画出n型半导体能带图

@福炭2630:1,分别画出本征半导体和n型半导体的能带图,并简要解释其导电机理.2.简述ccd单元结构,以三相ccd为例,说明电荷包转移过程中势阱深度的调节和势阱... - 作业帮
贲览17599735088…… [答案] 只能回答第1题,没做过ccd本征半导体:你把费米能级画在带隙中央就行了,n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方对于本征半导体,只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电,所以电导率很低.n型的话由于杂质带...

@福炭2630:n型半导体掺杂施主杂质浓度从左到右均匀减小时的能带图 -
贲览17599735088…… Ef本身和温度有关,看图是热平衡状态下,书上有Ef关于T的图,只有在低温弱电离区Ef会有向上再向下的变化,其余情况都是与T成反比,至于你说的n0增大看Ef是离导带近前提是T不变,T增大,导带底有效状态密度增大,可以从供求关系来理解,打字不易,希望有益

@福炭2630:画出二极管的电路符号,并标出正极及其工作原理?
贲览17599735088…… 二极管的符号及极性见附图. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态. 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流. 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0. 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象.

@福炭2630:电子的能量为什么能得到不同的能带图 -
贲览17599735088…… 同质P-N结的能带结构图的得出方法如下: 因为在p-n结界面附近处存在着内建电场,而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去,同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去.于是从能量上来看...

@福炭2630:半导体器件能带图
贲览17599735088…… 1.上升下降是相对的,当电势在p和n两边都有降低时(一般都是这样,单边突变结某一边将的更多),那接触时就是p上升,n下降 2.真空能级未变 3.异质结看费米能级,保持接触点能级位置升降到两边费米能级一致即可

@福炭2630:物理问题:两个图怎么看出哪个是P型半导体,哪个是N型半导体? -
贲览17599735088…… 2分钟使你真正了解半导体,p型半导体与n型半导体详解,二极管,0基础学习电子知识,二极管的内部成分,半导体详细讲解

@福炭2630:用能带理论解释下图热电材料伏安特性曲线 -
贲览17599735088…… 我是这么理解的: N型ZnO——P型BiTe,这里面涉及四种元素:Zn,O,Bi,Te,下面分别对这四种元素的电子能态分析: 锌的f层电子已与锌原子"脱离",以离子键形式被束...

@福炭2630:半导体的杂质 -
贲览17599735088…… P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 ).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行.当由于载流子数密...

@福炭2630:解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结 -
贲览17599735088…… 半导体受到外界能量激发(比如光),或者经过掺杂以后,会产生能够自由移动的电子或者空穴(能带理论),这些称为载流子.载流子为电子的半导体成为N型半导体,载流子为空穴的称为P型半导体.当P型半导体和N型半导体接在一起的时候,由于一边缺少电子另一边缺少空穴,电子和空穴就会自发的相对扩散,这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场,随着扩散的进行,这个电场越来越强,直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡,这样就形成了稳定的结区,我们称他为PN结.

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