pn结正偏反偏时能带图
@丁裕3779：PN结正偏,反偏时,内电场分别如何变化? -
廉罗19738004324…… 从内部结构上来讲,PN结正偏,反偏时,内电场其实是不发生变化的. 只不过是外电场与内电场的正或反向的“叠加”而以. 从宏观上来看.试想,如果用一次,内电场变了,那么下次怎么用,不就成一次了!
@丁裕3779：pn结正偏,正向电阻很 ,正向电流很 .PN结反偏,反向电阻很 ,反向电流很 -
廉罗19738004324…… PN结正偏时【呈导通状态】,正向电阻很【小】,正向电流很【大】 PN结反偏时【呈截止状态】,反向电阻很【大】,反向电流很【小】
@丁裕3779：三极管的两个pn结构反偏或均正偏时,所对应的状态分别是 -
廉罗19738004324…… 截止状态
@丁裕3779：关于三极管不同PN结正向偏置和反向偏置的问题 -
廉罗19738004324…… 发射结正向偏置,集电结也正向偏置: 饱和状态(集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关).发射结反向偏置,集电结正向偏置: 应该是放大状态(从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向偏置,集电结正向偏置,也就是发射集当集电极用,集电集当发射极用,这时三极管也处于放大状态,但其各个参数会改变).
@丁裕3779：什么叫PN结的单向导电性? -
廉罗19738004324…… P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏.此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态.P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开.结电阻很大,当反向...
@丁裕3779：PN结正向偏置时电阻(),反向偏置时电阻(),这种特性称为PN结的(),但是当硅材料的PN结正向偏压小于 -
廉罗19738004324…… 向偏置呈低阻导电状态反向偏置呈现高阻近似导电状态理想条件认PN结具单向导电性——向偏置导通反向偏置截止
@丁裕3779：三极管放大原理有点不明白小弟在此赐教 -
廉罗19738004324…… 三极管内部结构 半导体二极管内部只有一个pn结,若在半导体二极管p型半导体的旁边,再加上一块n型半导体如图5-1(a)所示.由图5-1(a)可见,这种结构的器件内部有两个pn结,且n型半导体和p型半导体交错排列形成三个区,分别称为发射区...
@丁裕3779：<数字电路> - - 二极管开关特性--反向恢复过程产生原因: 存储电荷消失前pN结仍正向偏置 -
廉罗19738004324…… 首先这是模电里面的,由于正向偏置的时候P区和N区都形成一个少子对应的扩散电容,当外部偏置电压反偏时,由于电容两端的电压不能突变,此时二极管还是出正偏的,不过会慢慢的减小,直到扩散电容两端存储的电荷消失.
廉罗19738004324…… 从内部结构上来讲,PN结正偏,反偏时,内电场其实是不发生变化的. 只不过是外电场与内电场的正或反向的“叠加”而以. 从宏观上来看.试想,如果用一次,内电场变了,那么下次怎么用,不就成一次了!
@丁裕3779：pn结正偏,正向电阻很 ,正向电流很 .PN结反偏,反向电阻很 ,反向电流很 -
廉罗19738004324…… PN结正偏时【呈导通状态】,正向电阻很【小】,正向电流很【大】 PN结反偏时【呈截止状态】,反向电阻很【大】,反向电流很【小】
@丁裕3779：三极管的两个pn结构反偏或均正偏时,所对应的状态分别是 -
廉罗19738004324…… 截止状态
@丁裕3779：关于三极管不同PN结正向偏置和反向偏置的问题 -
廉罗19738004324…… 发射结正向偏置,集电结也正向偏置: 饱和状态(集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关).发射结反向偏置,集电结正向偏置: 应该是放大状态(从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向偏置,集电结正向偏置,也就是发射集当集电极用,集电集当发射极用,这时三极管也处于放大状态,但其各个参数会改变).
@丁裕3779：什么叫PN结的单向导电性? -
廉罗19738004324…… P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏.此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态.P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开.结电阻很大,当反向...
@丁裕3779：PN结正向偏置时电阻(),反向偏置时电阻(),这种特性称为PN结的(),但是当硅材料的PN结正向偏压小于 -
廉罗19738004324…… 向偏置呈低阻导电状态反向偏置呈现高阻近似导电状态理想条件认PN结具单向导电性——向偏置导通反向偏置截止
@丁裕3779：三极管放大原理有点不明白小弟在此赐教 -
廉罗19738004324…… 三极管内部结构 半导体二极管内部只有一个pn结,若在半导体二极管p型半导体的旁边,再加上一块n型半导体如图5-1(a)所示.由图5-1(a)可见,这种结构的器件内部有两个pn结,且n型半导体和p型半导体交错排列形成三个区,分别称为发射区...
@丁裕3779：<数字电路> - - 二极管开关特性--反向恢复过程产生原因: 存储电荷消失前pN结仍正向偏置 -
廉罗19738004324…… 首先这是模电里面的,由于正向偏置的时候P区和N区都形成一个少子对应的扩散电容,当外部偏置电压反偏时,由于电容两端的电压不能突变,此时二极管还是出正偏的,不过会慢慢的减小,直到扩散电容两端存储的电荷消失.
