pn结耗尽区怎么控制
@吉珍5420：怎样理解PN结中＂载流子耗尽＂这句话 -
习萍13954771753…… N型半导体中电子为多数载流子,空穴为少数载流子,这在P型半导体中恰好相反.当他们形成PN结时,N区中的电子和P区中的空穴分别向对面扩散,相遇则发生中和,也就是载流子耗尽,最终在PN结中部形成耗尽区,在平衡状态下耗尽区中的自由载流子浓度很低.
@吉珍5420：为什么把PN结称为耗尽层呢? -
习萍13954771753…… 由于PN结对电子和空穴的扩散具有阻挡作用,因此又称为阻挡层.在PN结内,仅是一些不能活动的离子,几乎没有载流子,相当于载流子都耗尽了,所以在有些情况下又称它为耗尽层.
@吉珍5420：关于二极管中的PN级中的耗尽区? -
习萍13954771753…… 你首先要明白,二极管的内电场是自己产生的,就是二级管造好就存在了,方向是由N指向P.形成的原因很简单,就是通过扩散,N极的电子跑到P去了,P的空穴跑到N去了,由于是自由扩散,电子和空穴都跑不远就停止了(相互吸引).在...
@吉珍5420：结型场效应和MOS管有什么区别,为什么不能互换 -
习萍13954771753…… 结型场效应管(JFET),是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通,具体地说,是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度,从而实现对漏电流大小的控制.而该耗尽区宽度的控制调整则是与栅电压有关的(与...
@吉珍5420：怎样控制场效应管 -
习萍13954771753…… 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,反向偏压达到...
@吉珍5420：主板上的贴片三极管 -
习萍13954771753…… 应该是 场效应管 吧,场效应管是一种电压控制的半导体器件.它与普通电流控制的晶体管比较,具有输入电阻高、噪声低等特点,在电子电路中被广泛采用. 一、场效应管的工作原理 场效应管从结构上分,主要有结型场效应管和绝缘栅场效应...
@吉珍5420：关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题 -
习萍13954771753…… 概念上的问题 首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度. 而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移,扩散是由于浓度差的存在,漂移是因为空间电荷区的电场作用,两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化. 掺杂浓度越高,耗尽区越宽,而不是越窄,浓度升高,扩散作用变强,空间电荷区变宽,同时漂移作用增强阻碍扩散,达到平衡后实际耗尽区宽度是变宽了. 最后,电场强度如上所述,是会随着掺杂浓度变化的,而不是不变的
@吉珍5420：关于场效应管的问题
习萍13954771753…… 结型场效应管栅源之间为2个PN结,必须加反向电压使PN结的空间电荷区加宽,才能控制中间的导电沟道.若加正向电压,则PN结的空间电荷区几乎消失,无法控制沟道. 耗尽型MOS管的导电沟道已形成,加正电压,沟道加宽,加负电压,沟道变窄.均可以控制.
@吉珍5420：关于PN结的问题,请大师来解答! -
习萍13954771753…… 你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合、还有一部分是会到n区的、这一切都发生在耗尽区,耗尽区在pn之间,耗尽区即存在电子又存在空穴,当然n区的电子也类似. 存在浓度差就会出现扩散运动,当然这个运动是从高浓到低浓、pn结没通外电压时就存在扩散运动,是n区的电子扩散到p区、当n区电子扩散过去后n区本身就只剩下带正电的电离杂质、使n区出现正的空间电荷、类似p区剩下 负的空间电荷、这样内建电场就形成了、从n区到p区. 再说说漂移、电子在电场力的作用下的运动就叫漂移运动. 所以 漂移和扩散理论完全不一样.
@吉珍5420：关于半导体PN结
习萍13954771753…… 浓度差导致扩散运动,电场导致的是漂移运动.正向偏置时在外场的作用下漂移加强扩散减弱,使得中间的耗尽区宽度减小.你也可以认为是外场抵消了内场
习萍13954771753…… N型半导体中电子为多数载流子,空穴为少数载流子,这在P型半导体中恰好相反.当他们形成PN结时,N区中的电子和P区中的空穴分别向对面扩散,相遇则发生中和,也就是载流子耗尽,最终在PN结中部形成耗尽区,在平衡状态下耗尽区中的自由载流子浓度很低.
@吉珍5420：为什么把PN结称为耗尽层呢? -
习萍13954771753…… 由于PN结对电子和空穴的扩散具有阻挡作用,因此又称为阻挡层.在PN结内,仅是一些不能活动的离子,几乎没有载流子,相当于载流子都耗尽了,所以在有些情况下又称它为耗尽层.
@吉珍5420：关于二极管中的PN级中的耗尽区? -
习萍13954771753…… 你首先要明白,二极管的内电场是自己产生的,就是二级管造好就存在了,方向是由N指向P.形成的原因很简单,就是通过扩散,N极的电子跑到P去了,P的空穴跑到N去了,由于是自由扩散,电子和空穴都跑不远就停止了(相互吸引).在...
@吉珍5420：结型场效应和MOS管有什么区别,为什么不能互换 -
习萍13954771753…… 结型场效应管(JFET),是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通,具体地说,是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度,从而实现对漏电流大小的控制.而该耗尽区宽度的控制调整则是与栅电压有关的(与...
@吉珍5420：怎样控制场效应管 -
习萍13954771753…… 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,反向偏压达到...
@吉珍5420：主板上的贴片三极管 -
习萍13954771753…… 应该是 场效应管 吧,场效应管是一种电压控制的半导体器件.它与普通电流控制的晶体管比较,具有输入电阻高、噪声低等特点,在电子电路中被广泛采用. 一、场效应管的工作原理 场效应管从结构上分,主要有结型场效应管和绝缘栅场效应...
@吉珍5420：关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题 -
习萍13954771753…… 概念上的问题 首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度. 而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移,扩散是由于浓度差的存在,漂移是因为空间电荷区的电场作用,两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化. 掺杂浓度越高,耗尽区越宽,而不是越窄,浓度升高,扩散作用变强,空间电荷区变宽,同时漂移作用增强阻碍扩散,达到平衡后实际耗尽区宽度是变宽了. 最后,电场强度如上所述,是会随着掺杂浓度变化的,而不是不变的
@吉珍5420：关于场效应管的问题
习萍13954771753…… 结型场效应管栅源之间为2个PN结,必须加反向电压使PN结的空间电荷区加宽,才能控制中间的导电沟道.若加正向电压,则PN结的空间电荷区几乎消失,无法控制沟道. 耗尽型MOS管的导电沟道已形成,加正电压,沟道加宽,加负电压,沟道变窄.均可以控制.
@吉珍5420：关于PN结的问题,请大师来解答! -
习萍13954771753…… 你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合、还有一部分是会到n区的、这一切都发生在耗尽区,耗尽区在pn之间,耗尽区即存在电子又存在空穴,当然n区的电子也类似. 存在浓度差就会出现扩散运动,当然这个运动是从高浓到低浓、pn结没通外电压时就存在扩散运动,是n区的电子扩散到p区、当n区电子扩散过去后n区本身就只剩下带正电的电离杂质、使n区出现正的空间电荷、类似p区剩下 负的空间电荷、这样内建电场就形成了、从n区到p区. 再说说漂移、电子在电场力的作用下的运动就叫漂移运动. 所以 漂移和扩散理论完全不一样.
@吉珍5420：关于半导体PN结
习萍13954771753…… 浓度差导致扩散运动,电场导致的是漂移运动.正向偏置时在外场的作用下漂移加强扩散减弱,使得中间的耗尽区宽度减小.你也可以认为是外场抵消了内场
