rbe计算公式详解
@裴魏1212：rbe的计算公式
邹勇19316042282…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@裴魏1212：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
邹勇19316042282…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@裴魏1212：放大电路计算 -
邹勇19316042282…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@裴魏1212：复合三极管的rbe怎么求? -
邹勇19316042282…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@裴魏1212：Ri=Rb//rbe是什么意思//符号是怎么算的 - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] 双斜杠//经常用来表示并联计算 Ri=Rb//rbe=(Rbrbe)/(Rb+rbe)
@裴魏1212：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
邹勇19316042282…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@裴魏1212：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@裴魏1212：三极管输入电阻怎么是Ri=RB//Rbe,用并联公式应该是Ri=RB*Rbe//RB+Rbe? - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] 这只是一种表示形式,不是计算式. 即两个电阻RB和Rbe并联时,得总电阻是Ri,在计算时是这样写:Ri=RB*Rbe / (RB+Rbe) 而在表示它们是并联关系时可表示为:Ri=RB//Rbe 注:你的Ri=RB*Rbe//RB+Rbe是错的.
@裴魏1212：模拟电路中这个符号是什么意思啊在求基本放大电路的动态分析的时候用到的一个公式 ri=rbe//RB1//RB2 这个符号//是什么符号啊 怎么计算啊 - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] R=R1 // R2 表示R等于R1与R2的并联; 计算方法是:1/R = 1/R1 + 1/R2 R = R1*R2 / (R1 +R2) R=R1//R2//R3 表示3个电阻的并联;可以先算出R1//R2的并联电阻R12,再算R12与R3的并联电阻.
@裴魏1212：已知某小功率管IB=20μA,估算其输入电阻rbe= - -------. -
邹勇19316042282…… 假设晶体管是硅管.硅管的PN结压降为0.5伏. rbe=0.5/0.00002=25000欧=2.5K
邹勇19316042282…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@裴魏1212：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
邹勇19316042282…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@裴魏1212：放大电路计算 -
邹勇19316042282…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@裴魏1212：复合三极管的rbe怎么求? -
邹勇19316042282…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@裴魏1212：Ri=Rb//rbe是什么意思//符号是怎么算的 - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] 双斜杠//经常用来表示并联计算 Ri=Rb//rbe=(Rbrbe)/(Rb+rbe)
@裴魏1212：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
邹勇19316042282…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@裴魏1212：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@裴魏1212：三极管输入电阻怎么是Ri=RB//Rbe,用并联公式应该是Ri=RB*Rbe//RB+Rbe? - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] 这只是一种表示形式,不是计算式. 即两个电阻RB和Rbe并联时,得总电阻是Ri,在计算时是这样写:Ri=RB*Rbe / (RB+Rbe) 而在表示它们是并联关系时可表示为:Ri=RB//Rbe 注:你的Ri=RB*Rbe//RB+Rbe是错的.
@裴魏1212：模拟电路中这个符号是什么意思啊在求基本放大电路的动态分析的时候用到的一个公式 ri=rbe//RB1//RB2 这个符号//是什么符号啊 怎么计算啊 - 作业帮
邹勇19316042282…… [答案] R=R1 // R2 表示R等于R1与R2的并联; 计算方法是:1/R = 1/R1 + 1/R2 R = R1*R2 / (R1 +R2) R=R1//R2//R3 表示3个电阻的并联;可以先算出R1//R2的并联电阻R12,再算R12与R3的并联电阻.
@裴魏1212：已知某小功率管IB=20μA,估算其输入电阻rbe= - -------. -
邹勇19316042282…… 假设晶体管是硅管.硅管的PN结压降为0.5伏. rbe=0.5/0.00002=25000欧=2.5K
