三极管rbe大概有多大
@轩桦5899：三极管的内阻大概是多少? -
孙彩18854214751…… 你好!三极管内阻指这个(我在图上有标注) ,有输入电阻和输出电阻,输入电阻是一个小电阻接在基极,即rbe,输出电阻为rc=(rc//rl),电容和电感并联,下面我把三极管内部结构画给你看~~
@轩桦5899：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
孙彩18854214751…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@轩桦5899：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
孙彩18854214751…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@轩桦5899：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
孙彩18854214751…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@轩桦5899：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
孙彩18854214751…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
@轩桦5899：三极管r eb值
孙彩18854214751…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@轩桦5899：三极管rbe值 -
孙彩18854214751…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@轩桦5899：三极管rbe与reb两个有什么区别!什么时候还用reb计算什么时候该用rbe计算 -
孙彩18854214751…… 这都是指be结导通状态下的等效电阻,导通时的电流都是从P到N. 所以NPN三极管导通时电流是从b到e,所以是rbe;而PNP三极管导通时电流是从e到b,所以是reb
@轩桦5899：硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少? -
孙彩18854214751…… 三极管基极和发射极之间是一个pn结.一般说硅pn结正向压降(电压)0.6V~0.7V.正如okmye网友所说,它有一个大约0.5V的起始值.rbe是动态电阻,即三极管输入特性曲线的斜率,而rbeIb*只是一个电压动态变化量,一般认为这个电压动态...
孙彩18854214751…… 你好!三极管内阻指这个(我在图上有标注) ,有输入电阻和输出电阻,输入电阻是一个小电阻接在基极,即rbe,输出电阻为rc=(rc//rl),电容和电感并联,下面我把三极管内部结构画给你看~~
@轩桦5899：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
孙彩18854214751…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@轩桦5899：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
孙彩18854214751…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@轩桦5899：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
孙彩18854214751…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@轩桦5899：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
孙彩18854214751…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
@轩桦5899：三极管r eb值
孙彩18854214751…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@轩桦5899：三极管rbe值 -
孙彩18854214751…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@轩桦5899：三极管rbe与reb两个有什么区别!什么时候还用reb计算什么时候该用rbe计算 -
孙彩18854214751…… 这都是指be结导通状态下的等效电阻,导通时的电流都是从P到N. 所以NPN三极管导通时电流是从b到e,所以是rbe;而PNP三极管导通时电流是从e到b,所以是reb
@轩桦5899：硅三极管基级和发射级的之间的电压到底是多少? -
孙彩18854214751…… 三极管基极和发射极之间是一个pn结.一般说硅pn结正向压降(电压)0.6V~0.7V.正如okmye网友所说,它有一个大约0.5V的起始值.rbe是动态电阻,即三极管输入特性曲线的斜率,而rbeIb*只是一个电压动态变化量,一般认为这个电压动态...
