rbe一般为多少

@虞江1040:三极管r eb值
丘于15688217162…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.

@虞江1040:三极管rbe值 -
丘于15688217162…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.

@虞江1040:模拟电子技术中rbe指的是什么 -
丘于15688217162…… //表示并联,ri=rb//rbe=300//0.95≈0.95 表示ri=rb和rbe并联,300和0.95并联≈0.95

@虞江1040:一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
丘于15688217162…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...

@虞江1040:共射级放大电路中的rbe是什么意思,急求答案 -
丘于15688217162…… rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=ube/ib=(ubb'+ub'e')/ib=rbb'+ie/ib*rb'e', 其中rb'e'=ut/ie. 所以 rbe=rbb'+(1+β)ut/ie 常温下ut一般为26mv.

@虞江1040:硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少? -
丘于15688217162…… 三极管基极和发射极之间是一个pn结.一般说硅pn结正向压降(电压)0.6V~0.7V.正如okmye网友所说,它有一个大约0.5V的起始值.rbe是动态电阻,即三极管输入特性曲线的斜率,而rbeIb*只是一个电压动态变化量,一般认为这个电压动态...

@虞江1040:电压跟随器为何输入阻抗高 -
丘于15688217162…… 以三极管的共集电极电路(射极输出器)为例:输入电阻:是三极管基极区电阻RBE+(1+βRE),一般RBE=1-2K欧姆,β=100,RE=1K,所以输入阻抗=1+100=101K欧姆.所以输入电阻高.

@虞江1040:模拟电路放大Rbe问题 -
丘于15688217162…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.

@虞江1040:三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
丘于15688217162…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300

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