三极管硅管压降
@蔡以5825：什么叫三极管管压降 -
巢义13499674777…… 1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压. 2、一种控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关. 3、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件...
@蔡以5825：小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?有人能解释清楚吗? -
巢义13499674777…… 三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关.一般驱动电流Ib越大,管子饱和越深(在一定范围内),其饱和压降越小;在相同的Ib下,集电极电流越小,管子的饱和压降也越小. 三极管在饱和状态时,集电极压降未必...
@蔡以5825：小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降... - 作业帮
巢义13499674777…… [答案] 对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为:发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>Uc),因此...
@蔡以5825：三极管饱和压降0.2V是什么的来的? -
巢义13499674777…… 应该是这样的,现在绝大部分都是硅三极管的,Ube一般都是0.7V左右,但是深度饱和工作时候Uce大约差不多就是0.2V了.基极电压和集电极电压一样大的时候三极管也算是饱和了,但是没有深度饱和,也是可以工作的.最主要是你要明白需要什么性能,电路当前工作在什么状态,有时也有需要用肖特基钳位三极管防止达到深度饱和,这样可以比深度饱和更快点断开的.
@蔡以5825：模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念 -
巢义13499674777…… 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V. 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深.到了UCES后,就完全进入饱和状态了,但是饱和程度还可以继续加深,小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右,这时候可以说是深度饱和了. UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用,可以计算功率管自身管耗,进而计算效率. 把追问也回答好吧. 你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流,但对于饱和区来说,这个电流还不是最大的基极电流.
@蔡以5825：基极电压、集电极电压与管压降之间的关系 -
巢义13499674777…… 基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降.管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即: Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压. 正常工作时,基极电压Ub比发射极电压...
@蔡以5825：〈数字电路,三极管〉饱和压降是什么?具体如何使用? -
巢义13499674777…… 饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.
@蔡以5825：怎么判断电脑主板上的三极管好坏呢? -
巢义13499674777…… 判断电脑主板上的三极管好坏,可以从下面几个方面,进行判断:1.硅管或锗管的判断:硅管的发射结正向压降一般为0.6-0.7V-,而锗管只有0.2-0.3V所以只要测的发射结的正向压降,即可区别硅管或锗管.2.NPN管和PNP管型的判别:把万用...
@蔡以5825：硅管的管压降是多大?众说纷纭. -
巢义13499674777…… 硅管结电压(压降)为0.7V左右,较大电流(几十安上百安)的为1V左右.这不是权威答案,但可信.
@蔡以5825：三极管的芯片大小与它本身的压降有什么关系 -
巢义13499674777…… 三极管的PN'结'分'点''面'接触型,当然是面接触的PN结电流大(功率放大、整流),'点'接触的PN结频率高(高频放大、检波);它们虽有以上特性但是它们的'结压降'却是一样:硅材料三极管结压降:0.7V左右、锗材料三极管结压降:0.3V左右 三极管的芯面积大小有变但它本身的结压降无变.
巢义13499674777…… 1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压. 2、一种控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关. 3、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件...
@蔡以5825：小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?有人能解释清楚吗? -
巢义13499674777…… 三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关.一般驱动电流Ib越大,管子饱和越深(在一定范围内),其饱和压降越小;在相同的Ib下,集电极电流越小,管子的饱和压降也越小. 三极管在饱和状态时,集电极压降未必...
@蔡以5825：小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降... - 作业帮
巢义13499674777…… [答案] 对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为:发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>Uc),因此...
@蔡以5825：三极管饱和压降0.2V是什么的来的? -
巢义13499674777…… 应该是这样的,现在绝大部分都是硅三极管的,Ube一般都是0.7V左右,但是深度饱和工作时候Uce大约差不多就是0.2V了.基极电压和集电极电压一样大的时候三极管也算是饱和了,但是没有深度饱和,也是可以工作的.最主要是你要明白需要什么性能,电路当前工作在什么状态,有时也有需要用肖特基钳位三极管防止达到深度饱和,这样可以比深度饱和更快点断开的.
@蔡以5825：模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念 -
巢义13499674777…… 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V. 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深.到了UCES后,就完全进入饱和状态了,但是饱和程度还可以继续加深,小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右,这时候可以说是深度饱和了. UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用,可以计算功率管自身管耗,进而计算效率. 把追问也回答好吧. 你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流,但对于饱和区来说,这个电流还不是最大的基极电流.
@蔡以5825：基极电压、集电极电压与管压降之间的关系 -
巢义13499674777…… 基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降.管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即: Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压. 正常工作时,基极电压Ub比发射极电压...
@蔡以5825：〈数字电路,三极管〉饱和压降是什么?具体如何使用? -
巢义13499674777…… 饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.
@蔡以5825：怎么判断电脑主板上的三极管好坏呢? -
巢义13499674777…… 判断电脑主板上的三极管好坏,可以从下面几个方面,进行判断:1.硅管或锗管的判断:硅管的发射结正向压降一般为0.6-0.7V-,而锗管只有0.2-0.3V所以只要测的发射结的正向压降,即可区别硅管或锗管.2.NPN管和PNP管型的判别:把万用...
@蔡以5825：硅管的管压降是多大?众说纷纭. -
巢义13499674777…… 硅管结电压(压降)为0.7V左右,较大电流(几十安上百安)的为1V左右.这不是权威答案,但可信.
@蔡以5825：三极管的芯片大小与它本身的压降有什么关系 -
巢义13499674777…… 三极管的PN'结'分'点''面'接触型,当然是面接触的PN结电流大(功率放大、整流),'点'接触的PN结频率高(高频放大、检波);它们虽有以上特性但是它们的'结压降'却是一样:硅材料三极管结压降:0.7V左右、锗材料三极管结压降:0.3V左右 三极管的芯面积大小有变但它本身的结压降无变.
