集电结反偏为什么有电流
@家维5914：二极管反向偏置会截止为何三极管集电极反向偏置却有电流 -
家史19550617411…… 从三极管结构来讲:在正向的Vbe电场作用下,发射极的电子注入基区,再扩散到集电结边缘.三极管未饱和时,集电结反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极.可是当电流Ib逐渐增加,Ic也增加,扩散到集电结边缘的电子越来越多,电子...
@家维5914：跪求大神三极管集电结反偏发射结正偏,集电结怎么会有电流看了很多资料还是不明白, -
家史19550617411…… 1、核心就是基区很薄.发射结正偏后,发射区的载流子大量到达基区,基区很薄放不下那么多载流子,而集电区一看基区有这么多载流子,还认为是自己区域内扩散过来的,因此利用自己的反偏电压,强行将基区这么多载流子拉回自己的区域,因此相当于集电极电流怎么流向了发射极! 2、是经过基极流向发射极的! 3、基极电流不能流向集极吗,电流就是从正流向负的! 答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!!
@家维5914：PN节反偏时不导通,为何三极管集电区反偏时会有电流?
家史19550617411…… 反偏集电结的势垒区中存在强的电场,只要有载流子到达势垒区边缘,就会被电场扫过势垒区,而形成输出电流. 虽然反偏的集电结本身并不导电(只是很小的反向电流),但是当有从发射结扩散过来的少数载流子、一到达集电结势垒区边缘时,即被电场扫过势垒区,所以有集电极电流输出. 就是集电结上未加反向电压,集电结中的电场也可以扫过来到势垒区边缘的少数载流子.
@家维5914：三极管放大电路反向偏置为什么ic电流能流过 -
家史19550617411…… 三极管工作在放大区时,发射结正偏,集电结反偏. 小 Ib 控制 大 Ic 与三极管结构有关.用NPN为例,发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄.集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽. 如此结构,在基极流过...
@家维5914：三极管在放大工作下不是说 集电结反偏吗?反向不就截至了吗?怎么还有电流留过这个电流是是直流电源给的 -
家史19550617411…… 这就是关导体三极管的神迷处,就因它是反偏不可随意导通这才可由基极小电流控制着它这导通的大电流做好事的.这是有关半导体的扩散理论.只有共射电路才是从集电极输出,共集电路人可就是从发射极输出的哟.
@家维5914：三极管到底是怎样实现放大电流的? -
家史19550617411…… 三极管导通是“发射结正偏,集电结反偏”,就是说集电结是处于击穿状态的,所以集电极是有电流的.放大状态时,集电极电流是基极电流的β倍.可以这样理解,电子被电场力从发射极拉到基极,由于集电结反偏,电子很容易通过,就有大量电子直接到了集电极.
@家维5914：在三极管中,什么叫集电极反向电流I(CBO), 能帮我推倒一下 I(ceo)=(1+β)I(CBO) -
家史19550617411…… 集电结反偏,有少子形成的反向电流I(CBO)叫集电极反向电流. 因为β=I(ce)/I(BE)=(Ic-Icbo)/(Ib-Icbo) 所以Ic=βIb+(1+β)Icbo因为 I(ceo)=(1+β)I(CBO)(这个是定义的)
@家维5914：集电极反向饱和电流是什么? -
家史19550617411…… 三极管发射极开路,集电结反向偏置(Uc>Ub),这时,流过集电结的电流是少子的反向电流,称为反向饱和电流.实质上,就是PN结的反向饱和电流.
@家维5914：三极管 模电 为什么基极开路 集电极回路会有穿透电流? -
家史19550617411…… 虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料. 半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常. 从 集电区 向 基区 出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向发射极了. 这一流动,就形成了一个Ib.这个Ib,就引出了一个贝塔倍的Ic; 这个Ib和Ic之和,就是穿透电流Iceo,等于(1+贝塔)Icbo.
@家维5914：NPN的三极管的集电节,发射区正偏过去的电子,怎么会被集电结吸收,对于集电结来说是反偏啊! -
家史19550617411…… 因为基区做的很薄,被发射结正偏过来的大量电子,基区吸收不完,就达到集电结边上,又被集电结上的高电压吸到了集电区型成集电集电流.你可能有点不理解,集电结上加的可是反向偏压,电子应当过不去.如果你不看集电结,只看集电极与基极加的电压方向,不正好是电子的流动方向吗,而且电压又很高,大量的电子不就飞越穿过集电区了.就是因为集电结的反偏他才会受到基区的控制,而不会直通才有了放大能力.
