肖特基势垒和欧姆接触
@蔚杨239：金属与半导体之间的接触势垒是什么?
壤狮19655122257…… 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候,在界面处半导体的能带弯曲,形成肖特基势垒.势垒的存在才导致了大的界面电阻.与之对应的是欧姆接触,界面处势垒非常小或者是没有接触势垒.
@蔚杨239：什么叫欧姆接触和肖特基接触? -
壤狮19655122257…… 所谓欧姆接触,是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面. 欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件: (1)金属与半导体间有低的...
@蔚杨239：什么是肖特基势垒 -
壤狮19655122257…… 金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致.
@蔚杨239：欧姆接触的改进措施 -
壤狮19655122257…… 除了采用高掺杂和引入复合中心这些措施来实现欧姆接触以外,采用窄带隙半导体构成的缓变异质结,也可以实现对宽带隙半导体的欧姆接触.譬如利用MBE技术制作的n-InAs/n-GaAs或者n-Ge/n-GaAs异质结,就是很好的欧姆接触.Si和GaAs...
@蔚杨239：为什么在PN结两端加导线无电流 -
壤狮19655122257…… 假设导线是金属,在导线连到PN结两端的一瞬间,相当于金属与半导体的接触问题,一般来讲会形成欧姆接触或肖特基接触,就会在两端分别产生两个势垒,这两个势垒的产生过程中必定伴随着电荷的复合过程,也就是说在势垒形成过程中会有电荷移动,电流产生.但这个电荷移动只会局限在该势垒的空间范围内,与PN结内部耗尽层的形成过程类似,形成PN结的时候电子和空穴复合产生电流,该电流只出现在耗尽层区域内,因此金属-半导体的接触势垒产生过程中形成的电流也只出现在势垒区域.综上所述,只在导线与PN结接触的那一瞬间,在离接触面很近的空间上,形成的那两个势垒内部有瞬间的微弱电流产生,但在导线的其他区域上,不会有电荷的流动,也就没有电流产生.
@蔚杨239：PN结左右不是有个电位差吗,那么把二极管直接用导线连起来为什么不会有电流? -
壤狮19655122257…… PN结内部看似有电位差,但对外是显中性的,即不会带电的. 不带电当然也就不会产生电流了. 可能你要问PN结,P带正电荷,N带负电荷,两者结合内部形成PN结,但对于外部来说,P端和N端一个带正电,一个带负电就应该会有电位差吧! 其实这个问题是你理解的还不够透彻,P端虽带正电荷,但引出脚与大自然接触,而大自然中负电荷更多,所以在引出脚上正负电荷一中和不就不带电了吗.N端也是同样的原理. 可能你又要问了,为什么电池正负会带电而没有被中和,那是因为电池内部会产生电荷呀. 其实他的电也会被中和的,你应该知道电池放久了可能会电力不足甚至没电吧!
@蔚杨239：肖特基势垒的优点 -
壤狮19655122257…… 由于肖特基势垒具有较低的界面电压,可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方.在电路设计中,它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件.然而,自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广.
@蔚杨239：半导体与金属的接触方式有哪些? -
壤狮19655122257…… :(1)电子越过势垒顶部从半导体发射到金属中的热电子场发射机理;(2)量子力学隧道穿过势垒的场发射机理;(3)在空间电荷区中电子与空穴的复合;(4)在半导体中性区电子与空穴的复合
@蔚杨239：金属和半导体接触有哪些好处 -
壤狮19655122257…… 在一定范围内,半导体的电阻随温度的升高而降低,金属导体的电阻随温度的升高而升高 由于电流通过后要产热,两个按一定比例串联接入电路后,刚好互补,从而使电阻不随温度的变化而变化
@蔚杨239：金属与半导体之间的接触势垒是什么? -
壤狮19655122257…… 金属与半导体之间的接触势垒是＂肖特基势垒＂. 它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区(耗尽层)和接触势垒; 它与其他半导体之间的接触不一样之处是:它的空间电荷区(耗尽层)在金属的一侧特别薄. 接触势垒也叫接触电势差,它阻止接触双方的多子,继续向对方扩散.只有加上正向电压时,这种“扩散”才可以继续进行,产生电流.
