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司. 可控硅工作原理:可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等.可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点.它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件.
@扶育5669：晶闸管的原理及特性? -
惠福18226893678…… 晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等.它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示). ...
@扶育5669：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? -
惠福18226893678…… GTO能够自关断,而普通晶闸管不能的原因: 尽管GTO与普通单向晶闸管的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同. 这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和状态.所以...
@扶育5669：晶闸管的特殊的晶闸管 -
惠福18226893678…… 从外表上看,双向晶闸管和普通晶闸管很相似,也有三个电极.但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2.它的符号也和普通晶闸管不同,是把两个晶闸管反接在一起画成...
@扶育5669：怎么用晶闸管做个开关电路 -
惠福18226893678…… 如图所示.E为门极关断电源.当导通触发信号加至半导体三极管VT的基极时,VT导通,经电容C触发可关断晶闸管VS2便其导通.与此同时,电源E通过R1给C充电.当关断正脉冲信号到来时,触发晶同管VS1导通,电容C经R2、VS1、VS2(K-G)放电.由于电容C两端电压不能突变,所以给可关断晶闸管控制极(门极)加上一个负向脉冲,使VS2关断.
@扶育5669：GTO,BJT,Power - MOSFET,IGBT,MCT,IGCT英文拼写 -
惠福18226893678…… GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)门极可关断晶闸管 BJT(Bipolar Junction Transistor )双极结型三极管 Power-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)金属氧化物半导体场效应管 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管 IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)集成门极换流晶闸管 MCT看参考资料,有很多解释 百度百科里都有
@扶育5669：晶闸管(可控硅)为什么老是容易击穿(短路)? -
惠福18226893678…… 晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称,谷称可控硅,它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示). 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其...
