pn结势垒区和耗尽区区别
@宣狮1582：半导体物理中“空间电荷区”、“耗尽层”、“势垒区”三者的含义一样吗? -
温怨15893584953…… =...唉我又来拆台了...每次复习看到这种错误答案都犯强迫症... 空间电荷区=耗尽层. 但是“势垒区”的概念适用可能要广泛一些,“势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域.”(百度上随便搜的一句 = =) 所以不一定仅仅适用于PN结吧... 以上为个人理解 = =.......
@宣狮1582：扩散电容和势垒电容的区别 -
温怨15893584953…… pn结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容. 在积累空间电荷的势垒区,当pn结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同.耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容. 扩散电容(diffusion capacitance)是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应
@宣狮1582：什么是PN结势垒电容?什么是PN结扩散电容? -
温怨15893584953…… PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容. PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应. 当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容...
@宣狮1582：关于三极管的掺杂度 -
温怨15893584953…… 在硅三极管的制作工艺中有掺杂磷和硼的过程.通常是N型硅片本底是集电区,在特定区域掺入硼,这里形成了一个P型区,作为基区.在基区上的特定区域掺入磷,浓度大大高于掺入硼的浓度(约2个数量级)形成另一个N区,作为发射区.这样一个NPN 的结构就形成了.接上外引线,并封装,这就是一个NPN的三极管.三极管中有两个PN结,不能说pn结很薄,通常只能说基区薄与厚,基区是夹在两个PN结之间的部分.如果掺入磷时,磷的浓度高些,温度高些,时间长些都会使基区薄,这样放大倍数会比较大.不知道我这样说,能否说清楚.老实讲,这个问题不是容易说明白的.我只是试着回答而已.
@宣狮1582：什么是三极管的集电结电容? -
温怨15893584953…… 集电结(B---C结)结电容: PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容. PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应. 当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电.同理,当正向电压减小时,PN结变宽,空间电荷区变宽,结中空间电荷量增加,相当于电容充电.加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,也相当于对电容的充电.加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于放电.
@宣狮1582：空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为耗尽层? -
温怨15893584953…… 电子和空穴构成的. 空间电荷,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏.空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域.空间电荷指流子浓度超过原载流子...
@宣狮1582：金属与半导体之间的接触势垒是什么? -
温怨15893584953…… 金属与半导体之间的接触势垒是＂肖特基势垒＂. 它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区(耗尽层)和接触势垒; 它与其他半导体之间的接触不一样之处是:它的空间电荷区(耗尽层)在金属的一侧特别薄. 接触势垒也叫接触电势差,它阻止接触双方的多子,继续向对方扩散.只有加上正向电压时,这种“扩散”才可以继续进行,产生电流.
@宣狮1582：什么是势垒电容和扩散电容?解释的易懂一些!谢谢 -
温怨15893584953…… 势垒电容:在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同.耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容. 扩散电...
@宣狮1582：二极管的结间电容产生原因 -
温怨15893584953…… 因为PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.势垒电容PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相...
@宣狮1582：什么是势垒电容和扩散电容 -
温怨15893584953…… 势垒电容是p-n结所具有的一种电容,即是p-n结空间电荷区(势垒区)的电容;由于势垒区中存在较强的电场,其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽,则势垒区可近似为耗尽层,故势垒电容往往也称为耗尽层电容. 扩散电容 为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的电子在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累.同理,在N区有空穴的积累.
温怨15893584953…… =...唉我又来拆台了...每次复习看到这种错误答案都犯强迫症... 空间电荷区=耗尽层. 但是“势垒区”的概念适用可能要广泛一些,“势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域.”(百度上随便搜的一句 = =) 所以不一定仅仅适用于PN结吧... 以上为个人理解 = =.......
@宣狮1582：扩散电容和势垒电容的区别 -
温怨15893584953…… pn结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容. 在积累空间电荷的势垒区,当pn结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同.耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容. 扩散电容(diffusion capacitance)是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应
@宣狮1582：什么是PN结势垒电容?什么是PN结扩散电容? -
温怨15893584953…… PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容. PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应. 当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容...
@宣狮1582：关于三极管的掺杂度 -
温怨15893584953…… 在硅三极管的制作工艺中有掺杂磷和硼的过程.通常是N型硅片本底是集电区,在特定区域掺入硼,这里形成了一个P型区,作为基区.在基区上的特定区域掺入磷,浓度大大高于掺入硼的浓度(约2个数量级)形成另一个N区,作为发射区.这样一个NPN 的结构就形成了.接上外引线,并封装,这就是一个NPN的三极管.三极管中有两个PN结,不能说pn结很薄,通常只能说基区薄与厚,基区是夹在两个PN结之间的部分.如果掺入磷时,磷的浓度高些,温度高些,时间长些都会使基区薄,这样放大倍数会比较大.不知道我这样说,能否说清楚.老实讲,这个问题不是容易说明白的.我只是试着回答而已.
@宣狮1582：什么是三极管的集电结电容? -
温怨15893584953…… 集电结(B---C结)结电容: PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容. PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应. 当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电.同理,当正向电压减小时,PN结变宽,空间电荷区变宽,结中空间电荷量增加,相当于电容充电.加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,也相当于对电容的充电.加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于放电.
@宣狮1582：空间电荷区是由电子.空穴还是由正.负离子构成的?空间电荷区为何又称为耗尽层? -
温怨15893584953…… 电子和空穴构成的. 空间电荷,在pn结中,电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏.空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域.空间电荷指流子浓度超过原载流子...
@宣狮1582：金属与半导体之间的接触势垒是什么? -
温怨15893584953…… 金属与半导体之间的接触势垒是＂肖特基势垒＂. 它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区(耗尽层)和接触势垒; 它与其他半导体之间的接触不一样之处是:它的空间电荷区(耗尽层)在金属的一侧特别薄. 接触势垒也叫接触电势差,它阻止接触双方的多子,继续向对方扩散.只有加上正向电压时,这种“扩散”才可以继续进行,产生电流.
@宣狮1582：什么是势垒电容和扩散电容?解释的易懂一些!谢谢 -
温怨15893584953…… 势垒电容:在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同.耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容. 扩散电...
@宣狮1582：二极管的结间电容产生原因 -
温怨15893584953…… 因为PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.势垒电容PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相...
@宣狮1582：什么是势垒电容和扩散电容 -
温怨15893584953…… 势垒电容是p-n结所具有的一种电容,即是p-n结空间电荷区(势垒区)的电容;由于势垒区中存在较强的电场,其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽,则势垒区可近似为耗尽层,故势垒电容往往也称为耗尽层电容. 扩散电容 为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的电子在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累.同理,在N区有空穴的积累.