壤狮19655122257…… 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候,在界面处半导体的能带弯曲,形成肖特基势垒.势垒的存在才导致了大的界面电阻.与之对应的是欧姆接触,界面处势垒非常小或者是没有接触势垒.
@蔚杨239：什么叫欧姆接触和肖特基接触? -
壤狮19655122257…… 所谓欧姆接触,是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面. 欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件: (1)金属与半导体间有低的...
@蔚杨239：什么是肖特基势垒 -
壤狮19655122257…… 金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致.
@蔚杨239：欧姆接触的改进措施 -
壤狮19655122257…… 除了采用高掺杂和引入复合中心这些措施来实现欧姆接触以外,采用窄带隙半导体构成的缓变异质结,也可以实现对宽带隙半导体的欧姆接触.譬如利用MBE技术制作的n-InAs/n-GaAs或者n-Ge/n-GaAs异质结,就是很好的欧姆接触.Si和GaAs...
@蔚杨239：为什么在PN结两端加导线无电流 -
壤狮19655122257…… 假设导线是金属,在导线连到PN结两端的一瞬间,相当于金属与半导体的接触问题,一般来讲会形成欧姆接触或肖特基接触,就会在两端分别产生两个势垒,这两个势垒的产生过程中必定伴随着电荷的复合过程,也就是说在势垒形成过程中会有电荷移动,电流产生.但这个电荷移动只会局限在该势垒的空间范围内,与PN结内部耗尽层的形成过程类似,形成PN结的时候电子和空穴复合产生电流,该电流只出现在耗尽层区域内,因此金属-半导体的接触势垒产生过程中形成的电流也只出现在势垒区域.综上所述,只在导线与PN结接触的那一瞬间,在离接触面很近的空间上,形成的那两个势垒内部有瞬间的微弱电流产生,但在导线的其他区域上,不会有电荷的流动,也就没有电流产生.
@蔚杨239：PN结左右不是有个电位差吗,那么把二极管直接用导线连起来为什么不会有电流? -
壤狮19655122257…… PN结内部看似有电位差,但对外是显中性的,即不会带电的. 不带电当然也就不会产生电流了. 可能你要问PN结,P带正电荷,N带负电荷,两者结合内部形成PN结,但对于外部来说,P端和N端一个带正电,一个带负电就应该会有电位差吧! 其实这个问题是你理解的还不够透彻,P端虽带正电荷,但引出脚与大自然接触,而大自然中负电荷更多,所以在引出脚上正负电荷一中和不就不带电了吗.N端也是同样的原理. 可能你又要问了,为什么电池正负会带电而没有被中和,那是因为电池内部会产生电荷呀. 其实他的电也会被中和的,你应该知道电池放久了可能会电力不足甚至没电吧!
@蔚杨239：肖特基势垒的优点 -
壤狮19655122257…… 由于肖特基势垒具有较低的界面电压,可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方.在电路设计中,它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件.然而,自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广.
@蔚杨239：半导体与金属的接触方式有哪些? -
壤狮19655122257…… :(1)电子越过势垒顶部从半导体发射到金属中的热电子场发射机理;(2)量子力学隧道穿过势垒的场发射机理;(3)在空间电荷区中电子与空穴的复合;(4)在半导体中性区电子与空穴的复合
@蔚杨239：金属和半导体接触有哪些好处 -
壤狮19655122257…… 在一定范围内,半导体的电阻随温度的升高而降低,金属导体的电阻随温度的升高而升高 由于电流通过后要产热,两个按一定比例串联接入电路后,刚好互补,从而使电阻不随温度的变化而变化
@蔚杨239：金属与半导体之间的接触势垒是什么? -
壤狮19655122257…… 金属与半导体之间的接触势垒是＂肖特基势垒＂. 它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区(耗尽层)和接触势垒; 它与其他半导体之间的接触不一样之处是:它的空间电荷区(耗尽层)在金属的一侧特别薄. 接触势垒也叫接触电势差,它阻止接触双方的多子,继续向对方扩散.只有加上正向电压时,这种“扩散”才可以继续进行,产生电流.
