rbe公式中是200还是300
@徐叶3918：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
伍弦15023204398…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@徐叶3918：放大电路计算 -
伍弦15023204398…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@徐叶3918：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
伍弦15023204398…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@徐叶3918：放大电路的输入阻抗和输入电阻是如何计算,它们的高低起到什么作用?求助 -
伍弦15023204398…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是管子的基区电阻. 然后再把rbe 与基极偏流电阻RB并联算出真正的输入电阻.RB一般比较大,可以忽略. 输出电阻RO约等于RC值. 输入电阻大一些好,可以减轻被放大信号的信号源负担,少索取信号源电流,使信号源有效的信号电压尽量加在放大器上. 输出电阻小一些好,可以使放大器带负荷的能力强一些.可以多一些的输出电流.
@徐叶3918：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
伍弦15023204398…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@徐叶3918：rbe的计算公式
伍弦15023204398…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@徐叶3918：共射放大电路如题图2 - 4所示,已知β,Rb1,Rb2,Re,Rc,Rl求(1)计算电路的静态工作点 -
伍弦15023204398…… 假设电路工作在放大区(因为没有具体的数据,不在放大区无法计算). ①、工作点大概的估算公式为:(Vc*Rb2/(Rb1+Rb2)-0.65)/Re 意思是:集电极电流≈发射极电位/发射极电阻=(基极电位-发射结电压)/发射极电阻 ②、Rbe的表达式:Rbe=rbe+βRe,其中的rbe是指在特定工作点下的基极电阻,需查晶体管手册中给定测试数据得到.rbe随基极电流的增大而减小,当基极电流比较大时可以忽略,但基极电流较小时不能忽略. ③、 其中的 Rb 是Rb1 和Rb2 并联等效电阻.
@徐叶3918：急用!!!!!!!!!!! 二极管 三极管 各项参数 计算公式 为考试用 你懂的 什么型号的 都不要 感谢了 -
伍弦15023204398…… 二极管正向导通压降 硅管:0.6~0.7V;锗管:0.2~0.3V 三极管电流放大系数β=Ic/Ib 三极管基极电流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb,其中Ubeq为基极导通压降,硅管约为0.7V 三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb'+β*Ut/Icq,其中rbb'为基极电阻,约为150~200Ω,Ut常温下约为26mV,Icq为集极静态电流.三极管跨导gm=Icq/Ut,Ut约为26mV,在忽略rbb'时,gm≈β/rbe.还有什么不清楚的可以继续追问我 望采纳,谢谢~~
@徐叶3918：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
伍弦15023204398…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
@徐叶3918：关于三极管Rbe电阻的计算和静态工作点分压? -
伍弦15023204398…… 你可能没有考虑集电极电流在Re上产生的压降.当发射极电位抬高后,基极电位也会抬高,加上你计算的值,应该就对了.
伍弦15023204398…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@徐叶3918：放大电路计算 -
伍弦15023204398…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@徐叶3918：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
伍弦15023204398…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@徐叶3918：放大电路的输入阻抗和输入电阻是如何计算,它们的高低起到什么作用?求助 -
伍弦15023204398…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是管子的基区电阻. 然后再把rbe 与基极偏流电阻RB并联算出真正的输入电阻.RB一般比较大,可以忽略. 输出电阻RO约等于RC值. 输入电阻大一些好,可以减轻被放大信号的信号源负担,少索取信号源电流,使信号源有效的信号电压尽量加在放大器上. 输出电阻小一些好,可以使放大器带负荷的能力强一些.可以多一些的输出电流.
@徐叶3918：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
伍弦15023204398…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@徐叶3918：rbe的计算公式
伍弦15023204398…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@徐叶3918：共射放大电路如题图2 - 4所示,已知β,Rb1,Rb2,Re,Rc,Rl求(1)计算电路的静态工作点 -
伍弦15023204398…… 假设电路工作在放大区(因为没有具体的数据,不在放大区无法计算). ①、工作点大概的估算公式为:(Vc*Rb2/(Rb1+Rb2)-0.65)/Re 意思是:集电极电流≈发射极电位/发射极电阻=(基极电位-发射结电压)/发射极电阻 ②、Rbe的表达式:Rbe=rbe+βRe,其中的rbe是指在特定工作点下的基极电阻,需查晶体管手册中给定测试数据得到.rbe随基极电流的增大而减小,当基极电流比较大时可以忽略,但基极电流较小时不能忽略. ③、 其中的 Rb 是Rb1 和Rb2 并联等效电阻.
@徐叶3918：急用!!!!!!!!!!! 二极管 三极管 各项参数 计算公式 为考试用 你懂的 什么型号的 都不要 感谢了 -
伍弦15023204398…… 二极管正向导通压降 硅管:0.6~0.7V;锗管:0.2~0.3V 三极管电流放大系数β=Ic/Ib 三极管基极电流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb,其中Ubeq为基极导通压降,硅管约为0.7V 三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb'+β*Ut/Icq,其中rbb'为基极电阻,约为150~200Ω,Ut常温下约为26mV,Icq为集极静态电流.三极管跨导gm=Icq/Ut,Ut约为26mV,在忽略rbb'时,gm≈β/rbe.还有什么不清楚的可以继续追问我 望采纳,谢谢~~
@徐叶3918：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
伍弦15023204398…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
@徐叶3918：关于三极管Rbe电阻的计算和静态工作点分压? -
伍弦15023204398…… 你可能没有考虑集电极电流在Re上产生的压降.当发射极电位抬高后,基极电位也会抬高,加上你计算的值,应该就对了.
