pn结在什么条件下截止
@宦胡2737：为什么PN结正向导通,反向截止?求解 -
沃逸19367722630…… PN结分为四个区,正向导通区,死区,反向截止区,反向击穿区,正向导通,反向截止,是PN结的一个很重要的特性,是本身就有的.
@宦胡2737：三极管有哪三种状态 -
沃逸19367722630…… 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态. 放大状态:当加在三...
@宦胡2737：PN结在什么情况下单向导电性会丧失 -
沃逸19367722630…… 1 施加于PN结的电压频率过高,PN结电容起主要作用,PN结相当于电容,无单向导电性. 2 施加于PN结的反向电压过高,导致PN结反向击穿,PN结反向导电.
@宦胡2737：请问一下你能讲一下你怎么判断的吗?npn和pnp什么情况下饱和什么情况截止啊?不是有个什么0.7的压差的吗?
沃逸19367722630…… 晶体管发射结是一个PN结,其输入特性曲线类似二极管的正向伏安特性: 当Ube<“死区”电压时,晶体管处于截止状态;当 >“死区”电压时, Ib才随Ube的增加而明显增大.硅管:死区电压为0.5V,发射结导通电压降为0.6-0.7V;锗管...
@宦胡2737：关于PN结的问题 -
沃逸19367722630…… PN结 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性. PN结 (PN junction) 一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施...
@宦胡2737：光电特性跟光照特性有什么区别 -
沃逸19367722630…… 光电特性是指光电流的大小和辐射通量有关,即I=f(辐射通量符号).光照特性是指光电流的大小和光照度L有关,即I=f(L)
@宦胡2737：三极管发射结正偏 集电结零偏处于什么状态 -
沃逸19367722630…… 若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用,而三极管处于导通状态,C极为工作电压是截止状态. 在制造三极管时,发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样...
沃逸19367722630…… PN结分为四个区,正向导通区,死区,反向截止区,反向击穿区,正向导通,反向截止,是PN结的一个很重要的特性,是本身就有的.
@宦胡2737：三极管有哪三种状态 -
沃逸19367722630…… 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态. 放大状态:当加在三...
@宦胡2737：PN结在什么情况下单向导电性会丧失 -
沃逸19367722630…… 1 施加于PN结的电压频率过高,PN结电容起主要作用,PN结相当于电容,无单向导电性. 2 施加于PN结的反向电压过高,导致PN结反向击穿,PN结反向导电.
@宦胡2737：请问一下你能讲一下你怎么判断的吗?npn和pnp什么情况下饱和什么情况截止啊?不是有个什么0.7的压差的吗?
沃逸19367722630…… 晶体管发射结是一个PN结,其输入特性曲线类似二极管的正向伏安特性: 当Ube<“死区”电压时,晶体管处于截止状态;当 >“死区”电压时, Ib才随Ube的增加而明显增大.硅管:死区电压为0.5V,发射结导通电压降为0.6-0.7V;锗管...
@宦胡2737：关于PN结的问题 -
沃逸19367722630…… PN结 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性. PN结 (PN junction) 一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施...
@宦胡2737：光电特性跟光照特性有什么区别 -
沃逸19367722630…… 光电特性是指光电流的大小和辐射通量有关,即I=f(辐射通量符号).光照特性是指光电流的大小和光照度L有关,即I=f(L)
@宦胡2737：三极管发射结正偏 集电结零偏处于什么状态 -
沃逸19367722630…… 若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用,而三极管处于导通状态,C极为工作电压是截止状态. 在制造三极管时,发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样...
