晶体管放大区的条件

@关闻2925：晶体管放大区 - 搜狗百科
甘咸18043436006…… 放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN). 截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN). 饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).

@关闻2925：晶体三极管具有放大作用的内外条件分别是什么 - 作业帮
甘咸18043436006…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏

@关闻2925：晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
甘咸18043436006…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.

@关闻2925：晶体管工作在放大时的放大条件是 - 上学吧普法考试
甘咸18043436006…… 放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态.

@关闻2925：2.晶体三极管的放大条件是( ). -
甘咸18043436006…… A, 三极管NPN,PNP两种在放大区的前提条件就是发射结正偏,集电结反偏.NPN 型家的电源EC在集电结端为正,发射结为负.PNP型加的电源相反.