rbe计算公式是什么
@荆茅3462：rbe的计算公式
宫转13119299093…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@荆茅3462：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
宫转13119299093…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@荆茅3462：电子技术基础中r(be)什么算 -
宫转13119299093…… rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib式中rbb`=100-300的常数,高频管取100Ω、低频管取300Ω,有给定值的去给定值.Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流,以mA为单位,计算结果是欧姆.
@荆茅3462：放大电路计算 -
宫转13119299093…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@荆茅3462：复合三极管的rbe怎么求? -
宫转13119299093…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@荆茅3462：模拟电路求解静态工作点 -
宫转13119299093…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@荆茅3462：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
宫转13119299093…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@荆茅3462：三极管r eb值
宫转13119299093…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@荆茅3462：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
宫转13119299093…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@荆茅3462：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
宫转13119299093…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
宫转13119299093…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@荆茅3462：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
宫转13119299093…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@荆茅3462：电子技术基础中r(be)什么算 -
宫转13119299093…… rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib式中rbb`=100-300的常数,高频管取100Ω、低频管取300Ω,有给定值的去给定值.Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流,以mA为单位,计算结果是欧姆.
@荆茅3462：放大电路计算 -
宫转13119299093…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@荆茅3462：复合三极管的rbe怎么求? -
宫转13119299093…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@荆茅3462：模拟电路求解静态工作点 -
宫转13119299093…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@荆茅3462：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
宫转13119299093…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@荆茅3462：三极管r eb值
宫转13119299093…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@荆茅3462：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
宫转13119299093…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@荆茅3462：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
宫转13119299093…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
