pn结的耗尽层是怎么回事
@呼盛4573：为什么把PN结称为耗尽层呢? -
庄若13847726905…… 由于PN结对电子和空穴的扩散具有阻挡作用,因此又称为阻挡层.在PN结内,仅是一些不能活动的离子,几乎没有载流子,相当于载流子都耗尽了,所以在有些情况下又称它为耗尽层.
@呼盛4573：耗尽层具体指的是什么?
庄若13847726905…… 耗尽层:绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少,在分析PN结时常忽略载流子的作用,而只考虑离子区的电荷,称耗尽层
@呼盛4573：谁知道耗尽层是指什么呢?
庄若13847726905…… 耗尽层,是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域
@呼盛4573：为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? -
庄若13847726905…… PN结中由于p区和n区的电子空穴发生中和,在结中会形成耗尽区,PN结因此可以叫耗尽层; 由于PN结反向不导通,因此可以叫做阻挡层. 仅作参考..
@呼盛4573：空间电荷区的基本概念 -
庄若13847726905…… 空间电荷区也称耗尽层,在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区.
@呼盛4573：空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为耗尽层? -
庄若13847726905…… 电子和空穴构成的. 空间电荷,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏.空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域.空间电荷指流子浓度超过原载流子...
@呼盛4573：PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大 -
庄若13847726905…… 耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不...
@呼盛4573：PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 -
庄若13847726905…… 电场强度等于:掺杂浓度*宽度(e=nd*w) 电势差等于:电场强度*宽度 所以:电势差等于掺杂浓度*宽度的平方. 产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.
@呼盛4573：PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比
庄若13847726905…… 耗尽区是电子和空穴复合形成的,高掺杂时候扩散过去的电子和空穴没走多远就都被复合掉了,所以耗尽区变薄(窄).具体公式还是看半导体方面的书吧
@呼盛4573：二极管正偏时候为什么耗尽层会变窄? -
庄若13847726905…… 耗尽层是扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结.由于外电源的作用,扩散运动加剧,形成扩散电流,耗尽层变窄,动态平衡失衡,导致耗尽层变窄.
庄若13847726905…… 由于PN结对电子和空穴的扩散具有阻挡作用,因此又称为阻挡层.在PN结内,仅是一些不能活动的离子,几乎没有载流子,相当于载流子都耗尽了,所以在有些情况下又称它为耗尽层.
@呼盛4573：耗尽层具体指的是什么?
庄若13847726905…… 耗尽层:绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少,在分析PN结时常忽略载流子的作用,而只考虑离子区的电荷,称耗尽层
@呼盛4573：谁知道耗尽层是指什么呢?
庄若13847726905…… 耗尽层,是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域
@呼盛4573：为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? -
庄若13847726905…… PN结中由于p区和n区的电子空穴发生中和,在结中会形成耗尽区,PN结因此可以叫耗尽层; 由于PN结反向不导通,因此可以叫做阻挡层. 仅作参考..
@呼盛4573：空间电荷区的基本概念 -
庄若13847726905…… 空间电荷区也称耗尽层,在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区.
@呼盛4573：空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为耗尽层? -
庄若13847726905…… 电子和空穴构成的. 空间电荷,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏.空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域.空间电荷指流子浓度超过原载流子...
@呼盛4573：PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大 -
庄若13847726905…… 耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不...
@呼盛4573：PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 -
庄若13847726905…… 电场强度等于:掺杂浓度*宽度(e=nd*w) 电势差等于:电场强度*宽度 所以:电势差等于掺杂浓度*宽度的平方. 产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.
@呼盛4573：PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比
庄若13847726905…… 耗尽区是电子和空穴复合形成的,高掺杂时候扩散过去的电子和空穴没走多远就都被复合掉了,所以耗尽区变薄(窄).具体公式还是看半导体方面的书吧
@呼盛4573：二极管正偏时候为什么耗尽层会变窄? -
庄若13847726905…… 耗尽层是扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结.由于外电源的作用,扩散运动加剧,形成扩散电流,耗尽层变窄,动态平衡失衡,导致耗尽层变窄.
