mos饱和区电流计算公式
@闻世3775：MOS管的漏极饱和电流公式中,Cox是什么 -
敖肤18266897724…… 是氧化层电容,其中OX即是氧化层的缩写
@闻世3775：三极管饱和的基极电流怎么计算 -
敖肤18266897724…… 首先确定集电极饱和电流Ics,忽略集电极饱和压降,Ics=Vcc/RL,三极管电流放大系数取较低值即可,如HFE=50左右.则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE,一般取2倍Ib.上述方法适宜于深度饱和电路,一般用于控制电路及低速开关电路.
@闻世3775：为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区 -
敖肤18266897724…… 为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区?这句话是针对mos管来说的,因为当mos进入饱和区后,其电流方程为I=0.5k(w/l)(Vgs-Vth)^2 , Vds对电流影响可以忽略.因此要求mos的镜像电流源要工作在饱和区. (对于bipolar三极管镜像恒流源三极管要工作在放大区,也就是线性区)
@闻世3775：MOS管在截止区时,它的截止电流公式是什么? 求大婶助我..... -
敖肤18266897724…… 截止区的时候,就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了 这个时候是没有电流的 只有少部分漏电流 具体的值参考MOS管手册提供的参数.
@闻世3775：如何估算MOS管的驱动电流 -
敖肤18266897724…… 第一种: 可以使用如下公式估算: Ig=Qg/Ton 其中: Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间. Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间 Qg=(CEI)(VGS)...
@闻世3775：驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
敖肤18266897724…… 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
@闻世3775：mos管的最大持续电流是如何确定的? -
敖肤18266897724…… MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值. 该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流. 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流. 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰...
@闻世3775：NMOS晶体管的工作原理 -
敖肤18266897724…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@闻世3775：MOS开关电路计算 -
敖肤18266897724…… 仿真有时候是不准确的,按照现在的电路,MOS管是可以工作在开关状态的,只是有的MOS管开通电压比较高,5V可能开不了,所以就进入放大区了.楼主可以选开通电压低的MOS管.电路中的电阻值基本能用.
@闻世3775：开关电源MOS的导通电流在设计之初,怎么确定自己MOS的峰值电流?(要有推到公式) -
敖肤18266897724…… 变压器初级线圈的电感量确定,工作频率确定.这样利用电感公式2πfl就可以了得到线圈在设计频率条件下的阻抗,有了阻抗也就决定了最大电流值.从而得到峰值电流.
敖肤18266897724…… 是氧化层电容,其中OX即是氧化层的缩写
@闻世3775：三极管饱和的基极电流怎么计算 -
敖肤18266897724…… 首先确定集电极饱和电流Ics,忽略集电极饱和压降,Ics=Vcc/RL,三极管电流放大系数取较低值即可,如HFE=50左右.则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE,一般取2倍Ib.上述方法适宜于深度饱和电路,一般用于控制电路及低速开关电路.
@闻世3775：为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区 -
敖肤18266897724…… 为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区?这句话是针对mos管来说的,因为当mos进入饱和区后,其电流方程为I=0.5k(w/l)(Vgs-Vth)^2 , Vds对电流影响可以忽略.因此要求mos的镜像电流源要工作在饱和区. (对于bipolar三极管镜像恒流源三极管要工作在放大区,也就是线性区)
@闻世3775：MOS管在截止区时,它的截止电流公式是什么? 求大婶助我..... -
敖肤18266897724…… 截止区的时候,就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了 这个时候是没有电流的 只有少部分漏电流 具体的值参考MOS管手册提供的参数.
@闻世3775：如何估算MOS管的驱动电流 -
敖肤18266897724…… 第一种: 可以使用如下公式估算: Ig=Qg/Ton 其中: Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间. Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间 Qg=(CEI)(VGS)...
@闻世3775：驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
敖肤18266897724…… 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
@闻世3775：mos管的最大持续电流是如何确定的? -
敖肤18266897724…… MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值. 该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流. 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流. 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰...
@闻世3775：NMOS晶体管的工作原理 -
敖肤18266897724…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@闻世3775：MOS开关电路计算 -
敖肤18266897724…… 仿真有时候是不准确的,按照现在的电路,MOS管是可以工作在开关状态的,只是有的MOS管开通电压比较高,5V可能开不了,所以就进入放大区了.楼主可以选开通电压低的MOS管.电路中的电阻值基本能用.
@闻世3775：开关电源MOS的导通电流在设计之初,怎么确定自己MOS的峰值电流?(要有推到公式) -
敖肤18266897724…… 变压器初级线圈的电感量确定,工作频率确定.这样利用电感公式2πfl就可以了得到线圈在设计频率条件下的阻抗,有了阻抗也就决定了最大电流值.从而得到峰值电流.
