rbe的计算公式中ie怎么求
@那翠2705：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
柯香17893376212…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@那翠2705：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
柯香17893376212…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@那翠2705：已知某小功率三极管的发射极电流IE=1.3mA,电流放大倍数 =49,则其等效输入电阻为rbe= .怎么求?
柯香17893376212…… rbe≈400÷(1+β)26/IE IE单位为毫安 rbe单位为欧 此公式在发射极电流小于5毫安情况下适用
@那翠2705：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
柯香17893376212…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@那翠2705：三极管微变等效电路,欲求rbe,为何教材中在知道Ib的情况下,还非要把Ie求出来,再带入公式?没想通 -
柯香17893376212…… ib大多数单位是μA表示,怕公式直接把数字带上去所以这么算
@那翠2705：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
柯香17893376212…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@那翠2705：模拟电路求解静态工作点 -
柯香17893376212…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@那翠2705：求模电差动放大器的实验数据 -
柯香17893376212…… 这个网上有呀, 给你抄了过来,参考一下 差动放大器 一、 实验目的 1、 计算差动放大器的发射极直流电流Ie,并比较测量值与计算值. 2、 计算差动放大器的集电极直流电流Ic,并比较测量值与计算值. 3、 计算差动放大器的集电极直流电压...
@那翠2705：三极管r eb值
柯香17893376212…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@那翠2705：rbe的计算公式
柯香17893376212…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
柯香17893376212…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@那翠2705：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
柯香17893376212…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@那翠2705：已知某小功率三极管的发射极电流IE=1.3mA,电流放大倍数 =49,则其等效输入电阻为rbe= .怎么求?
柯香17893376212…… rbe≈400÷(1+β)26/IE IE单位为毫安 rbe单位为欧 此公式在发射极电流小于5毫安情况下适用
@那翠2705：一个放大电路的输入电阻和输出电阻,该怎么算 -
柯香17893376212…… 对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β)26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器的IE=1-2毫安时,rbe=1k欧姆左右.式中rb=300欧姆,是...
@那翠2705：三极管微变等效电路,欲求rbe,为何教材中在知道Ib的情况下,还非要把Ie求出来,再带入公式?没想通 -
柯香17893376212…… ib大多数单位是μA表示,怕公式直接把数字带上去所以这么算
@那翠2705：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
柯香17893376212…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@那翠2705：模拟电路求解静态工作点 -
柯香17893376212…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@那翠2705：求模电差动放大器的实验数据 -
柯香17893376212…… 这个网上有呀, 给你抄了过来,参考一下 差动放大器 一、 实验目的 1、 计算差动放大器的发射极直流电流Ie,并比较测量值与计算值. 2、 计算差动放大器的集电极直流电流Ic,并比较测量值与计算值. 3、 计算差动放大器的集电极直流电压...
@那翠2705：三极管r eb值
柯香17893376212…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@那翠2705：rbe的计算公式
柯香17893376212…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
