霍尔离子源参数
@叔鲍3277：霍尔离子源和考夫曼离子源的区别 -
长别13565538939…… 1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别:霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成;而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成. 2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别:霍尔离子源为阳极电压的65%~70%;考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差. 3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别: 霍尔离子源的特点:低能大束流,能流密度较大,发射角也较大,适合较大面积的生产使用,使用成本低,适合大规模生产使用; 考夫曼离子源的特点:高能低束流,能流密度较低,出射角度较小,适合于镀制较小面积的光学器件,使用成本高.
@叔鲍3277：什么叫考夫曼离子源 -
长别13565538939…… 1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别:霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成;而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成. 2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别:霍尔离子源为阳极电压的65%~70%;考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差. 3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别: 霍尔离子源的特点:低能大束流,能流密度较大,发射角也较大,适合较大面积的生产使用,使用成本低,适合大规模生产使用; 考夫曼离子源的特点:高能低束流,能流密度较低,出射角度较小,适合于镀制较小面积的光学器件,使用成本高.
@叔鲍3277：请高手指点光学真空镀膜中霍尔离子源的问题 -
长别13565538939…… 找厂家或者找专业工艺和维修公司. 我们是提供技术服务和支持的公司.
@叔鲍3277：霍尔系数和霍尔灵敏度的物理意义是什么? -
长别13565538939…… 霍尔系数的物理意义:表征霍尔常数,霍尔灵敏度的物理意义:表示霍尔效应的强弱. 霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比,它通常可以表征霍尔常数. 在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成...
@叔鲍3277：霍尔系数一般为多少米的三次方每库仑, -
长别13565538939…… 霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电势,其大小可表示为: UH=RH/d*IC*B (1) 式中,RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑,由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度. 设RH/d=K,则式(1)可写为: UH=K*IC*B (2) 可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度.K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大.
@叔鲍3277：您好,请问充氩气的霍尔离子源在清洗工件时会不会产生辉光放电,还有能不能边清洗边镀膜呢? -
长别13565538939…… 你好,可以的,这个要看离子源性能,有些边开边镀膜会打火,现在的都先进了,老款的就不好说了,开离子源的时候会放电,主要起到增加粒子速度加速沉积.起到增加附着力的作用.
@叔鲍3277：离子源的分类有哪些,请大家赐教
长别13565538939…… 离子源是离子束溅射(IBS)和离子束加工(IBF)设备的关键部件.R&R公司的宽离子束源目前主要有Kaufman离子源、微波ECR离子源和RF离子源.其工作原理是利用...
@叔鲍3277：霍尔离子推进器 加速的什么离子 -
长别13565538939…… 离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置.它是一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件.
@叔鲍3277：电动车电机里的霍尔传感器是什么型号 -
长别13565538939…… 霍尔 是一样的~~ 但是他在 装线包 的时候可以 把 霍尔反正 装 里面中间霍尔 朝上有字 术语就是60度 表面没字就是120度的~~呢要是要的话看你拆下来那个 那个好装上就可以~~ 记住手上不要有汗 霍尔 级怕静电容易击穿
@叔鲍3277：怎样用霍尔效应判断半导体种类 -
长别13565538939…… 霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段.还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大.用霍尔效应...
长别13565538939…… 1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别:霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成;而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成. 2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别:霍尔离子源为阳极电压的65%~70%;考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差. 3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别: 霍尔离子源的特点:低能大束流,能流密度较大,发射角也较大,适合较大面积的生产使用,使用成本低,适合大规模生产使用; 考夫曼离子源的特点:高能低束流,能流密度较低,出射角度较小,适合于镀制较小面积的光学器件,使用成本高.
@叔鲍3277：什么叫考夫曼离子源 -
长别13565538939…… 1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别:霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成;而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成. 2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别:霍尔离子源为阳极电压的65%~70%;考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差. 3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别: 霍尔离子源的特点:低能大束流,能流密度较大,发射角也较大,适合较大面积的生产使用,使用成本低,适合大规模生产使用; 考夫曼离子源的特点:高能低束流,能流密度较低,出射角度较小,适合于镀制较小面积的光学器件,使用成本高.
@叔鲍3277：请高手指点光学真空镀膜中霍尔离子源的问题 -
长别13565538939…… 找厂家或者找专业工艺和维修公司. 我们是提供技术服务和支持的公司.
@叔鲍3277：霍尔系数和霍尔灵敏度的物理意义是什么? -
长别13565538939…… 霍尔系数的物理意义:表征霍尔常数,霍尔灵敏度的物理意义:表示霍尔效应的强弱. 霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比,它通常可以表征霍尔常数. 在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成...
@叔鲍3277：霍尔系数一般为多少米的三次方每库仑, -
长别13565538939…… 霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电势,其大小可表示为: UH=RH/d*IC*B (1) 式中,RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑,由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度. 设RH/d=K,则式(1)可写为: UH=K*IC*B (2) 可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度.K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大.
@叔鲍3277：您好,请问充氩气的霍尔离子源在清洗工件时会不会产生辉光放电,还有能不能边清洗边镀膜呢? -
长别13565538939…… 你好,可以的,这个要看离子源性能,有些边开边镀膜会打火,现在的都先进了,老款的就不好说了,开离子源的时候会放电,主要起到增加粒子速度加速沉积.起到增加附着力的作用.
@叔鲍3277：离子源的分类有哪些,请大家赐教
长别13565538939…… 离子源是离子束溅射(IBS)和离子束加工(IBF)设备的关键部件.R&R公司的宽离子束源目前主要有Kaufman离子源、微波ECR离子源和RF离子源.其工作原理是利用...
@叔鲍3277：霍尔离子推进器 加速的什么离子 -
长别13565538939…… 离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置.它是一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件.
@叔鲍3277：电动车电机里的霍尔传感器是什么型号 -
长别13565538939…… 霍尔 是一样的~~ 但是他在 装线包 的时候可以 把 霍尔反正 装 里面中间霍尔 朝上有字 术语就是60度 表面没字就是120度的~~呢要是要的话看你拆下来那个 那个好装上就可以~~ 记住手上不要有汗 霍尔 级怕静电容易击穿
@叔鲍3277：怎样用霍尔效应判断半导体种类 -
长别13565538939…… 霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段.还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大.用霍尔效应...
