rbe值怎么计算公式
@吉应4386：rbe的计算公式
孔岸15282033047…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@吉应4386：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
孔岸15282033047…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@吉应4386：放大电路计算 -
孔岸15282033047…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@吉应4386：复合三极管的rbe怎么求? -
孔岸15282033047…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@吉应4386：三极管r eb值
孔岸15282033047…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@吉应4386：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
孔岸15282033047…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@吉应4386：模拟电路求解静态工作点 -
孔岸15282033047…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@吉应4386：三极管rbe值 -
孔岸15282033047…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@吉应4386：Ri=Rb//rbe是什么意思//符号是怎么算的 - 作业帮
孔岸15282033047…… [答案] 双斜杠//经常用来表示并联计算 Ri=Rb//rbe=(Rbrbe)/(Rb+rbe)
@吉应4386：multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数 -
孔岸15282033047…… rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略, 基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)*β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)*β 26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数).
孔岸15282033047…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@吉应4386：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
孔岸15282033047…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@吉应4386：放大电路计算 -
孔岸15282033047…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@吉应4386：复合三极管的rbe怎么求? -
孔岸15282033047…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@吉应4386：三极管r eb值
孔岸15282033047…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@吉应4386：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
孔岸15282033047…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@吉应4386：模拟电路求解静态工作点 -
孔岸15282033047…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@吉应4386：三极管rbe值 -
孔岸15282033047…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@吉应4386：Ri=Rb//rbe是什么意思//符号是怎么算的 - 作业帮
孔岸15282033047…… [答案] 双斜杠//经常用来表示并联计算 Ri=Rb//rbe=(Rbrbe)/(Rb+rbe)
@吉应4386：multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数 -
孔岸15282033047…… rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略, 基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)*β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)*β 26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数).
