mos管栅极电阻47欧
@漆季5341：MOS管测量出栅极G和源极S之间不绝缘,有57欧电阻 -
冯弦17632812915…… 肯定已经击穿了.你那个24V是稳定状态下的数值,开关瞬间完全可以有脉冲尖峰超出它,一般为了安全,G-S之间是要并一个稳压管来限制这些可能的尖峰电压.
@漆季5341：场效应管栅极与源极上加电阻是起到什么作用?还有栅极上的电阻加10欧母可一吧?
冯弦17632812915…… 场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用,取值10K.栅极串联电阻决定场效应管的开通速度,取10~47欧.
@漆季5341：静电问题!如果电路板件已上电,浮地,那么电路板上的小MOS管还会被静电击穿吗?MOS到地回路有47Ω电阻.
冯弦17632812915…… 有可能 累积电荷
@漆季5341：电动车控制器MOS管如何检测好坏 -
冯弦17632812915…… 首先,断开控制器与电源连接,把控制器粗黑线与粗红线碰接短路,这样做的目的是放完内部电容余电. 然后,把三根粗黄线对粗黑碰线短接,目的同上.一定要放电后再进行测量.这三根粗黄线实际上是三根相线. 做完以上准备工作后...
@漆季5341：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
冯弦17632812915…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@漆季5341：MOS管栅极绝缘,反相器的输入电阻非常高,这里输入电阻是什么, -
冯弦17632812915…… 阻抗高是因为mos的结构特点.栅极是氧化物绝缘层,电阻>10兆欧姆.NPN就不行了,阻抗很低.驱动任意同类门是胡说八道.电路稳态工作不是问题,因为静态栅极漏电流可以忽略,动态就不行了,在逻辑转换的时候,会有较大的延时.门电路有扇出系数的概念.
@漆季5341：mos管驱动电阻一般用什么样的电阻 -
冯弦17632812915…… 用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可.mos管驱动电阻一般用什么样的电阻
@漆季5341：增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么? -
冯弦17632812915…… 栅极电阻太大了 会与MOSFET的极间电容形成RC电路 会严重印象MOSFET的充放电时间,造成MOSFET消耗功率过高,发热严重.消除高频振动可以另寻他法,
@漆季5341：这个驱动mos管的电路为什么要加上拉电阻R096和下拉电阻R097呢,上拉电阻和下拉电阻取值依据,帮我分析下 -
冯弦17632812915…… R096是上拉.R097不是下拉.只是一个分压电阻.为MOS管打开提供一个条件. 一般上拉取10K.当然还要看具体情况.
@漆季5341：CMOS.MOS管导通电阻 -
冯弦17632812915…… 导通电阻的大小是一种非线性变化,跟GS两端电压有关,如果UGS=UGS(th)时,一般这个电阻大概有几欧到几十欧,当UGS=8~10V时,这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧,非常小. 这方面属于半导体物理领域,作为电子工程师需要知道这个特性,但不需要去关心它为什么这样,只要会用就可以了.
冯弦17632812915…… 肯定已经击穿了.你那个24V是稳定状态下的数值,开关瞬间完全可以有脉冲尖峰超出它,一般为了安全,G-S之间是要并一个稳压管来限制这些可能的尖峰电压.
@漆季5341：场效应管栅极与源极上加电阻是起到什么作用?还有栅极上的电阻加10欧母可一吧?
冯弦17632812915…… 场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用,取值10K.栅极串联电阻决定场效应管的开通速度,取10~47欧.
@漆季5341：静电问题!如果电路板件已上电,浮地,那么电路板上的小MOS管还会被静电击穿吗?MOS到地回路有47Ω电阻.
冯弦17632812915…… 有可能 累积电荷
@漆季5341：电动车控制器MOS管如何检测好坏 -
冯弦17632812915…… 首先,断开控制器与电源连接,把控制器粗黑线与粗红线碰接短路,这样做的目的是放完内部电容余电. 然后,把三根粗黄线对粗黑碰线短接,目的同上.一定要放电后再进行测量.这三根粗黄线实际上是三根相线. 做完以上准备工作后...
@漆季5341：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
冯弦17632812915…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@漆季5341：MOS管栅极绝缘,反相器的输入电阻非常高,这里输入电阻是什么, -
冯弦17632812915…… 阻抗高是因为mos的结构特点.栅极是氧化物绝缘层,电阻>10兆欧姆.NPN就不行了,阻抗很低.驱动任意同类门是胡说八道.电路稳态工作不是问题,因为静态栅极漏电流可以忽略,动态就不行了,在逻辑转换的时候,会有较大的延时.门电路有扇出系数的概念.
@漆季5341：mos管驱动电阻一般用什么样的电阻 -
冯弦17632812915…… 用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可.mos管驱动电阻一般用什么样的电阻
@漆季5341：增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么? -
冯弦17632812915…… 栅极电阻太大了 会与MOSFET的极间电容形成RC电路 会严重印象MOSFET的充放电时间,造成MOSFET消耗功率过高,发热严重.消除高频振动可以另寻他法,
@漆季5341：这个驱动mos管的电路为什么要加上拉电阻R096和下拉电阻R097呢,上拉电阻和下拉电阻取值依据,帮我分析下 -
冯弦17632812915…… R096是上拉.R097不是下拉.只是一个分压电阻.为MOS管打开提供一个条件. 一般上拉取10K.当然还要看具体情况.
@漆季5341：CMOS.MOS管导通电阻 -
冯弦17632812915…… 导通电阻的大小是一种非线性变化,跟GS两端电压有关,如果UGS=UGS(th)时,一般这个电阻大概有几欧到几十欧,当UGS=8~10V时,这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧,非常小. 这方面属于半导体物理领域,作为电子工程师需要知道这个特性,但不需要去关心它为什么这样,只要会用就可以了.
