模电三极管中rbb如何求
@殳胖1388：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
晁彼15072948366…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@殳胖1388：三极管共射放大电路中rbb'是什么? -
晁彼15072948366…… 三极管EM2模型中,基极内部等效电阻,是100欧左右,具体值在三极管的器件手册中会给出. 等效电路是当电路中某一部分用其等效电路代替之后,未被代替的部分电压和电流均不发生变化,也就是说电压和电流不变的部分只是等效部分以外...
@殳胖1388：三极管的Rbb怎么测量 -
晁彼15072948366…… Rbb 你说的是三极管h网络的交流输入电阻吗 可以考虑用数字电桥LCR来测be间的阻值 原理就是输入交流电压 测得交流电流 然后求阻值
@殳胖1388：模拟电路放大Rbe问题 -
晁彼15072948366…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@殳胖1388：为什么三极管放大电路设计不用注重Rbb?我模电书说要rbb的求rbe的,但现实中手册很少给rbb的数据为什么? -
晁彼15072948366…… 这个问题在模电书上不是写得很清楚嘛, rbb是基区体电阻,你得到的那个用rbb计算rbe的公式,其实已经是近似表达式了,只有在信号比较小,频率低,且线性度比较好的区域,分析结果误差才比较小. 另外,半导体制造的时候,本身就带有极大的分散性,也就是一个袋子里拿出来的晶体管,没有任何两个晶体管的参数是一模一样的,这个称为半导体的分散性,你说,这样的话,让厂家怎么标呢? 现实中的放大电路里,本身放大倍数B(贝塔)就会随着电流变化,不是一个固定值,这个时候,rbb给不给,关系也不大了.对于实际放大电路的放大倍数分析一般都采用另外的工程估算法(你可以去看一下,铃木雅臣的《晶体管电路设计》上,写得很清楚),不需要很精确,偏差正负10%很正常.
@殳胖1388：三极管r eb值
晁彼15072948366…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@殳胖1388：求在三极管中r eb值的精确计算公式 -
晁彼15072948366…… reb=200+(b+1)26/Ie 其中,等号右边的第一个数可以是100-300欧姆,b是“被它”为电流放大系数,常用三极管的在20—200之间,26的单位为毫伏,Ie是发射极电流的静态值. 不好意思,这也只是个估算公式,精确的在下就不知道了,你可以去查一下相关的资料.
@殳胖1388：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
晁彼15072948366…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@殳胖1388：三极管放大电路中 都说rbb'通过查手册可以得到数值,但是我找了好多都没有找到. -
晁彼15072948366…… 这个值大部分的技术手册是查不到的,不过不是所有的都查不到,比如2SC1815的技术文档就有这个数值. 这方面,经典模电教科书都相当扯淡.
@殳胖1388：急用!!!!!!!!!!! 二极管 三极管 各项参数 计算公式 为考试用 你懂的 什么型号的 都不要 感谢了 -
晁彼15072948366…… 二极管正向导通压降 硅管:0.6~0.7V;锗管:0.2~0.3V 三极管电流放大系数β=Ic/Ib 三极管基极电流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb,其中Ubeq为基极导通压降,硅管约为0.7V 三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb'+β*Ut/Icq,其中rbb'为基极电阻,约为150~200Ω,Ut常温下约为26mV,Icq为集极静态电流.三极管跨导gm=Icq/Ut,Ut约为26mV,在忽略rbb'时,gm≈β/rbe.还有什么不清楚的可以继续追问我 望采纳,谢谢~~
晁彼15072948366…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@殳胖1388：三极管共射放大电路中rbb'是什么? -
晁彼15072948366…… 三极管EM2模型中,基极内部等效电阻,是100欧左右,具体值在三极管的器件手册中会给出. 等效电路是当电路中某一部分用其等效电路代替之后,未被代替的部分电压和电流均不发生变化,也就是说电压和电流不变的部分只是等效部分以外...
@殳胖1388：三极管的Rbb怎么测量 -
晁彼15072948366…… Rbb 你说的是三极管h网络的交流输入电阻吗 可以考虑用数字电桥LCR来测be间的阻值 原理就是输入交流电压 测得交流电流 然后求阻值
@殳胖1388：模拟电路放大Rbe问题 -
晁彼15072948366…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@殳胖1388：为什么三极管放大电路设计不用注重Rbb?我模电书说要rbb的求rbe的,但现实中手册很少给rbb的数据为什么? -
晁彼15072948366…… 这个问题在模电书上不是写得很清楚嘛, rbb是基区体电阻,你得到的那个用rbb计算rbe的公式,其实已经是近似表达式了,只有在信号比较小,频率低,且线性度比较好的区域,分析结果误差才比较小. 另外,半导体制造的时候,本身就带有极大的分散性,也就是一个袋子里拿出来的晶体管,没有任何两个晶体管的参数是一模一样的,这个称为半导体的分散性,你说,这样的话,让厂家怎么标呢? 现实中的放大电路里,本身放大倍数B(贝塔)就会随着电流变化,不是一个固定值,这个时候,rbb给不给,关系也不大了.对于实际放大电路的放大倍数分析一般都采用另外的工程估算法(你可以去看一下,铃木雅臣的《晶体管电路设计》上,写得很清楚),不需要很精确,偏差正负10%很正常.
@殳胖1388：三极管r eb值
晁彼15072948366…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@殳胖1388：求在三极管中r eb值的精确计算公式 -
晁彼15072948366…… reb=200+(b+1)26/Ie 其中,等号右边的第一个数可以是100-300欧姆,b是“被它”为电流放大系数,常用三极管的在20—200之间,26的单位为毫伏,Ie是发射极电流的静态值. 不好意思,这也只是个估算公式,精确的在下就不知道了,你可以去查一下相关的资料.
@殳胖1388：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
晁彼15072948366…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@殳胖1388：三极管放大电路中 都说rbb'通过查手册可以得到数值,但是我找了好多都没有找到. -
晁彼15072948366…… 这个值大部分的技术手册是查不到的,不过不是所有的都查不到,比如2SC1815的技术文档就有这个数值. 这方面,经典模电教科书都相当扯淡.
@殳胖1388：急用!!!!!!!!!!! 二极管 三极管 各项参数 计算公式 为考试用 你懂的 什么型号的 都不要 感谢了 -
晁彼15072948366…… 二极管正向导通压降 硅管:0.6~0.7V;锗管:0.2~0.3V 三极管电流放大系数β=Ic/Ib 三极管基极电流Ib=(Vcc-Ubeq)/Rb,其中Ubeq为基极导通压降,硅管约为0.7V 三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb'+β*Ut/Icq,其中rbb'为基极电阻,约为150~200Ω,Ut常温下约为26mV,Icq为集极静态电流.三极管跨导gm=Icq/Ut,Ut约为26mV,在忽略rbb'时,gm≈β/rbe.还有什么不清楚的可以继续追问我 望采纳,谢谢~~
