本征增益的计算公式
@从路4270：dbm和db与W之间的关系 -
郎军19244012268…… dBm是一个考征功率绝对值的值,计算公式为:10lgP(功率值/1mw). [例1] 如果发射功率P为1mw,折算为dBm后为0dBm. [例2] 对于40W的功率,按dBm单位进行折算后的值应为: 10lg(40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm. 2、dBi 和dBd dBi和dBd是考征增益的值(功率增益),两者都是一个相对值, 但参考基准不一样.dBi的参考基准为全方向性天线,dBd的参考基准为偶极子, 所以两者略有不同.一般认为,表示同一个增益,用dBi表示出来比用dBd表示出 来要大2. 15.
@从路4270：dBm, dBi, dBd, dB, dBc的区别 -
郎军19244012268…… 1、dBm dBm是一个考征功率绝对值的值,计算公式为:10lgP(功率值/1mw). [例1] 如果发射功率P为1mw,折算为dBm后为0dBm. [例2] 对于40W的功率,按dBm单位进行折算后的值应为: 10lg(40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+10...
@从路4270：为什么天线增益要用dBi做单位,不用dBd、dBm等? -
郎军19244012268…… dBi的参考基准为全方向性天线;dBd的参考基准为偶极子.一般认为dBi和dBd表示同一个增益,用dBi表示的值比用dBd表示的要大2.15 dBi.[例1] 对于一面增益为16dBd的天线,其增益折算成单位为dBi时,则为18.15dBi(一般忽略小数位,...
@从路4270：半导体本征浓度怎么计算 -
郎军19244012268…… 一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算: ni(T)=AT3/2e-EG/2kT式中, EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为禁带宽度; T——温度; A——系数; k——波耳兹曼常数(1.38*10-23J/K); e——自然对数的底. 由于在本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的,所以这个计算公式也可以用来表示空穴的浓度.
@从路4270：mos器件的几何尺寸对本征增益,输出电阻及频率特性有什么影响 -
郎军19244012268…… 共射放大电路的电压放大倍数公式: A=-β*(Rc‖RL)/rbe 前面的负号表示是反相放大;‖号表示集电极电阻Rc与外接负载电阻RL并联;分母rbe是基极与射极间交流电阻.由式中可以看出:当RC与RL增大,则它们的并联值也增大,放大器的电压增益将会增大. 但是有一点要注意:RC增大会导致静态工作点的变化,集---射间的直流电压将下降,有可能导致三极管进入饱和区而引起饱和失真.
@从路4270：怎么求函数的本征值和本征态 -
郎军19244012268…… 知道本征值就可以带入定态薛定谔方程计算本征态.也就是波函数
@从路4270：1dBm的信号经过增益为3dBi的天线放大后是多少? -
郎军19244012268…… 假设P是输入信号功率,天线增益为G,则空间一点产生的功率密度Power density = P·G / 4πR^2;而理想辐射单元的发射增益G = 1,所以Power density = P / 4πR^2 dBi的定义:表示实际天线与理想的辐射元在空间同一点处所产生的信号的功率...
@从路4270：什么是本征增益?什么是本征增益?模拟CMOS集成电路中的问题
郎军19244012268…… 没有反馈时候增益.望采纳.
@从路4270：当运放的信号电压v1=20mv时,测得输出电压v0=4V,求运算放大器的开环增益Av0( -
郎军19244012268…… 你好,输出除以输入电压差就是增益了,计算如下: avo=4v÷20mv*1kω÷(1kω+1m)=200200=106.2db
@从路4270：求算符本征值和本征态 -
郎军19244012268…… 具体到这个矩阵算符,这是一个线性代数问题. 也就是求解该矩阵的本征值和对应的本征向量.换种说法就叫把这个矩阵对角化.
郎军19244012268…… dBm是一个考征功率绝对值的值,计算公式为:10lgP(功率值/1mw). [例1] 如果发射功率P为1mw,折算为dBm后为0dBm. [例2] 对于40W的功率,按dBm单位进行折算后的值应为: 10lg(40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm. 2、dBi 和dBd dBi和dBd是考征增益的值(功率增益),两者都是一个相对值, 但参考基准不一样.dBi的参考基准为全方向性天线,dBd的参考基准为偶极子, 所以两者略有不同.一般认为,表示同一个增益,用dBi表示出来比用dBd表示出 来要大2. 15.
@从路4270：dBm, dBi, dBd, dB, dBc的区别 -
郎军19244012268…… 1、dBm dBm是一个考征功率绝对值的值,计算公式为:10lgP(功率值/1mw). [例1] 如果发射功率P为1mw,折算为dBm后为0dBm. [例2] 对于40W的功率,按dBm单位进行折算后的值应为: 10lg(40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+10...
@从路4270：为什么天线增益要用dBi做单位,不用dBd、dBm等? -
郎军19244012268…… dBi的参考基准为全方向性天线;dBd的参考基准为偶极子.一般认为dBi和dBd表示同一个增益,用dBi表示的值比用dBd表示的要大2.15 dBi.[例1] 对于一面增益为16dBd的天线,其增益折算成单位为dBi时,则为18.15dBi(一般忽略小数位,...
@从路4270：半导体本征浓度怎么计算 -
郎军19244012268…… 一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算: ni(T)=AT3/2e-EG/2kT式中, EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为禁带宽度; T——温度; A——系数; k——波耳兹曼常数(1.38*10-23J/K); e——自然对数的底. 由于在本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的,所以这个计算公式也可以用来表示空穴的浓度.
@从路4270：mos器件的几何尺寸对本征增益,输出电阻及频率特性有什么影响 -
郎军19244012268…… 共射放大电路的电压放大倍数公式: A=-β*(Rc‖RL)/rbe 前面的负号表示是反相放大;‖号表示集电极电阻Rc与外接负载电阻RL并联;分母rbe是基极与射极间交流电阻.由式中可以看出:当RC与RL增大,则它们的并联值也增大,放大器的电压增益将会增大. 但是有一点要注意:RC增大会导致静态工作点的变化,集---射间的直流电压将下降,有可能导致三极管进入饱和区而引起饱和失真.
@从路4270：怎么求函数的本征值和本征态 -
郎军19244012268…… 知道本征值就可以带入定态薛定谔方程计算本征态.也就是波函数
@从路4270：1dBm的信号经过增益为3dBi的天线放大后是多少? -
郎军19244012268…… 假设P是输入信号功率,天线增益为G,则空间一点产生的功率密度Power density = P·G / 4πR^2;而理想辐射单元的发射增益G = 1,所以Power density = P / 4πR^2 dBi的定义:表示实际天线与理想的辐射元在空间同一点处所产生的信号的功率...
@从路4270：什么是本征增益?什么是本征增益?模拟CMOS集成电路中的问题
郎军19244012268…… 没有反馈时候增益.望采纳.
@从路4270：当运放的信号电压v1=20mv时,测得输出电压v0=4V,求运算放大器的开环增益Av0( -
郎军19244012268…… 你好,输出除以输入电压差就是增益了,计算如下: avo=4v÷20mv*1kω÷(1kω+1m)=200200=106.2db
@从路4270：求算符本征值和本征态 -
郎军19244012268…… 具体到这个矩阵算符,这是一个线性代数问题. 也就是求解该矩阵的本征值和对应的本征向量.换种说法就叫把这个矩阵对角化.
