n沟道场效应管开关电路
@官肥5330：请教场效应管的简单接法 -
褚厕13496872265…… 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
@官肥5330：场效应管开关电路 -
褚厕13496872265…… 只有两种可能:一是场效应管本身有质量问题,二是并接在电磁阀线圈的二极管短路或接反了(接成正向导通了)
@官肥5330：场效应管作为开关时的工作原理是怎么样的,谁知道? -
褚厕13496872265…… 以N沟道为例,场效管有G极,D极,S极,还有一个衬底,通常场效应管出厂时,S极都和衬底连接在一起了,所以我们看到一般都只有三个管脚.N沟道管,要在G和S之间加上正向电压,即G正,S地,由于G和S之间存在绝缘层,所会形成一个G指向S的电场,在电场的作用下,电子会流向G,但由于绝缘层存在,挡住了电子的运动,而在D和S之间形成一电子沟道.使D和S处于导通.所以只要GS这间的电场消失,那D和S就会回到截止状态.所以场效应管是加电产生电场而导通,没有太多电浪费.
@官肥5330：场效应管开关电路2sk1020怎么驱动 -
褚厕13496872265…… 2sk1020是500V30A的N沟道场效应管,栅极和源极最高容许电压正负30V.你做单端反激电源可用UC3842或3844直接驱动,做推挽式可用SG3525直接驱动,做半桥或全桥拓扑的电源的话可在SG3525或TL494的输出再加驱动芯片IR2110来驱动2sk1020.无论何种驱动方式都要在其栅极和源极间加一10K电阻和一个20V稳压管,栅极与驱动芯片之间加一个几欧的电阻,此电阻上并联一个1N4148二极管,负极接栅极正极接驱动芯片的输出.芯片供电电压可选在18V至20V之间.说的不妥处请高手再指正.
@官肥5330：【求教】MOS管开关电路. -
褚厕13496872265…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@官肥5330：在一个开关电源的电路里{场效应管}的作用是什么呢?谢谢 -
褚厕13496872265…… 在一个开关电路里,如下图: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 场效应管,也就是MOSFET的作用是作为开关,控制电源的通断,具体分析见《带软开启功能的MOS管电源开关电路》
@官肥5330：场效应管问题. -
褚厕13496872265…… 1、2N3819是N沟道耗尽型的管子,G不加电压时,DS之间会形成一个粗略的恒流源,这个电压是在10V时,电压全部加载DS两级也才只有约6.7ma,这么小的电流就无法驱动继电器工作.因此要在G上加电压,提高导通程度,继电器才能工作. 2、开关在A处时G的电位是高于S的,在图上的条件下,DS上电压降是要大于IM电阻上的电压降的,,所以G的电位是更接近10V的,要高于S
@官肥5330：N型场效应管开关设计 -
褚厕13496872265…… 你这电路为源极跟随器,类似于双极型三极管的射极跟随器,之类电路输出电压不会高于驱动电压.很多场效应管的栅源极开启电压都在2V以上,这就意味着:你这个电路中场效应管的栅极用5V的电压驱动时,负载实际获得的电压不足3V------考虑到跨导因素,场效应管在输出较大电流时,GS两极间电压要大于开启电压,负载实际获得的电压更小.这样的电路,电源利用率很低,19V的电源电压大部分都降落在场效应管上了
@官肥5330：一般用什么沟道的场效应管做开关管 -
褚厕13496872265…… N沟道,应用和NPN三极管类似.你很少看见用P沟道MOS管做开关电源的,就像PNP不常用一样.
@官肥5330：场效应管 开关 -
褚厕13496872265…… 场效应管是电压型控制器件.只要G极加到这个场效应管导通电压,它就会导通.场效应管的另外一个特点是输入阻抗很高.G极开路,场效应管就会呈现导通状态.如果你的电路中,场效应管的G极对S极之间没有并联一个电阻(10K左右就可以),虽然输入电压断开,这个场效应管仍然是导通的.当场效应管的开关电路中串联一个56K电阻,这个电阻在15V的电压下,电流只有0.3mA,达不到LED点亮的电流,所以呈现的好像无论通不通电都不导通的现象.
