10纳米euv光刻机突破

@桑江3921:我国的纳米技术研究能力已跻身于世界的前列,例如曾作为我国两年前十大科技成果之一的就是合成一种一维纳 -
权委15363936014…… 题目里说了Rn+ 就是说R显正价,所以N显负价,N的负价只有-3

@桑江3921:中国纳米技术的研究能力已跻身于世界的前列.例如曾作为我国十大科技成果之一的就是合成一种 - 维纳米的材 -
权委15363936014…… 纳米的材料的化学式为RN,该化合物里与氮结合的R3+核外有28个电子,N元素为-3价,R元素为+3价,则R3+带3个单位的正电荷,R3+核外有28个电子,则R原子的质子数=28+3=31,其元素原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1,处于第四周期第ⅢA族; 故选:B.

@桑江3921:说中国的半导体芯片是28纳米与10纳米相比差3代啥意思 -
权委15363936014…… 这个三代定义很模糊,但是大致上28-20-14-10nm,这就是三代了. 具体的话,其实从整体上讲,就是差了深紫外到极紫外光刻机技术的一个大代

@桑江3921:x射线曝光与传统的光学曝光有什么本质区别 -
权委15363936014…… 你说的应该是光刻机里曝光吧,光刻机里的投影透镜系统由数十片光学透镜组成,光学像差已经基本消除,达到衍射受限系统的要求,拿最高端ASML光刻机来说,它的镜头一直都是卡尔蔡司提供的,高端的机器一般用到20多片的镜头来达到要...

@桑江3921:传统光学的曝光技术有哪些 -
权委15363936014…… 传统光学曝光是指以紫外光(波长为012~014μm)或者远紫外光来实现的曝光工艺.传统光学曝光有两种基本方式:阴影式曝光(shadowprinting)和投影式曝光(projectionprinting).阴影式曝光技术中,掩膜直 接与晶片接触实现曝光的,叫...

@桑江3921:请问最新的CPU用的几十纳米技术?用什么光刻机实现的?最好具体点. -
权委15363936014…… 目前是INTEL的32NM,不过INTEL已经准备22NM了. 光刻机.32nm制程目前用的是193nm沉浸式光刻技术 具Intel透露,计划要将193nm沉浸式光刻技术沿用到11nm节点制程 当然,光刻技术还有极紫外光刻技术,不过还处在实验阶段,显然INTEL目前不怎么看好这个技术 LS,现在INTEL的I3和I5 6XX就是32NM的CPU核心+45NM的GPU核心,I7 980X也是32NM制程

@桑江3921:10nm工艺处理器有多强 -
权委15363936014…… 并不是制程越新,性能就越强,还要看cpu的架构,频率,以835和麒麟960来说,835虽然更新,但是由于整体架构和频率和960差不多,导致实际性能跟960基本一样,但是在架构不变,主频差不多的情况下,新的制程会带来的好处是更加省电,因为制程越新,同样的晶体管数量下,cpu的核心面积越小.

@桑江3921:三星10nm工艺相当于英特尔多少 -
权委15363936014…… 相当于英特尔的14纳米工艺,至少英特尔是这样认为的.英特尔副总裁Stacy Smith说三星的工艺数字经过“美化”的,掩盖了栅极间距、晶体管密度等关键指标.比如14纳米FinFET工艺下,三星栅极、鳍的间距为84、78纳米.大于Intel的70纳米、64纳米;10FinFET纳米工艺下,三星栅极间距为64纳米,大于Intel的54纳米.英特尔的10纳米还是比较值得期待的,因为它比14纳米多了近2.5倍的晶体管....

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