三极管rbe计算公式
@沈爸4533：rbe的计算公式
逯胆18988936230…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@沈爸4533：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
逯胆18988936230…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@沈爸4533：复合三极管的rbe怎么求? -
逯胆18988936230…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@沈爸4533：三极管r eb值
逯胆18988936230…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@沈爸4533：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
逯胆18988936230…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@沈爸4533：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
逯胆18988936230…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@沈爸4533：三极管输入电阻怎么是Ri=RB//Rbe,用并联公式应该是Ri=RB*Rbe//RB+Rbe? - 作业帮
逯胆18988936230…… [答案] 这只是一种表示形式,不是计算式. 即两个电阻RB和Rbe并联时,得总电阻是Ri,在计算时是这样写:Ri=RB*Rbe / (RB+Rbe) 而在表示它们是并联关系时可表示为:Ri=RB//Rbe 注:你的Ri=RB*Rbe//RB+Rbe是错的.
@沈爸4533：三极管的输入电阻 Rbe 公式,为什么这里要用 约等于≈ 不是正好等于吗? 点击可看到大图 (1 + β) 不是正好约去了吗,就是从第一个式子直接得... - 作业帮
逯胆18988936230…… [答案] 看上一行,是等号;因为beta>>1, 所以beta 1~= beta,所以 Rbe也是约等于了
@沈爸4533：谁知道三极管的放大倍数怎么计算啊! -
逯胆18988936230…… 实际上就是利用万用表上测三极管放大倍数的电路原理进行测量计算.β=Ic/Ib 设计一个电路,设定 Ib,测出 Ic,就可以计算出 β.下图中电源电压5V,Rb=4.3K,Ib=(5-0.7)/4.3=1mA,用万用表测量Rc上的电压U,Ic=U/Rc.由 β=Ic/Ib 得到:测量到的电压读数(mV)就是 β 值.当然也可以不用Rc,用万用表电流档直接替代Rc,测量到的电流读数(mA)就是 β 值.
@沈爸4533：三极管rbe值 -
逯胆18988936230…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
逯胆18988936230…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@沈爸4533：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
逯胆18988936230…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@沈爸4533：复合三极管的rbe怎么求? -
逯胆18988936230…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@沈爸4533：三极管r eb值
逯胆18988936230…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@沈爸4533：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
逯胆18988936230…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@沈爸4533：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
逯胆18988936230…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@沈爸4533：三极管输入电阻怎么是Ri=RB//Rbe,用并联公式应该是Ri=RB*Rbe//RB+Rbe? - 作业帮
逯胆18988936230…… [答案] 这只是一种表示形式,不是计算式. 即两个电阻RB和Rbe并联时,得总电阻是Ri,在计算时是这样写:Ri=RB*Rbe / (RB+Rbe) 而在表示它们是并联关系时可表示为:Ri=RB//Rbe 注:你的Ri=RB*Rbe//RB+Rbe是错的.
@沈爸4533：三极管的输入电阻 Rbe 公式,为什么这里要用 约等于≈ 不是正好等于吗? 点击可看到大图 (1 + β) 不是正好约去了吗,就是从第一个式子直接得... - 作业帮
逯胆18988936230…… [答案] 看上一行,是等号;因为beta>>1, 所以beta 1~= beta,所以 Rbe也是约等于了
@沈爸4533：谁知道三极管的放大倍数怎么计算啊! -
逯胆18988936230…… 实际上就是利用万用表上测三极管放大倍数的电路原理进行测量计算.β=Ic/Ib 设计一个电路,设定 Ib,测出 Ic,就可以计算出 β.下图中电源电压5V,Rb=4.3K,Ib=(5-0.7)/4.3=1mA,用万用表测量Rc上的电压U,Ic=U/Rc.由 β=Ic/Ib 得到:测量到的电压读数(mV)就是 β 值.当然也可以不用Rc,用万用表电流档直接替代Rc,测量到的电流读数(mA)就是 β 值.
@沈爸4533：三极管rbe值 -
逯胆18988936230…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
