耗尽型mos管参数
@许皇3349：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? - 作业帮
常砖13924688251…… [答案] NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数. 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,...
@许皇3349：什么叫mos场效应管 -
常砖13924688251…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
@许皇3349：怎么由给定的MOS管三个电极直流电位参数判断是 增强管 还是耗尽管? 有什么分析途径? -
常砖13924688251…… 网上有比较详细的资料说明: 增强型耗尽型:大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在...
@许皇3349：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
常砖13924688251…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@许皇3349：请问,当Vgs(栅源间电压)=0v时,耗尽型mos管的等效电阻是多大?或此时,Id电流为多少? -
常砖13924688251…… 如果是n型mos管,当Vgs(栅源间电压)=0v时,在衬底中没有形成反型层,所以是在mos管的截止区,是没有Id的.但当是p型mos管,当Vgs(栅源间电压)=0v时,如果是耗尽型mos管,那么根据一般的参数(拉扎维模拟cmos集成电路设计书上的),Vth(开启电压)=-0.8V,Vgs-Vth
@许皇3349：清帮选择一个P沟道耗尽型MOS管 -
常砖13924688251…… IRF9140
@许皇3349：谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
常砖13924688251…… 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
@许皇3349：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
常砖13924688251…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@许皇3349：MOS管主要参数有哪些?
常砖13924688251…… 银联宝电子的MOS管主要参数: 1.开启电压VT •开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; •标准的N沟道MOS管,VT约...
@许皇3349：【悬赏100】mos管选型 P沟道耗尽型 耐压400V 耐流大于0.2A 开关频率上限100MHz左右
常砖13924688251…… 400V的方波,那VDS至少要600V以上吧?PMOS的VDS的耐压我就见过100V的,你这个估计很难找,要是NMOS倒是有很多.
常砖13924688251…… [答案] NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数. 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,...
@许皇3349：什么叫mos场效应管 -
常砖13924688251…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
@许皇3349：怎么由给定的MOS管三个电极直流电位参数判断是 增强管 还是耗尽管? 有什么分析途径? -
常砖13924688251…… 网上有比较详细的资料说明: 增强型耗尽型:大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在...
@许皇3349：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
常砖13924688251…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@许皇3349：请问,当Vgs(栅源间电压)=0v时,耗尽型mos管的等效电阻是多大?或此时,Id电流为多少? -
常砖13924688251…… 如果是n型mos管,当Vgs(栅源间电压)=0v时,在衬底中没有形成反型层,所以是在mos管的截止区,是没有Id的.但当是p型mos管,当Vgs(栅源间电压)=0v时,如果是耗尽型mos管,那么根据一般的参数(拉扎维模拟cmos集成电路设计书上的),Vth(开启电压)=-0.8V,Vgs-Vth
@许皇3349：清帮选择一个P沟道耗尽型MOS管 -
常砖13924688251…… IRF9140
@许皇3349：谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
常砖13924688251…… 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
@许皇3349：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
常砖13924688251…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@许皇3349：MOS管主要参数有哪些?
常砖13924688251…… 银联宝电子的MOS管主要参数: 1.开启电压VT •开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; •标准的N沟道MOS管,VT约...
@许皇3349：【悬赏100】mos管选型 P沟道耗尽型 耐压400V 耐流大于0.2A 开关频率上限100MHz左右
常砖13924688251…… 400V的方波,那VDS至少要600V以上吧?PMOS的VDS的耐压我就见过100V的,你这个估计很难找,要是NMOS倒是有很多.
