p沟道场效应管+开关
@寇婵4426：一般用什么沟道的场效应管做开关管 -
卓卫19458543205…… N沟道,应用和NPN三极管类似.你很少看见用P沟道MOS管做开关电源的,就像PNP不常用一样.
@寇婵4426：请教场效应管的简单接法 -
卓卫19458543205…… 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
@寇婵4426：p沟道mos管怎么实现场效应 -
卓卫19458543205…… 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N够道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道.改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻.这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管.如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小.这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管.统称为PMOS晶体管.
@寇婵4426：为什么全耗尽结构能够显著减小短沟道效应 -
卓卫19458543205…… 电子在沟道里传播,总是会有一部分滞留,这就是零点噪声,但全耗尽结构场效应管可以抑制这种效应,当电子滞留在沟道中时被消耗掉,便不会出现零点噪声
@寇婵4426：如何分辨场效应管的N沟道和P沟道?怎么辨别三极管的NPN和PNP? -
卓卫19458543205…… 1、场效应管分辨方法: 第一种方法:将万用表拨在R*1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值. 当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极...
@寇婵4426：如何识别场效应管 -
卓卫19458543205…… 帮你找的,希望有用. 【场效应管的识别】 场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示,如VT1表示编号为1的场效应管.对于国产场效应三极管的型号, 现在有两种命名方法.一是与普通三极管相同:第三位宁母J代表结型场效应...
@寇婵4426：场效应管如何做开关使用,硬件如何连,单片机如何控制? -
卓卫19458543205…… 1、串联电阻不需要计算,取一个大点的数值就可以,因为场效应管输入阻抗很高. 2、也许3.3V电压太低,不能使场效应管开启. 解决方案: (1)在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻,看看行不行. (2)如果不行,说明3.3V电压太低,不能使场效应管开启.那么最好改用三极管;如果坚持使用场效应管,需要中间增加一级三极管电路.用1只9014,集电极接栅极,栅极接电阻R35(改成5-10K),再接电源;9014发射极接地;9014基极接P1.0,P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻.此时低电平有效,不再是原来设计的高电平有效. 3、记得好像小功率管可以互换,不知道大功率管可以不.
@寇婵4426：场效应管为什么能做开关 -
卓卫19458543205…… 因为场效应管的(Ids)受(Vg)控制;以N沟场效应管为例:即当场效应管的G极的电压=S极电压时,D、S两极无电流流过;当场效应管的G极的电压大于S极电压时,D、S两极就有电流流过.在G极上加电压就是开、切断G极上的电压就是关
@寇婵4426：MOS开关管的选取 求各位大神指点 谢谢啊!!!!!!!!!!!急用 -
卓卫19458543205…… 场效应管,需要选取:1:极性,一般为N沟道增强型,可能也要用到P沟道的;2:电流;3:电压;4:功率;5:栅极开启电压;6:工作频率,作为直流开关,可不考虑;7:导通电阻,一般越小越好.8:封装形式;9:价格,及购买的难易程度;如果要求检测3V,可能需要其他IC,若电源只有3V,需用开启电压小于3V的.
@寇婵4426：场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
卓卫19458543205…… 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通 谢谢采纳
卓卫19458543205…… N沟道,应用和NPN三极管类似.你很少看见用P沟道MOS管做开关电源的,就像PNP不常用一样.
@寇婵4426：请教场效应管的简单接法 -
卓卫19458543205…… 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
@寇婵4426：p沟道mos管怎么实现场效应 -
卓卫19458543205…… 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N够道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道.改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻.这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管.如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小.这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管.统称为PMOS晶体管.
@寇婵4426：为什么全耗尽结构能够显著减小短沟道效应 -
卓卫19458543205…… 电子在沟道里传播,总是会有一部分滞留,这就是零点噪声,但全耗尽结构场效应管可以抑制这种效应,当电子滞留在沟道中时被消耗掉,便不会出现零点噪声
@寇婵4426：如何分辨场效应管的N沟道和P沟道?怎么辨别三极管的NPN和PNP? -
卓卫19458543205…… 1、场效应管分辨方法: 第一种方法:将万用表拨在R*1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值. 当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极...
@寇婵4426：如何识别场效应管 -
卓卫19458543205…… 帮你找的,希望有用. 【场效应管的识别】 场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示,如VT1表示编号为1的场效应管.对于国产场效应三极管的型号, 现在有两种命名方法.一是与普通三极管相同:第三位宁母J代表结型场效应...
@寇婵4426：场效应管如何做开关使用,硬件如何连,单片机如何控制? -
卓卫19458543205…… 1、串联电阻不需要计算,取一个大点的数值就可以,因为场效应管输入阻抗很高. 2、也许3.3V电压太低,不能使场效应管开启. 解决方案: (1)在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻,看看行不行. (2)如果不行,说明3.3V电压太低,不能使场效应管开启.那么最好改用三极管;如果坚持使用场效应管,需要中间增加一级三极管电路.用1只9014,集电极接栅极,栅极接电阻R35(改成5-10K),再接电源;9014发射极接地;9014基极接P1.0,P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻.此时低电平有效,不再是原来设计的高电平有效. 3、记得好像小功率管可以互换,不知道大功率管可以不.
@寇婵4426：场效应管为什么能做开关 -
卓卫19458543205…… 因为场效应管的(Ids)受(Vg)控制;以N沟场效应管为例:即当场效应管的G极的电压=S极电压时,D、S两极无电流流过;当场效应管的G极的电压大于S极电压时,D、S两极就有电流流过.在G极上加电压就是开、切断G极上的电压就是关
@寇婵4426：MOS开关管的选取 求各位大神指点 谢谢啊!!!!!!!!!!!急用 -
卓卫19458543205…… 场效应管,需要选取:1:极性,一般为N沟道增强型,可能也要用到P沟道的;2:电流;3:电压;4:功率;5:栅极开启电压;6:工作频率,作为直流开关,可不考虑;7:导通电阻,一般越小越好.8:封装形式;9:价格,及购买的难易程度;如果要求检测3V,可能需要其他IC,若电源只有3V,需用开启电压小于3V的.
@寇婵4426：场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
卓卫19458543205…… 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通 谢谢采纳
