cmos反相器版图设计
@曾顾4641：CMOS反相器的电路仿真及其工艺模拟和版图设计引线孔光刻是什么?
五法13542664715…… 可在生长磷硅玻璃后先开一次孔,然后再磷硅玻璃回流及结注入推进后再开第二次孔
@曾顾4641：如何使用l - edit软件设计cmos反相器 -
五法13542664715…… 用KVL,假设电流的参考方向是从PMOS的源极流向栅极,-Vdd+Vsg+ui=0,这里Vdd的值是负的,因为电流是从其负极流入,正极流出;又因为ui=0,所以-Vdd+Vsg=0>-Vdd=-Vsg=>-Vdd=Vgs.
@曾顾4641：版图设计中反相器电路原理图中标注w=1.5u l=350um m=4是什么意思? 我是菜鸟刚接触版图设计 -
五法13542664715…… W=1.5u 有源区宽度为1.5微米 L=350n mos沟道长度,即多晶的宽度为350纳米 m=4 4个mos并联
@曾顾4641：求高手指导CMOS反相器hspice仿真程序和图,万分感谢,必定给予高分... -
五法13542664715…… Inverter Circuit.lib 'D:\Program Files (x86)\synopsys\sm046005-1d.hspice' typical.OPTIONS LIST NODE POST .TRAN 0.01n 0.2n .PRINT TRAN V(IN) V(OUT) M1 OUT IN VCC VCC pmos_3p3 L = 35U W = 0.35U M2 OUT IN 0 0 nmos_3p3 L = 35U W = 0.35U VCC VCC 0 3.3 VIN IN 0 SIN 0 3.3 10G.END
@曾顾4641：cadence画反相器版图时出错了,看不懂. -
五法13542664715…… poly和金属1的那个contact与栅接触的太少,要大于0.15um
@曾顾4641：采用0.35um工艺的CMOS反相器,相关参数如下:VDD=3.3V,NMOS:VT...
五法13542664715…… 1.单级CMOS版图分析 单级CMOS版图的重点是分析串并联关系.MOS管并联:源区连在一起,漏区连在一起.如例1,N阱中的PMOS从左面第一个开始,到第四个栅后,有源区没有和前面的有源区相连,所以有三个MOS管并联,且后面的必然...
@曾顾4641：集成电路中,反相器 为什么能增大驱动能力 -
五法13542664715…… 驱动能力一般用“扇出”表示,意思就是单个逻辑门能够驱动(后面级联)的数字信号输入的最大个数. 例如一个CMOS反相器(后面简称inv)的输出端最多能给其他5个逻辑门提供输入而没有失真,那么它的扇出就是5. 而并不是像1楼说的那...
@曾顾4641：数字电路中的CMOS反相器 -
五法13542664715…… 因它在这截止时只有很微的漏电流流过.和一般简单的电路中串有的一个大电阻相似.
@曾顾4641：COMS反相器电路,怎么确定输出逻辑函数式 -
五法13542664715…… 1)看箭头指向内的(黄色圈圈)栅极高电平导通,低电平截止;箭头指向外的(蓝色圈圈)栅极低电平导通,高电平截止;2)红色圈圈里,要想输出高电平,上面两个管子都必须同时导通;然后从后往前推导,逐点记录其变量之间的关系;如 F4 = INH' * F3' = (INH+F3)' ; F3 = F1' + F2' = (F1F2)' ; F1 = A' + B' = (AB)' ; F2 = C' + D' = (CD)' ;
五法13542664715…… 可在生长磷硅玻璃后先开一次孔,然后再磷硅玻璃回流及结注入推进后再开第二次孔
@曾顾4641：如何使用l - edit软件设计cmos反相器 -
五法13542664715…… 用KVL,假设电流的参考方向是从PMOS的源极流向栅极,-Vdd+Vsg+ui=0,这里Vdd的值是负的,因为电流是从其负极流入,正极流出;又因为ui=0,所以-Vdd+Vsg=0>-Vdd=-Vsg=>-Vdd=Vgs.
@曾顾4641：版图设计中反相器电路原理图中标注w=1.5u l=350um m=4是什么意思? 我是菜鸟刚接触版图设计 -
五法13542664715…… W=1.5u 有源区宽度为1.5微米 L=350n mos沟道长度,即多晶的宽度为350纳米 m=4 4个mos并联
@曾顾4641：求高手指导CMOS反相器hspice仿真程序和图,万分感谢,必定给予高分... -
五法13542664715…… Inverter Circuit.lib 'D:\Program Files (x86)\synopsys\sm046005-1d.hspice' typical.OPTIONS LIST NODE POST .TRAN 0.01n 0.2n .PRINT TRAN V(IN) V(OUT) M1 OUT IN VCC VCC pmos_3p3 L = 35U W = 0.35U M2 OUT IN 0 0 nmos_3p3 L = 35U W = 0.35U VCC VCC 0 3.3 VIN IN 0 SIN 0 3.3 10G.END
@曾顾4641：cadence画反相器版图时出错了,看不懂. -
五法13542664715…… poly和金属1的那个contact与栅接触的太少,要大于0.15um
@曾顾4641：采用0.35um工艺的CMOS反相器,相关参数如下:VDD=3.3V,NMOS:VT...
五法13542664715…… 1.单级CMOS版图分析 单级CMOS版图的重点是分析串并联关系.MOS管并联:源区连在一起,漏区连在一起.如例1,N阱中的PMOS从左面第一个开始,到第四个栅后,有源区没有和前面的有源区相连,所以有三个MOS管并联,且后面的必然...
@曾顾4641：集成电路中,反相器 为什么能增大驱动能力 -
五法13542664715…… 驱动能力一般用“扇出”表示,意思就是单个逻辑门能够驱动(后面级联)的数字信号输入的最大个数. 例如一个CMOS反相器(后面简称inv)的输出端最多能给其他5个逻辑门提供输入而没有失真,那么它的扇出就是5. 而并不是像1楼说的那...
@曾顾4641：数字电路中的CMOS反相器 -
五法13542664715…… 因它在这截止时只有很微的漏电流流过.和一般简单的电路中串有的一个大电阻相似.
@曾顾4641：COMS反相器电路,怎么确定输出逻辑函数式 -
五法13542664715…… 1)看箭头指向内的(黄色圈圈)栅极高电平导通,低电平截止;箭头指向外的(蓝色圈圈)栅极低电平导通,高电平截止;2)红色圈圈里,要想输出高电平,上面两个管子都必须同时导通;然后从后往前推导,逐点记录其变量之间的关系;如 F4 = INH' * F3' = (INH+F3)' ; F3 = F1' + F2' = (F1F2)' ; F1 = A' + B' = (AB)' ; F2 = C' + D' = (CD)' ;
