pn结反偏下的能带图
@轩包5530：半导体的杂质 -
卢谢14710935797…… P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 ).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行.当由于载流子数密...
@轩包5530：NPN型三极管有一个PN结反向偏置为什么还能导电? -
卢谢14710935797…… 三极管导通的原则就是发射结正偏,集电结反偏.这要从三极管的机构说起.发射结正偏是要使基极和发射极间PN结导通,使发射极的多子(电子)可以穿过PN结,而集电结反偏是为了使集电极的电位更高,利于更好的收集发射极穿越过来的电子.这也是他们各极名字的由来.
@轩包5530：什么叫PN结的单向导电性? -
卢谢14710935797…… P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏.此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态.P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开.结电阻很大,当反向...
@轩包5530：电子的能量为什么能得到不同的能带图 -
卢谢14710935797…… 同质P-N结的能带结构图的得出方法如下: 因为在p-n结界面附近处存在着内建电场,而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去,同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去.于是从能量上来看...
@轩包5530：PN结正偏,反偏时,内电场分别如何变化? -
卢谢14710935797…… 当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;PN结正偏时,内电场E减弱,阻挡层宽度减小,利于多子扩散,正向电流I随外加电压的增加急速上升,PN结呈现为一个很小的电阻.
@轩包5530：半导体器件能带图
卢谢14710935797…… 1.上升下降是相对的,当电势在p和n两边都有降低时(一般都是这样,单边突变结某一边将的更多),那接触时就是p上升,n下降 2.真空能级未变 3.异质结看费米能级,保持接触点能级位置升降到两边费米能级一致即可
@轩包5530：二极管PN结反偏问题 -
卢谢14710935797…… pn结的形成与单向导电性 几乎所有的半导体器件都是由不同数量和结构的pn结构成的, 因此, 我们先来了解pn结的结构与特点. 1. pn结的形成 在一块本征半导体上通过某种掺杂工艺, 使其形成n型区和p型区两部分后, 在它们的交界处就形...
@轩包5530：能带理论解释pn结单向导通 -
卢谢14710935797…… P N型区各有自己的准费米能级EFp EFn.未加偏置电压时(VA = 0),PN结处于热平衡状态,EFp = EFn,EIp-EFp=EFn - EIn.有关系EFp - EFn = -qVA.外加正电压时,有EFp -EFn小于0,若将N侧能带固定,则P区能带相对N下降,势垒高度(EIp-EIn)降低了,空穴和电子就可以跃过从而导通.加反向电压则势垒高度(EIp-EIn)升高,不导通.
卢谢14710935797…… P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 ).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行.当由于载流子数密...
@轩包5530：NPN型三极管有一个PN结反向偏置为什么还能导电? -
卢谢14710935797…… 三极管导通的原则就是发射结正偏,集电结反偏.这要从三极管的机构说起.发射结正偏是要使基极和发射极间PN结导通,使发射极的多子(电子)可以穿过PN结,而集电结反偏是为了使集电极的电位更高,利于更好的收集发射极穿越过来的电子.这也是他们各极名字的由来.
@轩包5530：什么叫PN结的单向导电性? -
卢谢14710935797…… P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏.此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态.P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开.结电阻很大,当反向...
@轩包5530：电子的能量为什么能得到不同的能带图 -
卢谢14710935797…… 同质P-N结的能带结构图的得出方法如下: 因为在p-n结界面附近处存在着内建电场,而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去,同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去.于是从能量上来看...
@轩包5530：PN结正偏,反偏时,内电场分别如何变化? -
卢谢14710935797…… 当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;PN结正偏时,内电场E减弱,阻挡层宽度减小,利于多子扩散,正向电流I随外加电压的增加急速上升,PN结呈现为一个很小的电阻.
@轩包5530：半导体器件能带图
卢谢14710935797…… 1.上升下降是相对的,当电势在p和n两边都有降低时(一般都是这样,单边突变结某一边将的更多),那接触时就是p上升,n下降 2.真空能级未变 3.异质结看费米能级,保持接触点能级位置升降到两边费米能级一致即可
@轩包5530：二极管PN结反偏问题 -
卢谢14710935797…… pn结的形成与单向导电性 几乎所有的半导体器件都是由不同数量和结构的pn结构成的, 因此, 我们先来了解pn结的结构与特点. 1. pn结的形成 在一块本征半导体上通过某种掺杂工艺, 使其形成n型区和p型区两部分后, 在它们的交界处就形...
@轩包5530：能带理论解释pn结单向导通 -
卢谢14710935797…… P N型区各有自己的准费米能级EFp EFn.未加偏置电压时(VA = 0),PN结处于热平衡状态,EFp = EFn,EIp-EFp=EFn - EIn.有关系EFp - EFn = -qVA.外加正电压时,有EFp -EFn小于0,若将N侧能带固定,则P区能带相对N下降,势垒高度(EIp-EIn)降低了,空穴和电子就可以跃过从而导通.加反向电压则势垒高度(EIp-EIn)升高,不导通.