褚厕13496872265…… 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
@官肥5330：场效应管开关电路 -
褚厕13496872265…… 只有两种可能:一是场效应管本身有质量问题,二是并接在电磁阀线圈的二极管短路或接反了(接成正向导通了)
@官肥5330：场效应管作为开关时的工作原理是怎么样的,谁知道? -
褚厕13496872265…… 以N沟道为例,场效管有G极,D极,S极,还有一个衬底,通常场效应管出厂时,S极都和衬底连接在一起了,所以我们看到一般都只有三个管脚.N沟道管,要在G和S之间加上正向电压,即G正,S地,由于G和S之间存在绝缘层,所会形成一个G指向S的电场,在电场的作用下,电子会流向G,但由于绝缘层存在,挡住了电子的运动,而在D和S之间形成一电子沟道.使D和S处于导通.所以只要GS这间的电场消失,那D和S就会回到截止状态.所以场效应管是加电产生电场而导通,没有太多电浪费.
@官肥5330：场效应管开关电路2sk1020怎么驱动 -
褚厕13496872265…… 2sk1020是500V30A的N沟道场效应管,栅极和源极最高容许电压正负30V.你做单端反激电源可用UC3842或3844直接驱动,做推挽式可用SG3525直接驱动,做半桥或全桥拓扑的电源的话可在SG3525或TL494的输出再加驱动芯片IR2110来驱动2sk1020.无论何种驱动方式都要在其栅极和源极间加一10K电阻和一个20V稳压管,栅极与驱动芯片之间加一个几欧的电阻,此电阻上并联一个1N4148二极管,负极接栅极正极接驱动芯片的输出.芯片供电电压可选在18V至20V之间.说的不妥处请高手再指正.
@官肥5330：【求教】MOS管开关电路. -
褚厕13496872265…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@官肥5330：在一个开关电源的电路里{场效应管}的作用是什么呢?谢谢 -
褚厕13496872265…… 在一个开关电路里,如下图: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 场效应管,也就是MOSFET的作用是作为开关,控制电源的通断,具体分析见《带软开启功能的MOS管电源开关电路》
@官肥5330：场效应管问题. -
褚厕13496872265…… 1、2N3819是N沟道耗尽型的管子,G不加电压时,DS之间会形成一个粗略的恒流源,这个电压是在10V时,电压全部加载DS两级也才只有约6.7ma,这么小的电流就无法驱动继电器工作.因此要在G上加电压,提高导通程度,继电器才能工作. 2、开关在A处时G的电位是高于S的,在图上的条件下,DS上电压降是要大于IM电阻上的电压降的,,所以G的电位是更接近10V的,要高于S
@官肥5330：N型场效应管开关设计 -
褚厕13496872265…… 你这电路为源极跟随器,类似于双极型三极管的射极跟随器,之类电路输出电压不会高于驱动电压.很多场效应管的栅源极开启电压都在2V以上,这就意味着:你这个电路中场效应管的栅极用5V的电压驱动时,负载实际获得的电压不足3V------考虑到跨导因素,场效应管在输出较大电流时,GS两极间电压要大于开启电压,负载实际获得的电压更小.这样的电路,电源利用率很低,19V的电源电压大部分都降落在场效应管上了
@官肥5330：一般用什么沟道的场效应管做开关管 -
褚厕13496872265…… N沟道,应用和NPN三极管类似.你很少看见用P沟道MOS管做开关电源的,就像PNP不常用一样.
@官肥5330：场效应管 开关 -
褚厕13496872265…… 场效应管是电压型控制器件.只要G极加到这个场效应管导通电压,它就会导通.场效应管的另外一个特点是输入阻抗很高.G极开路,场效应管就会呈现导通状态.如果你的电路中,场效应管的G极对S极之间没有并联一个电阻(10K左右就可以),虽然输入电压断开,这个场效应管仍然是导通的.当场效应管的开关电路中串联一个56K电阻,这个电阻在15V的电压下,电流只有0.3mA,达不到LED点亮的电流,所以呈现的好像无论通不通电都不导通的现象.
