增强型和耗尽型mos管区别
@宰询717：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
陆蓉13298869535…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@宰询717：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
陆蓉13298869535…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@宰询717：mos管增强型与耗尽型的区别在哪里?
陆蓉13298869535…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0. 耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0. 通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@宰询717：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
陆蓉13298869535…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@宰询717：mos耗尽型管与增强型的异同点?
陆蓉13298869535…… 区别在于当Vgs为0时,增强型(E型)不存在导电沟道,耗尽型(D型)存在导电沟道,原因是E型的导通电压(阈值电压)Vth>0,D型的Vth<0.
@宰询717：P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
陆蓉13298869535…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
@宰询717：增强型和耗尽型MOS管内部结构的区别是什么 -
陆蓉13298869535…… 一个平时截至,加电压导通,一个平时导通,加电压趋向截至顾名思义,就是漏极电流是随栅源极电压“增强”还是“耗尽” 增强型与耗尽型不同的是阈值.增强型──阈值是正的.未加任何电压(VGS=0)时没有形成沟道,随着VGS上升(N管),沟道慢慢形成. 耗尽型──阈值是负的.未加任何电压(VGS=0)时已经有沟道,要想它截止,必须加一个负的VGS(N管)使沟道耗尽. 增强型与耗尽型ID-VGS曲线是向同一个方向的,也就是说(N管),ID都是随VGS增加而增加(不是指绝对值).这与N管和P管的区别不同,虽然P管的阈值也是负的,但它的ID-VGS曲线也倒了个方向.
@宰询717：N沟道绝缘栅增强型场效应管与N沟道耗尽型场效应管有什么不同? -
陆蓉13298869535…… 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型.一、基本结构场效应管是利用...
@宰询717：请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
陆蓉13298869535…… 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
@宰询717：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
陆蓉13298869535…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
陆蓉13298869535…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@宰询717：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
陆蓉13298869535…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@宰询717：mos管增强型与耗尽型的区别在哪里?
陆蓉13298869535…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0. 耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0. 通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@宰询717：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
陆蓉13298869535…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@宰询717：mos耗尽型管与增强型的异同点?
陆蓉13298869535…… 区别在于当Vgs为0时,增强型(E型)不存在导电沟道,耗尽型(D型)存在导电沟道,原因是E型的导通电压(阈值电压)Vth>0,D型的Vth<0.
@宰询717：P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
陆蓉13298869535…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
@宰询717：增强型和耗尽型MOS管内部结构的区别是什么 -
陆蓉13298869535…… 一个平时截至,加电压导通,一个平时导通,加电压趋向截至顾名思义,就是漏极电流是随栅源极电压“增强”还是“耗尽” 增强型与耗尽型不同的是阈值.增强型──阈值是正的.未加任何电压(VGS=0)时没有形成沟道,随着VGS上升(N管),沟道慢慢形成. 耗尽型──阈值是负的.未加任何电压(VGS=0)时已经有沟道,要想它截止,必须加一个负的VGS(N管)使沟道耗尽. 增强型与耗尽型ID-VGS曲线是向同一个方向的,也就是说(N管),ID都是随VGS增加而增加(不是指绝对值).这与N管和P管的区别不同,虽然P管的阈值也是负的,但它的ID-VGS曲线也倒了个方向.
@宰询717：N沟道绝缘栅增强型场效应管与N沟道耗尽型场效应管有什么不同? -
陆蓉13298869535…… 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型.一、基本结构场效应管是利用...
@宰询717：请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
陆蓉13298869535…… 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
@宰询717：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
陆蓉13298869535…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