家史19550617411…… 从三极管结构来讲:在正向的Vbe电场作用下,发射极的电子注入基区,再扩散到集电结边缘.三极管未饱和时,集电结反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极.可是当电流Ib逐渐增加,Ic也增加,扩散到集电结边缘的电子越来越多,电子...
@家维5914：跪求大神三极管集电结反偏发射结正偏,集电结怎么会有电流看了很多资料还是不明白, -
家史19550617411…… 1、核心就是基区很薄.发射结正偏后,发射区的载流子大量到达基区,基区很薄放不下那么多载流子,而集电区一看基区有这么多载流子,还认为是自己区域内扩散过来的,因此利用自己的反偏电压,强行将基区这么多载流子拉回自己的区域,因此相当于集电极电流怎么流向了发射极! 2、是经过基极流向发射极的! 3、基极电流不能流向集极吗,电流就是从正流向负的! 答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!!
@家维5914：PN节反偏时不导通,为何三极管集电区反偏时会有电流?
家史19550617411…… 反偏集电结的势垒区中存在强的电场,只要有载流子到达势垒区边缘,就会被电场扫过势垒区,而形成输出电流. 虽然反偏的集电结本身并不导电(只是很小的反向电流),但是当有从发射结扩散过来的少数载流子、一到达集电结势垒区边缘时,即被电场扫过势垒区,所以有集电极电流输出. 就是集电结上未加反向电压,集电结中的电场也可以扫过来到势垒区边缘的少数载流子.
@家维5914：三极管放大电路反向偏置为什么ic电流能流过 -
家史19550617411…… 三极管工作在放大区时,发射结正偏,集电结反偏. 小 Ib 控制 大 Ic 与三极管结构有关.用NPN为例,发射极N区参入杂质较多,有较多的电子载流子,体积小,耗尽区窄.集电极N区杂质较少,但是体积大,耗尽区宽. 如此结构,在基极流过...
@家维5914：三极管在放大工作下不是说 集电结反偏吗?反向不就截至了吗?怎么还有电流留过这个电流是是直流电源给的 -
家史19550617411…… 这就是关导体三极管的神迷处,就因它是反偏不可随意导通这才可由基极小电流控制着它这导通的大电流做好事的.这是有关半导体的扩散理论.只有共射电路才是从集电极输出,共集电路人可就是从发射极输出的哟.
@家维5914：三极管到底是怎样实现放大电流的? -
家史19550617411…… 三极管导通是“发射结正偏,集电结反偏”,就是说集电结是处于击穿状态的,所以集电极是有电流的.放大状态时,集电极电流是基极电流的β倍.可以这样理解,电子被电场力从发射极拉到基极,由于集电结反偏,电子很容易通过,就有大量电子直接到了集电极.
@家维5914：在三极管中,什么叫集电极反向电流I(CBO), 能帮我推倒一下 I(ceo)=(1+β)I(CBO) -
家史19550617411…… 集电结反偏,有少子形成的反向电流I(CBO)叫集电极反向电流. 因为β=I(ce)/I(BE)=(Ic-Icbo)/(Ib-Icbo) 所以Ic=βIb+(1+β)Icbo因为 I(ceo)=(1+β)I(CBO)(这个是定义的)
@家维5914：集电极反向饱和电流是什么? -
家史19550617411…… 三极管发射极开路,集电结反向偏置(Uc>Ub),这时,流过集电结的电流是少子的反向电流,称为反向饱和电流.实质上,就是PN结的反向饱和电流.
@家维5914：三极管 模电 为什么基极开路 集电极回路会有穿透电流? -
家史19550617411…… 虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料. 半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常. 从 集电区 向 基区 出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向发射极了. 这一流动,就形成了一个Ib.这个Ib,就引出了一个贝塔倍的Ic; 这个Ib和Ic之和,就是穿透电流Iceo,等于(1+贝塔)Icbo.
@家维5914：NPN的三极管的集电节,发射区正偏过去的电子,怎么会被集电结吸收,对于集电结来说是反偏啊! -
家史19550617411…… 因为基区做的很薄,被发射结正偏过来的大量电子,基区吸收不完,就达到集电结边上,又被集电结上的高电压吸到了集电区型成集电集电流.你可能有点不理解,集电结上加的可是反向偏压,电子应当过不去.如果你不看集电结,只看集电极与基极加的电压方向,不正好是电子的流动方向吗,而且电压又很高,大量的电子不就飞越穿过集电区了.就是因为集电结的反偏他才会受到基区的控制,而不会直通才有了放大能力.
