ald沉积设备
@言魏6282：最近在调研ALD原子层沉积设备,请问大家有没有推荐的品牌 -
贝宏15643566121…… 作为一种高度可精准控制的材料制备方法,原子层沉积(ALD)技术目前已成为半导体芯片、柔性显示、太阳能电池及锂电池等领域中最热门的薄膜材料沉积技术.由于国内缺少相关的关键技术,ALD设备被国外设备大厂垄断,国内ALD量产设备制造企业几乎空白.随着国外先进技术的引进和国内自主研发的不断推进,国内出现了在技术水平上能跟国外技术相媲美的ALD设备制造厂商,如深圳市原速光电科技有限公司.原速光电推出了研发型和生产型的Exploiter系列原子层沉积系统,性能指标优越,加上全方位的材料工艺研发和材料制备服务,足以满足用户的使用需求.有兴趣的可以进他们的官网进一步了解一下!
@言魏6282：原子层沉积的应用 -
贝宏15643566121…… 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型(厚度、成份和结构) 原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也称为原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,...
@言魏6282：原子层沉积和化学气相沉积有什么不同 - 作业帮
贝宏15643566121…… [答案] 原子层沉积(Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法.原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处. 原子层沉积 但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种...
@言魏6282：薄膜材料的制备方法有哪些? -
贝宏15643566121…… 薄膜材料的制备方法多种多样,以下是一些常用的薄膜制备方法:1. 物理气相沉积(PVD,Physical Vapor Deposition):通过物理过程将固态材料转化为气态,然后在基材上沉积形成薄膜.PVD的...
@言魏6282：使用ALD设备生长的Al2O3没有绝缘性怎么弄 -
贝宏15643566121…… 因为氧化铝根本不是分子,也就不是极性分子.氧化铝之所以分子式为Al2O3,是因为其晶格结构中Al原子与O原子个数比为2:3,并非其分子中含有两个铝原子和三个氧原子.
@言魏6282：水平井钻井时,随钻测井项目中测的GR,ALD等测井项目,ALD是什么测井项目? -
贝宏15643566121…… 目前随钻测井的主要项目有: 1、自然伽马(GR) 2、电阻率(深、浅电阻率) 3、地层密度和岩性(ALD) 4、地层孔隙度(CTN) 其中3、4项需要装放射源,源分别为密度源和中子源.
@言魏6282：该设备已被禁用,原因是,设备的固件没有提供必需的资源. (代码 29) -
贝宏15643566121…… 1、将电脑打开,启动设备,并用数据线将二者连接起来. 2、打开桌面上的“此电脑”进入,并找到文件旁的【计算机】 3、进入页面后,找到上方的【管理】,点击进入 4、点击左栏下方的【设备管理器】 5、进入右侧页面,点击【通用串行总线控制器】 6、在通用串行总线控制器下,找到【USB大量储存设备】 7、选中单击右键,出现选择栏,点击【禁用设备】 8、弹出对话框,点击【是】 9、再次回到USB大量储存设备,选中,右键单击,选择【启用设备】 10、回到“此电脑”主页面,可以看到下方显示的设备以及驱动器,设置成功.
@言魏6282：纳米杯 里面的纳米层应该怎样放
贝宏15643566121…… 纳米层沉积法 申请号/专利号: 200480008560 提供了一种CVD和ALD的混合沉积法,其称为纳米层沉积(“NLD”).该NLD法是一种循环沉积法,包括第一步(40):引入第一多个前体,用非自限制的沉积方法沉积薄膜,然后第二步(41):排空第一组前体和第三步(42):引入第二多个前体以改进该沉积薄膜.NLD中的沉积步骤是非自限制的且为基底温度和处理时间的函数.第二组前体改进该已沉积膜的特性.第二组前体可处理该沉积膜,例如膜组成的改进、掺杂、或杂质的去除.第二组前体还可沉积另一膜.附加的层可与现有的层反应以形成化合物层,或可最低限度地反应以形成纳米层压膜. 这技术是 有专利的 你是不可能知道的
@言魏6282：GT多晶炉与ALD区别 哪个要更好 -
贝宏15643566121…… GT多晶会比较好的
@言魏6282：如何使用ALD进行掺杂氧化物薄膜的生长 -
贝宏15643566121…… 此外加热也可以使氧化物反应掉,达到出去的目的,也是金属防止钝化的主要运用方法 一种纳米铂铝涂层的制备方法.其制备方法是,首先对高温合金基体进行表面处理
贝宏15643566121…… 作为一种高度可精准控制的材料制备方法,原子层沉积(ALD)技术目前已成为半导体芯片、柔性显示、太阳能电池及锂电池等领域中最热门的薄膜材料沉积技术.由于国内缺少相关的关键技术,ALD设备被国外设备大厂垄断,国内ALD量产设备制造企业几乎空白.随着国外先进技术的引进和国内自主研发的不断推进,国内出现了在技术水平上能跟国外技术相媲美的ALD设备制造厂商,如深圳市原速光电科技有限公司.原速光电推出了研发型和生产型的Exploiter系列原子层沉积系统,性能指标优越,加上全方位的材料工艺研发和材料制备服务,足以满足用户的使用需求.有兴趣的可以进他们的官网进一步了解一下!
