rbe的计算公式用200还是300
@养震4111：模拟电路放大Rbe问题 -
卢采14767018521…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@养震4111：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
卢采14767018521…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@养震4111：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
卢采14767018521…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@养震4111：放大电路计算 -
卢采14767018521…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@养震4111：三极管rce的估算公式是什么? -
卢采14767018521…… 这个没有估算公式,Rce应该是无穷大的,导通时电阻根据导通饱和度的不同而不同
@养震4111：rbe的计算公式
卢采14767018521…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@养震4111：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
卢采14767018521…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@养震4111：复合三极管的rbe怎么求? -
卢采14767018521…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@养震4111：如何计算电子元件三极管的放大倍数,以及公式的使用?
卢采14767018521…… 公式是:Au=-ßRL'/rbe 式中:rbe=300+(1+ß)26/IE RL'=Rc//RL
@养震4111：multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数 -
卢采14767018521…… rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略, 基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)*β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)*β 26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数).
卢采14767018521…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@养震4111：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
卢采14767018521…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@养震4111：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
卢采14767018521…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@养震4111：放大电路计算 -
卢采14767018521…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@养震4111：三极管rce的估算公式是什么? -
卢采14767018521…… 这个没有估算公式,Rce应该是无穷大的,导通时电阻根据导通饱和度的不同而不同
@养震4111：rbe的计算公式
卢采14767018521…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@养震4111：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
卢采14767018521…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@养震4111：复合三极管的rbe怎么求? -
卢采14767018521…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@养震4111：如何计算电子元件三极管的放大倍数,以及公式的使用?
卢采14767018521…… 公式是:Au=-ßRL'/rbe 式中:rbe=300+(1+ß)26/IE RL'=Rc//RL
@养震4111：multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数 -
卢采14767018521…… rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略, 基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)*β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)*β 26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数).
