三极管rbe怎么算
@汪狄5046：rbe的计算公式
彭吴15231934289…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@汪狄5046：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
彭吴15231934289…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@汪狄5046：复合三极管的rbe怎么求? -
彭吴15231934289…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@汪狄5046：三极管rbe值 -
彭吴15231934289…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@汪狄5046：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
彭吴15231934289…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@汪狄5046：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
彭吴15231934289…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
@汪狄5046：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
彭吴15231934289…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@汪狄5046：三极管r eb值
彭吴15231934289…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@汪狄5046：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
彭吴15231934289…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@汪狄5046：谁知道三极管的放大倍数怎么计算啊! -
彭吴15231934289…… 实际上就是利用万用表上测三极管放大倍数的电路原理进行测量计算.β=Ic/Ib 设计一个电路,设定 Ib,测出 Ic,就可以计算出 β.下图中电源电压5V,Rb=4.3K,Ib=(5-0.7)/4.3=1mA,用万用表测量Rc上的电压U,Ic=U/Rc.由 β=Ic/Ib 得到:测量到的电压读数(mV)就是 β 值.当然也可以不用Rc,用万用表电流档直接替代Rc,测量到的电流读数(mA)就是 β 值.
彭吴15231934289…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@汪狄5046：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
彭吴15231934289…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@汪狄5046：复合三极管的rbe怎么求? -
彭吴15231934289…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@汪狄5046：三极管rbe值 -
彭吴15231934289…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@汪狄5046：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
彭吴15231934289…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@汪狄5046：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
彭吴15231934289…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
@汪狄5046：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
彭吴15231934289…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@汪狄5046：三极管r eb值
彭吴15231934289…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@汪狄5046：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
彭吴15231934289…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@汪狄5046：谁知道三极管的放大倍数怎么计算啊! -
彭吴15231934289…… 实际上就是利用万用表上测三极管放大倍数的电路原理进行测量计算.β=Ic/Ib 设计一个电路,设定 Ib,测出 Ic,就可以计算出 β.下图中电源电压5V,Rb=4.3K,Ib=(5-0.7)/4.3=1mA,用万用表测量Rc上的电压U,Ic=U/Rc.由 β=Ic/Ib 得到:测量到的电压读数(mV)就是 β 值.当然也可以不用Rc,用万用表电流档直接替代Rc,测量到的电流读数(mA)就是 β 值.