@言魏6282：原子层沉积的应用 -
贝宏15643566121…… 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型(厚度、成份和结构) 原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也称为原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,...
@言魏6282：原子层沉积和化学气相沉积有什么不同 - 作业帮
贝宏15643566121…… [答案] 原子层沉积(Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法.原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处. 原子层沉积 但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种...
@言魏6282：薄膜材料的制备方法有哪些? -
贝宏15643566121…… 薄膜材料的制备方法多种多样,以下是一些常用的薄膜制备方法:1. 物理气相沉积(PVD,Physical Vapor Deposition):通过物理过程将固态材料转化为气态,然后在基材上沉积形成薄膜.PVD的...
@言魏6282：使用ALD设备生长的Al2O3没有绝缘性怎么弄 -
贝宏15643566121…… 因为氧化铝根本不是分子,也就不是极性分子.氧化铝之所以分子式为Al2O3,是因为其晶格结构中Al原子与O原子个数比为2:3,并非其分子中含有两个铝原子和三个氧原子.
@言魏6282：水平井钻井时,随钻测井项目中测的GR,ALD等测井项目,ALD是什么测井项目? -
贝宏15643566121…… 目前随钻测井的主要项目有: 1、自然伽马(GR) 2、电阻率(深、浅电阻率) 3、地层密度和岩性(ALD) 4、地层孔隙度(CTN) 其中3、4项需要装放射源,源分别为密度源和中子源.
@言魏6282：该设备已被禁用,原因是,设备的固件没有提供必需的资源. (代码 29) -
贝宏15643566121…… 1、将电脑打开,启动设备,并用数据线将二者连接起来. 2、打开桌面上的“此电脑”进入,并找到文件旁的【计算机】 3、进入页面后,找到上方的【管理】,点击进入 4、点击左栏下方的【设备管理器】 5、进入右侧页面,点击【通用串行总线控制器】 6、在通用串行总线控制器下,找到【USB大量储存设备】 7、选中单击右键,出现选择栏,点击【禁用设备】 8、弹出对话框,点击【是】 9、再次回到USB大量储存设备,选中,右键单击,选择【启用设备】 10、回到“此电脑”主页面,可以看到下方显示的设备以及驱动器,设置成功.
@言魏6282：纳米杯 里面的纳米层应该怎样放
贝宏15643566121…… 纳米层沉积法 申请号/专利号: 200480008560 提供了一种CVD和ALD的混合沉积法,其称为纳米层沉积(“NLD”).该NLD法是一种循环沉积法,包括第一步(40):引入第一多个前体,用非自限制的沉积方法沉积薄膜,然后第二步(41):排空第一组前体和第三步(42):引入第二多个前体以改进该沉积薄膜.NLD中的沉积步骤是非自限制的且为基底温度和处理时间的函数.第二组前体改进该已沉积膜的特性.第二组前体可处理该沉积膜,例如膜组成的改进、掺杂、或杂质的去除.第二组前体还可沉积另一膜.附加的层可与现有的层反应以形成化合物层,或可最低限度地反应以形成纳米层压膜. 这技术是 有专利的 你是不可能知道的
@言魏6282：GT多晶炉与ALD区别 哪个要更好 -
贝宏15643566121…… GT多晶会比较好的
@言魏6282：如何使用ALD进行掺杂氧化物薄膜的生长 -
贝宏15643566121…… 此外加热也可以使氧化物反应掉,达到出去的目的,也是金属防止钝化的主要运用方法 一种纳米铂铝涂层的制备方法.其制备方法是,首先对高温合金基体进行表面处理
