pmos工作的三个状态
@洪性6361：pmos晶体管的工作原理 -
空翰15386435647…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@洪性6361：PNP三极管开关电路控制原理是什么样的 -
空翰15386435647…… pnp开关电路的控制原理:基极电压高于1V三极管就可以达到饱和导通;低于0.4V就截止.0.6-0.7V左右处于放大区.三极管在数字电路中可以当做开关来使用. 可以作为基极电流控制的无触点开关. 工作状态为饱和和截止状态,放大状态只是一个过渡过程. 三极管饱和相当于开关闭合,截止相当于开关断开.希望对你有帮助!
@洪性6361：pmos的问题如果一个pmos管,工作在放大区(假设对应电流为Id),源级直接接电源(假设为5V),漏极用串联的方法接了某个电阻Rx(假设为1K欧),... - 作业帮
空翰15386435647…… [答案] 漏源之间的电阻为Rds不是一个定值.如果你要求场效应管的静态工作点,还是利用Vgs的大小来求.
@洪性6361：模电中如何证明场效应管的工作状态 -
空翰15386435647…… N结型场效应管工作在放大区的必要条件:GS两端的电压小于0,DS端电压大于0(P型则GS端电压大于0,DS端电压小于0) N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为:GS端电压大于0,DS端电压大于0(P型相反)
@洪性6361：谁能告诉我CMOS的工作原理??? -
空翰15386435647…… CMOS工作原理 什么是CMOS-IC?金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分.由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补...
@洪性6361：PMOS场效应管IRF9530N为什么不工作? -
空翰15386435647…… 先指出你的电路错误:如果IRF9530N是PMOS管,则应该把S和D在电路中对调过来才对,同时作为负载的灯泡应该置于PMOS管的下面(对调后的D极下面,D通过灯泡接地). (电路改正后)S是48V电压(灯泡未点亮时),如果G的电压低于48-3=45V,则此PMOS管会处于导通状态.你给G的电压最大才11V,当然不会关断,去掉电路中的R3就可以了.
@洪性6361：VDD、VCC、VSS的区别? -
空翰15386435647…… 1、Vcc和Vdd是器件的电源端.Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单极器件的正.下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D.同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样.因为主流芯片结构是硅NPN所以...
@洪性6361：如何检测pmos管的好坏,我刚买的PMOS管,用万用表测量DS两端是短路的,管子是坏的吗? -
空翰15386435647…… 首先将 MOS管 三个引脚 G D S 短路放电,然后测量,如果不放电的话, GD 或 DS 是导通的,所以先放电,放电以后,将数字万用表打到二极管挡(蜂鸣档) 红表笔接D级,黑表笔接G级,正常数值为“1” 然后将红表笔接D级,黑表笔接S级,看数值,然后掉换表笔测量,只要测量出来几组数值,有一组为300-700欧姆之间,则该管子是好的,如果放电以后,测量MOS管三个脚其中一组数值为001则该管子击穿,如果测量出来三组数值都为“1”该MOS管内部开路.
空翰15386435647…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@洪性6361：PNP三极管开关电路控制原理是什么样的 -
空翰15386435647…… pnp开关电路的控制原理:基极电压高于1V三极管就可以达到饱和导通;低于0.4V就截止.0.6-0.7V左右处于放大区.三极管在数字电路中可以当做开关来使用. 可以作为基极电流控制的无触点开关. 工作状态为饱和和截止状态,放大状态只是一个过渡过程. 三极管饱和相当于开关闭合,截止相当于开关断开.希望对你有帮助!
@洪性6361：pmos的问题如果一个pmos管,工作在放大区(假设对应电流为Id),源级直接接电源(假设为5V),漏极用串联的方法接了某个电阻Rx(假设为1K欧),... - 作业帮
空翰15386435647…… [答案] 漏源之间的电阻为Rds不是一个定值.如果你要求场效应管的静态工作点,还是利用Vgs的大小来求.
@洪性6361：模电中如何证明场效应管的工作状态 -
空翰15386435647…… N结型场效应管工作在放大区的必要条件:GS两端的电压小于0,DS端电压大于0(P型则GS端电压大于0,DS端电压小于0) N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为:GS端电压大于0,DS端电压大于0(P型相反)
@洪性6361：谁能告诉我CMOS的工作原理??? -
空翰15386435647…… CMOS工作原理 什么是CMOS-IC?金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分.由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补...
@洪性6361：PMOS场效应管IRF9530N为什么不工作? -
空翰15386435647…… 先指出你的电路错误:如果IRF9530N是PMOS管,则应该把S和D在电路中对调过来才对,同时作为负载的灯泡应该置于PMOS管的下面(对调后的D极下面,D通过灯泡接地). (电路改正后)S是48V电压(灯泡未点亮时),如果G的电压低于48-3=45V,则此PMOS管会处于导通状态.你给G的电压最大才11V,当然不会关断,去掉电路中的R3就可以了.
@洪性6361：VDD、VCC、VSS的区别? -
空翰15386435647…… 1、Vcc和Vdd是器件的电源端.Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单极器件的正.下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D.同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样.因为主流芯片结构是硅NPN所以...
@洪性6361：如何检测pmos管的好坏,我刚买的PMOS管,用万用表测量DS两端是短路的,管子是坏的吗? -
空翰15386435647…… 首先将 MOS管 三个引脚 G D S 短路放电,然后测量,如果不放电的话, GD 或 DS 是导通的,所以先放电,放电以后,将数字万用表打到二极管挡(蜂鸣档) 红表笔接D级,黑表笔接G级,正常数值为“1” 然后将红表笔接D级,黑表笔接S级,看数值,然后掉换表笔测量,只要测量出来几组数值,有一组为300-700欧姆之间,则该管子是好的,如果放电以后,测量MOS管三个脚其中一组数值为001则该管子击穿,如果测量出来三组数值都为“1”该MOS管内部开路.
